引言
範德華晶體,包括石墨烯、氮化硼、過渡金屬硫族化合物等廣受關注的新型二維材料等,具有優良的力學、電學、光學性質,是構築功能可控範德華異質結的基本單元,也是組成下一代高性能光電器件的基礎材料。
範德華晶體具有層狀結構,在層內由較強的共價鍵相互作用結合,在層間由較弱的範德華力結合。這一層狀結構決定了範德華晶體的各種物理性質具有天然的各向異性,其中,光學各向異性對於新型光電器件的設計和優化至關重要,必須得到準確的表徵。然而,受限於高質量範德華單晶的尺寸,傳統的基於遠場光束反射的光學各向異性表徵方法,如端面反射法、橢偏法等,均不能準確表徵範德華微晶體的光學各向異性。
成果介紹
日前,中國科學院國家納米科學中心納米表徵實驗室戴慶(Quantum Design中國子公司用戶)研究團隊利用德國neaspec近場光學技術克服了上述範德華晶體有限尺寸導致的困難,成功測量了氮化硼及二硫化鉬的介電常數張量。
圖1 實驗裝置和近場成像原理示意圖
該團隊首先理論論證了在各向異性範德華納米片中存在尋常及非尋常波導模式,這兩種模式的面內波矢分別與範德華晶體的面內及面外介電常數相關;之後,他們使用neaSNOM散射型掃描近場光學顯微鏡,在範德華納米片中激發尋常及非尋常波導模式,並對這些波導模式進行實空間近場光學成像;最後,他們通過nanoFTIR納米傅立葉紅外模塊對實空間近場光學圖像的傅立葉分析,求得所測範德華晶體的光學各向異性。
圖2 不同厚度MoS2樣品的近場光學像及傅立葉分析
結論
這一方法克服了傳統表徵手段對樣品大小的限制,能夠對單軸及雙軸範德華晶體材料的光學各向異性進行精準的表徵;通過對基底材料的優化設計,這一方法有望用於少層甚至單層範德華晶體光學各向異性的直接表徵。
該研究結果在線發表於Nature Communications,表徵方法已申請發明專利。相關研究工作得到國家自然科學基金、青年千人計劃等項目的資助。參考文獻:Probing optical anisotropy of nanometer-thin van der waals microcrystals by near-field imaging (Nat. Commun., 2017, DOI: 10.1038/s41467-017-01580-7)
文章來源:中國科學院國家納米中心官網
neaSNOM小知識,你了解多少呢? neaSNOM散射式近場光學顯微鏡採用了專利化的散射式核心設計技術,極大提高了光學解析度,並且不依賴於入射雷射的波長,能夠在可見、紅外和太赫茲光譜範圍內,提供優於10nm空間解析度的光譜和近場光學圖像,保證了高度的可靠性和可重複性。 技術特點和優勢: ☆ 專利保護的散射式近場光學測量技術 ☆ 專利的高階解調背景壓縮技術 ☆ 專利保護的幹涉式近場信號探測單元 ☆ 專利的贗外差幹涉式探測技術 ☆ 專利保護的反射式光學系統 ☆ 高穩定性的AFM系統雙光束設計 nano-FTIR——納米紅外表徵界的槓把子 nano-FTIR納米傅立葉紅外光譜技術綜合了原子力顯微鏡的高空間解析度和傅立葉紅外光譜的高化學敏感度,在納米尺度下可實現對幾乎所有材料的化學分辨。而且在不使用任何模型矯正的條件下,nano-FTIR獲得的近場吸收光譜所體現的分子指紋特徵與使用傳統FTIR光譜儀獲得的分子指紋特徵高度吻合,這在基礎研究和實際應用方面都具有重要意義。 |
相關產品及連結
1、超高分辨散射式近場光學顯微鏡:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C170040.htm
2、納米傅立葉紅外光譜儀 :http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C194218.htm
3、太赫茲近場光學顯微鏡:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C270098.htm
版權與免責聲明:
① 凡本網註明"來源:儀器信息網"的所有作品,版權均屬於儀器信息網,未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網授權的作品,應在授權範圍內使用,並註明"來源:儀器信息網"。違者本網將追究相關法律責任。
② 本網凡註明"來源:xxx(非本網)"的作品,均轉載自其它媒體,轉載目的在於傳遞更多信息,並不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責,且不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如其他媒體、網站或個人從本網下載使用,必須保留本網註明的"稿件來源",並自負版權等法律責任。
③ 如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發表之日起兩周內與本網聯繫,否則視為默認儀器信息網有權轉載。