1、MOSFET 簡介
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬-氧化物半導體場效應電晶體，廣泛使用在模擬電路與數字電路。
分類按照溝道類型分為NMOS和PMOS。根據場效應原理的不同，又分為耗盡型和增強型。
按照工藝和技術要求，又分為平面MOS和超結MOS。
由於工藝的問題，MOS的內部會寄生一個二極體，有的場合不需要這個二極體，但是在有的應用上，比如LLC電路，則對寄生的二極體提出了很高的要求。
封裝
MOS的封裝主要有TO220，TO220F，TO-263，TO252.
其晶圓的大小和參數是一樣的，但是由於封裝的不同，造成散熱能力不同，也就是過電流能力的不同。
與封裝有關的參數見下表：
AOT380A60L是TO220封裝，AOTF380A60L是TO220F封裝，雖然晶圓一樣，但是TO220封裝的耗散功率和Rθjc參數就要比TO220F好很多。但是由於TO220F封裝是塑封的，在用到散熱片的情況下，不需要絕緣墊片，加工工藝就簡單得多，且更加可靠。
主要參數解析
2、MOSFET的在power的應用
TV power的功率範圍主要集中在40W到300W之間。根據功率數和實際的應用，分為以下方案：
75W以下power，不需要PFC，主要方案是Flyback (反激)。Flyback方案對MOSFET參數要求不高，主要參數：a）MOSFET的Vdss，漏級電壓
對於寬範圍輸入電壓90V-264V，如果用600V的MOSFET就要求佔空比要小，同時變壓器設計時注意MOSFET關斷時的震蕩（一般要增加RCD吸收電路），電壓的尖峰要小，再加上短路時尖峰還要高，所以600V的MOSFET餘量就比較小了。所以很多客戶要求用650V甚至700V的MOSFET，為的就是增加設計餘量。
b）Id ，漏源級電流，由Rdson (導通電阻)計算而得
在這裡主要看兩種情況，一個是衝擊電流，雖然規格書上要求只要MOSFET結溫不超過要求就行，但是一般還是要求不能大於MOSFET的額定電流。在這裡一定注意變壓器的設計，在任何情況下不能飽和（一般從電流的波形上就可以看出），飽和的結果就是MOS損壞。見下圖，紅圈內的電流波形，其斜率發生變化，已經飽和。這時正常工作時的波形，開機時應該更嚴重。
c） 溫升
衡量一個MOS是否工作在安全區域的一個重要指標就是溫升，無論在什麼情況下，都要保證晶圓的結溫工作在安全溫度之下，一般在150°C。
但實際上，結溫是測試不到的，那就需要測試表面溫度，然後根據Rθjc的數值，計算出此時大約的結溫。
同一個MOSFET，在不同的條件下，可以輸出不同的功率，主要原因就是溫升的控制，也就是散熱條件的好壞。
d）驅動
對於驅動，最簡單的就是一個驅動電阻，但是一般同時要求關斷時要增加柵極的放電速度。所以用一個相對較大的驅動電阻，一個相對較小的放電電阻。
這裡要注意，驅動電阻的大小要根據實際MOSFET的要求來選用，每個MOSFET的開關速度，輸入電容，柵極電荷都不一樣，所以要選用MOSFET推薦範圍內的驅動電阻，如果太小工作波形可能會震蕩。在這個範圍內，驅動電阻的大小就要根據實際情況來選，小的電阻意味著高的效率，但是可能有較差的EMC，這就是個平衡的問題，需要在中間選個平衡點。
75W以上的power，要求增加PFC電路。因為Vbus的限制和整體的考慮，Vbus一般在380V到390V之間。一般選用600V MOSFET。PFC電路實際就是一個Boost升壓電路。現在一般的方案用的是CRM（臨界模式）和CCM（連續模式）。對於TV power，CRM可以滿足要求，而且對升壓二極體要求較低。就應用而講，PFC MOSFET和Flyback的要求差不多，普通的MOSFET就可以，當然了，超結MOS有更低的Rdson和Qg，溫升和效率的表現更好些。
測試MOS電流的時候，也要注意PFC電感的飽和問題。
LLC電路 考慮效率和成本的因素，LLC電路得到了廣泛的應用。
LLC電路就對MOSFET有了一定的要求，尤其是寄生的體二極體。
上面的圖給出了啟動時功率MOSFET前五個開關波形。在變換器啟動開始前，諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況相比，在啟動過程中，這些空電容會使低端開關Q2的體二極體深度導通。因此流經開關Q2體二極體的反向恢復電流非常高，致使當高端開關Q1導通時足夠引起直通問題。啟動狀態下，在體二極體反向恢復時，非常可能發生功率MOSFET的潛在失效。
體二極體反向恢復時：
二極體由通態到反向阻斷狀態的開關過程稱為反向恢復。圖給出了MOSFET體二極體反向恢復的波形。首先體二極體正嚮導通，持續一段時間。這個時段中，二極體P-N結積累電荷。當反向電壓加到二極體兩端時，釋放儲存的電荷，回到阻斷狀態。
釋放儲存電荷時會出現以下兩種現象：流過一個大的反向電流和重構。在該過程中，大的反向恢復電流流過MOSFET的體二極體，是因為MOSFET的導通溝道已經切斷。一些反向恢復電流從N+源下流過。這就造成兩個問題，一個是衝擊電流過大，超過MOSFET承受能力，一個是形成熱點，反覆發熱超過結溫，最終造成MOSFET擊穿損壞。