Synova宣布與Disco合作開發混合式晶圓切割工具

2020-11-26 索比光伏網

發表於：2007-06-14 17:55:04     作者：Solarbe.com

來源：solarbe.com

Synova宣布與Disco公司旗下的半導體晶圓切割、研磨、拋光機具供貨商Disco Hi-Tec Europe達成一項合作協議，兩家公司將結合Synova專利微水刀雷射(LaserMicrojet)技術和Disco最新鑽石刀片晶圓切割系統，為各種先進的晶圓切割應用開發一種混合式晶圓切割工具。

 

雙方合作發展出的頂級解決方案，可協助半導體製造商達到更高的產量，減少切割時對晶圓造成的損壞，適用各種先進材料及厚度之晶圓，首款工具將於2007年底正式推出。這項協議適用範圍局限於就Disco切割刀具進行聯合開發，俾使兩家公司持續致力於合作研發，加快將Synova的核心技術成功地整合至Disco領先業界的系統中，藉以滿足客戶迫切的需求。

 

兩家公司將合力製造新開發的混合工具，並將共享市場與銷售。這項結盟能使兩家公司發揮各自獨特的商業與技術實力發揮槓桿作用，又使各自能自由地繼續直接營銷自己的切割系統，同時持續各自的技術研發。

 

Synova表示，市場對於更小、更多功能的消費性產品有著永無止境的需求，為IC製造商帶來新挑戰，以俾使業者必須將更多功能塞入愈來愈小的組件中。封裝產業面臨的其中一項重要挑戰，便是晶片製造商持續推出新的晶圓材料，內含日趨複雜的層次，在使用傳統的晶圓切割技術時，愈來愈容易出現破碎與損壞。

 

該公司建立此合作夥伴關係的目的，在結合Disco切割刀具與Synova的微水刀雷射技術，提供製造商一款能支持現在與次世代IC晶圓的切割解決方案，滿足嚴苛的良率與產能要求。

 

除了半導體封裝外，Synova的微水刀雷射技術還支持IC產業的其它領域以及其它核心市場，包括平面顯示器、太陽能電池、醫療器械以及汽車組件。此外，Synova最近開始授權其專利之微水刀雷射技術，預計將促進這項技術在其它產業與應用的衍生和使用。

 

編輯：曹宇
E-mail：anynineleo@gmail.com
Msn:anynineleo@hotmail.com
QQ:19655412
手機：13811049010
光伏QQ群：27251987

光伏行業最新動態，請關注索比光伏網微信公眾號：solarbe2005

投稿與新聞線索聯繫：010-68027865 劉小姐：news@solarbe.com

掃碼關注

相關焦點

  • SYNOVA牽手DISCO科技歐洲公司聯合開發混合切割工具
    瑞士喜諾發公司（Synova SA）日前宣布公司與設在慕尼黑的迪思科科技（Disco）歐洲有限公司達成了一項合作夥伴協議，迪思科科技（Disco）歐洲有限公司是業界領先的半導體晶圓切割、研磨以及拋光機械設備供應商Disco Corporation的子公司，這一舉措必將極大地推動其創新的微水刀雷射（水射流引導雷射
  • 日本DISCO開發出新型雷射加工設備 一臺即可切割晶圓
    日本DISCO開發出了新型雷射加工設備「DFL7260」，該設備配備兩個雷射振蕩器，只需1臺即可切割使用了low-k膜的晶圓。預定於2008年4月上市。  向樣品照射雷射使其部分氣化的燒蝕（abrasion）加工技術能夠進行low-k膜的溝槽加工和晶圓切割。但是，由於對low-k膜進行溝槽加工（不出現剝離）和以較小熱應力切割矽晶圓的加工對雷射振蕩器的要求不同，因此，此前一般需要2臺雷射加工設備。
  • 一片晶圓到底可以切割出多少晶片?(附30強晶圓代工廠)
    一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數目？這個要根據你的die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash晶片。那麼，在wafer上剩餘的，要不就是不穩定，要不就是部分損壞所以不足容量，要不就是完全損壞。原廠考慮到質量保證，會將這種die宣布死亡，嚴格定義為廢品全部報廢處理。
  • 一片晶圓到底可以切割出多少的晶片vv數目?
    再將公式化簡的話就會變成：X就是所謂的晶圓可切割晶片數(dpw die per wafer)。那麼要來考考各位的計算能力了育！假設12吋晶圓每片造價5000美金，那麼NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公釐，在良率50%的情況下，平均每顆成本是多少美金？
  • MEMS晶圓切割方法—雷射隱形切割
    基於這樣的特點，MEMS晶圓的劃片方法不同於典型IC的劃片。典型IC砂輪劃片是通過砂輪刀片高速旋轉來完成材料的去除，從而實現晶片切割。由於刀片的高速旋轉，往往需要使用純水進行冷卻和衝洗，那麼刀片高速旋轉產生的壓力和扭力，純水的衝洗產生的衝擊力以及切割下來的Si屑造成的汙染都容易對MEMS晶片中機械微結構造成不可逆的破壞。所以典型IC的砂輪劃片不適用MEMS晶圓的劃片。
  • 晶圓雷射切割技術的研究進展
    外形封裝的第一步就是晶圓切割，晶圓切割工藝的效果直接影響晶片的性能和效益。此外，根據摩爾定律要求，單個晶片尺寸越來越小，晶圓厚度越來越薄，晶圓更加容易斷裂; 為了降低耦合及串擾，目前在 IC 晶片製作中需要加入低 k 材料，但低 k 材料與矽襯底的附著力較低，使用傳統切割方法時容易出現薄膜脫離和破碎等現象，進一步增加了晶圓切割的複雜度和難度。
  • 科普下IC晶圓切割的精準刀法
    如上邊臺積電IC製造流程宣傳視頻所示，矽晶棒切割打磨成晶圓 wafer，然後晶圓經過光刻和蝕刻成若干片die，經過晶圓針測後，將切割下來的die進行封裝，最後對封裝好的晶片進行測試。晶圓劃片（即切割）是半導體晶片製造工藝流程中的一道必不可少的工序，在晶圓製造中屬後道工序。將做好晶片的整片晶圓按晶片大小分割成單一的晶片（die），稱之為晶圓劃片。
  • 我國半導體雷射隱形晶圓切割技術取得重大突破
    中國長城表示，該裝備是鄭州軌交院與河南通用歷時一年聯合攻關研發成功，最終實現了最佳光波和切割工藝，開啟了我國雷射晶圓切割行業發展的序幕。而半導體雷射隱形晶圓切割技術取得實質性重大突破，相關裝備依賴進口的局面即將打破。鄭州軌交院成立於2017年，幾年來，該院圍繞自主安全工業控制器、高端裝備製造和新一代信息技術突破開展科研創新、技術攻關。
  • DARPA開發集成混合模式射頻電子產品
    並於2019年1月首次宣布了T-MUSIC項目，T-MUSIC項目是DARPA電子復興計劃（ERI）第二階段的一部分。電子復興計劃第二階段的研究領域之一，是將光子學和射頻組件直接集成到先進的電路和半導體製造工藝中，從而實現獨特和差異化的國內製造能力。因此，T-MUSIC項目將探索將混合模式電子產品集成到當前先進的半導體製造工藝中。
  • 科普|如何做晶圓切割(劃片)?
    晶圓切割（即劃片）是晶片製造工藝流程中一道不可或缺的工序，在晶圓製造中屬於後道工序。晶圓切割就是將做好晶片的整片晶圓按晶片大小分割成單一的晶片（晶粒）。最早的晶圓是用切片系統進行切割（劃片）的，這種方法以往佔據了世界晶片切割市場的較大份額，特別是在非集成電路晶圓切割領域。鑽石鋸片（砂輪）切割方法是較為常見的晶圓切割方法。
  • MEMS晶圓是怎麼切割的?用高速砂輪刀片?NO,NO
    基於這樣的特點，MEMS晶圓的劃片方法不同於典型IC的劃片。典型IC砂輪劃片是通過砂輪刀片高速旋轉來完成材料的去除，從而實現晶片切割。由於刀片的高速旋轉，往往需要使用純水進行冷卻和衝洗，那麼刀片高速旋轉產生的壓力和扭力，純水的衝洗產生的衝擊力以及切割下來的Si屑造成的汙染都容易對MEMS晶片中機械微結構造成不可逆的破壞。所以典型IC的砂輪劃片不適用MEMS晶圓的劃片。
  • 晶圓劃片刀技術市場分析!晶圓劃片刀產品市場現狀和發展預測
    一、對外投資概述  在半導體晶圓封裝前期工作中，劃片刀（dicing blade）是用來切割晶圓， 製造晶片的重要工具，它對於晶片的質量和壽命有直接的影響。高端劃片刀幾乎 被國外生產廠家所控制，隨著國內半導體集成電路和器件市場的不斷增長，半導 體封裝劃片刀嚴重依賴國外進口的局面必須得到改變，我國必須擁有屬於自己的 產品。
  • 格芯與環球晶圓達成12英寸SOI晶圓合作協議 將用於RF射頻晶片
    日前Globalfoundries格芯宣布與全球第三大矽晶圓供應商環球晶圓籤署合作備忘錄，雙方未來將進一步合作，由環球晶圓為格芯供應12英寸的SOI晶圓。環球晶圓目前已經有研發、生產8英寸SOI晶圓，這次合作為雙方合作開發、供應12英寸SOI晶圓鋪平了道路，格芯有望獲得穩定的12英寸SOI晶圓。SOI是什麼？它的全稱是Silicon-On-Insulator，也就是絕緣體上矽，在矽晶圓基體與襯底之間加了絕緣層，隔離開來，最早是IBM開發的，也是IBM的特色工藝技術之一。
  • 臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
    宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節點high-k 閘極介電層量產製程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/94073.htm　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行製程開發活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節點開發計劃提供額外的 Pulsar 製程模塊。
  • AMAT發布矽晶圓切割線鋸新品
    美國應用材料(AMAT)發布了可從矽錠上切出120μm厚太陽能電池用晶圓的線鋸設備「Applied HCT MaxEdge」。
  • 宜特晶圓:成功開發晶圓減薄達1.5mil(38um)技術
    打開APP 宜特晶圓：成功開發晶圓減薄達1.5mil（38um）技術 美通社 發表於 2021-01-07 18:03:20 隨
  • 半導體Si、SiC晶圓雷射改質切割工藝技術方案
    特別針對半導體行業中晶圓片對加工過程潔淨度高要求的需求，我們提出雷射改質切割技術。 2、改質切割加工原理雷射改質切割是使用特定波長的雷射束通過透鏡聚焦在晶圓內部，產生局部形變層即改質層，該層主要是由孔洞、高位錯密度層以及裂紋組成。
  • 利用基於仿真的掩模缺陷鑑定工具縮短晶圓代工廠的周轉時間
    掩模製造商和晶圓廠可以自行嘗試解決這些問題，但如果沒有一種高效管用的工具來幫助評估亞波長光刻的效果，它們很難成功。          一種全新的方法          UMC很早就明白，解決這個問題需要一種全新的方法。為了加強與其供應商之間的聯繫並精簡其光罩過程，UMC與Numerical開展合作以共同確定一種基於仿真的掩模缺陷鑑定方法。
  • 晶圓和晶片的關係_一個晶片有多少晶圓
    目前業界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等於305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
  • 湘東JQD-10/1000氣動帶式鋸風動線鋸井下切割工具
    湘東JQD-10/1000氣動帶式鋸風動線鋸井下切割工具型號切割寬度切割厚度功率耗氣量額外轉速鋸片速度重量120型120mm0-30mm0.5kw2.0M3 /min3200r/min60m/min6kg