發表於 2017-12-07 16:10:01
晶片是由N多個半導體器件組成 半導體一般有 二極體 三極體 場效應管 小功率電阻 電感 電容等等。
就是在圓井中使用技術手段 改變 原子核的自由電子濃度改變原子多子(電子)或少子(空穴)是原子核產生正電荷或負電荷的物理特性 構成各種半導體。
矽 鍺 是常用的半導體材料 他們的特性及材質是容易大量並且成本低廉使用於上述技術的材料。
一個矽片中就是大量的半導體器件組成 當然功能就是按需要將半導體組成電路而存在於矽片內 封裝後就是IC了 集成電路。
這個要根據你的die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。
目前業界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱,只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm,300mm以及450mm這三種,而12吋約等於305mm,為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
國際上Fab廠通用的計算公式:
聰明的讀者們一定有發現公式中 π*(晶圓直徑/2)的平方 不就是圓面積的式子嗎?再將公式化簡的話就會變成:
X就是所謂的晶圓可切割晶片數(dpw die per wafer)。
那麼要來考考各位的計算能力了育!
假設12吋晶圓每片造價5000美金,那麼NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公釐,在良率50%的情況下,平均每顆成本是多少美金?
答案:USD.87.72
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科普:wafer die chip的區別
我們先從一片完整的晶圓(Wafer)說起:
一塊完整的wafer
名詞解釋:wafer 即為圖片所示的晶圓,由純矽(Si)構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等,晶片就是基於這個wafer上生產出來的。Wafer上的一個小塊,就是一個晶片晶圓體,學名die,封裝後就成為一個顆粒。一片載有Nand Flash晶圓的wafer,wafer首先經過切割,然後測試,將完好的、穩定的、足容量的die取下,封裝形成日常所見的Nand Flash晶片。那麼,在wafer上剩餘的,要不就是不穩定,要不就是部分損壞所以不足容量,要不就是完全損壞。原廠考慮到質量保證,會將這種die宣布死亡,嚴格定義為廢品全部報廢處理。
die和wafer的關係
品質合格的die切割下去後,原來的晶圓就成了下圖的樣子,就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。
篩選後的wafer
這些殘餘的die,其實是品質不合格的晶圓。被摳走的部分,也就是黑色的部分,是合格的die,會被原廠封裝製作為成品NAND顆粒,而不合格的部分,也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。
晶圓尺寸發展歷史(預估)
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