晶圓切割(即劃片)是晶片製造工藝流程中一道不可或缺的工序,在晶圓製造中屬於後道工序。晶圓切割就是將做好晶片的整片晶圓按晶片大小分割成單一的晶片(晶粒)。
最早的晶圓是用切片系統進行切割(劃片)的,這種方法以往佔據了世界晶片切割市場的較大份額,特別是在非集成電路晶圓切割領域。鑽石鋸片(砂輪)切割方法是較為常見的晶圓切割方法。新型切割方式有採用雷射進行無切割式加工的。
晶圓切割工藝流程主要包括:繃片、切割、UV照射。
晶圓切割將一個晶圓上單獨的die通過高速旋轉的金剛石刀片切割開來,形成獨立的單顆的晶片,為後續工序做準備。晶圓切割需要用到特定的切割機刀片。
繃片是一個切割前的晶圓固定工序,在晶圓的背面貼上一層藍膜,並固定在一個金屬框架上,以利於後面切割。
切割過程中需要用去離子水(DI純水)衝去切割產生的矽渣和釋放靜電,去離子水由專業製備的小型設備「純水機」製備。
UV照射是用紫外線照射切割完的藍膜,降低藍膜的粘性,方便後續挑粒。
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