Hi-Fi界有一句至理名言,就是「簡潔至上」。這就是說,假如能用一個元件或器件做成的電路,就儘量不用兩個。電子電路中常用的電子元件有電阻、電容、電感等,常用的電子器件有二極體、三極體及集成電路等。電阻、電容都屬於線性元件,在放大電路中可以認為不會因它們而產生非線性失真。但是,目前用於放大的電子器件,不論是電子管、電晶體,還是集成電路,統統都是非線性器件,它們是放大電路中產生非線性失真的根源。因此,在放大電路中應儘量少用管子。要做到這一點也並非容易,所以通常所見到的放大電路都比較複雜。要想「簡潔」,必須解決兩個問題:一是放大倍數要足夠大,至少應該在接CD機時能夠達到額定的輸出功率;二是非線性失真要儘量小些,在不加負反饋或只加少量的負反饋時,諧波失真係數能夠達到Hi-Fi要求。
電路結構與特點
該電晶體甲類音頻功率放大器電路及電源電路如圖1所示。這一功放電路具有高達15W的有效值輸出功率,它只用兩隻電晶體,並把它們直接相連,複合成一隻高跨導的功率場效應電晶體。這是筆者受到絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)的啟發偶爾想到的。IGBT是一種新型半導體功率器件,已成功地應用於高頻開關電源中,近幾年在高保真聲頻功率放大器中也常見到它的蹤影。它兼有雙極型電晶體(即普通PNP、NPN電晶體)和單極型電晶體(即場效應管)兩者的優點,但沒有兩者各自的缺點,所以應用前景非常廣闊。普通電晶體的飽和壓降小,但開關速度慢,而且是正溫度係數。場效應管不需要輸入電流,開關速度快,具有負的溫度係數,但是導通電阻較大。IGBT的等效電路如圖2所示,圖中(a)示出了由P溝道場效應管和NPN型電晶體複合而成的IGBT等效電路,(b)示出了由N溝道場效應管和PNP型電晶體複合而成的IGBT等效電路。由於目前的IGBT主要設計目的是用於開關電路而不是線性放大電路,所以其輸出特性曲線的線性不太好。筆者採用了一隻性能優良的日立名管2SJ77與一隻國產大功率電晶體3DD9按IGBT結構複合成輸出管。2SJ77(互補管為2SK214)是專門設計用於線性放大的中功率MOSFET,在高保真功率放大器中常用作推動管,口碑頗好。其跨導高達40mA/V(或40mS),輸入電容CIS為90pF,還不到大功率場效應管2SJ49(2SK134)輸入電容的六分之一。
這種複合方式有以下顯著優點:(1)具有極高的跨導,可產生足夠的電壓增益。2SJ77的跨導為40mA/V。因為VT1的漏極直接接到了VT2的基極,所以VT2的發射極電流就是VT1漏極電流的(β+1)倍。如果VT2的電流放大係數β為50,則這隻複合管的跨導就是2000mS。這就是說,場效應管VT1的跨導被VT2放大了大約β倍。在圖1所示電路中3DD9的β選為40。當R3短路、R4開路時的開環電壓放大倍數為60。負載為8Ω時最大輸出功率為15W,可計算出所需輸入電壓的有效值約為0.18V。當R3=51Ω,R4開路時的電壓放大倍數約為30,這就是說,R3產生了-6dB的負反饋。當R3=51Ω,R4=2kΩ時的總電壓放大倍數為15,總負反饋量為-12dB。其中R3產生的反饋為電流串聯負反饋,R4產生的反饋為電壓串聯負反饋,各為-6dB。(2)VT1對於VT2來說為電流驅動,VT2的基極電流就是VT1的漏極電流,因此可避免雙極型電晶體VT2產生奇次諧波失真。場效應管的柵源電壓UGS與其漏極電流ID為平方關係,雖然不是線性關係,但理論上只會產生二次諧波失真。而雙極型電晶體的基射電壓UBE與其集電極電流IC為指數關係,如果採用電壓源激勵,就會同時產生奇次和偶次諧波失真。但是如果採用電流驅動,則集電極電流IC與基射電壓UBE無關,就可避免奇次諧波失真的產生。該功率放大器的音色醇厚而溫暖,頗有膽機的味道,其原因可能就在於此。(3)複合管的輸出管VT2的集電極直接接地,因此與散熱器之間不必加絕緣墊,有利於減小熱阻,這對於產生熱量較大的甲類功放更顯得必要。實際安裝時,應將2SJ77靠近3DD9,目的是產生熱耦合,利用MOS型場效應管的負溫度係數改善整個放大電路的溫度特性。如果不加負反饋,則2SJ77也可以不加絕緣墊,因為它的源極(即中間的管腳)正好為外殼。(4)這種複合管比目前IGBT管線性好,並且價格低。
該功放大器電路的偏置電路利用發光二極體作為偏壓穩定,在電源電壓發生波動時,可保持靜態電流基本不變。
電源電路採用扼流圈輸入式倒L型濾波電路,輸出直流電壓約為電源變器次級電壓有效值的0.9倍。濾波電感器要求電感量大於1H,電流大於1.5A。如果感到扼流圈不便於自製與安裝,也可以採用圖3所示的穩壓電源供電。因為單端放大電路對電源紋波沒有抑制作用,所以如果不用扼流圈或穩壓電源而僅靠電容濾波,則即使電容用到20000μF時,也仍有幾十毫伏的交流聲。
圖1所示電路中的VT1與VT2,如改用MJ29585與2SK214,則輸出功率為10W。需注意的是複合後管子屬於N溝道的IGBT,故電源與電路中有極性的元器件與組件的極性都要反過來。
安裝、調試與技術指標
1.元器件的選擇 輸出管VT2選用國產的3DD9(F-3型金屬封裝),也可使用2SC2922等大功率管,但要求左右聲道兩隻管儘量做到特性一致。最好用電晶體特性圖示儀測試,挑選線性較好(即曲線間隔均勻)的管子,但應該注意測試條件要儘量接近實際工作狀態。正宗的進口管線性較好,一致性也較佳。而國產管的離散性較大,需要耐心挑選。還要特別注意該電晶體基極開路時的集射極間最高反向擊穿電壓,這一電壓應大於電源電壓的三倍以上(即不低於160V),並要留有一定的裕量。否則當揚聲器開路時,輸出變壓器產生的感應電壓容易將管子擊穿。
當VT2的電流放大係數為40,集電極靜態電流為0.7A時,基極電流約為17.5mA,它等於VT1的漏極電流。為了使VT1的靜態工作電流不致於太小而進入非線性區,VT2的電流放大係數就不能太大。例如,若選VT2的電流放大係數為100,則VT1的漏極電流僅為7mA就可以使VT2的集電極電流達到0.7A。常見進口大功率管(如三肯的2SC2922,東芝的2SC3281等)的β值一般都在90以上,故VT2選用國產的3DD9。國產的3DF10C採用F-4型金屬封裝,也很不錯。
推動管VT1選用2SJ77,也需要在接近實際工作狀態的條件下進行挑選配對。2SJ77的挑選配對工作可採用圖4所示的電路來進行。,圖中6V電源可採用4節1號乾電池。調節1kΩ電位器使100Ω電阻上的電壓為1.75V,此時漏極電流即為17.5mA。再用數字萬用表測量並記錄此時柵極對源極的直流電壓UGS,挑選兩隻UGS相近的管子即可。如果要測量2SK214,則別忘了把電源極性反過來。MOS型場效應管比較嬌氣,所以用電晶體特性圖示儀測試時,要特別謹慎,以免接地不良將管子擊穿損壞。
電源變壓器的功率容量應不小於150VA,次級額定電流不應低於2A。
輸出變壓器的製作工藝比膽機要求簡單得多。要求初級阻抗為72Ω,如果次級負載阻抗為8Ω,則初次級的匝數比為3∶1。該功率放大器所用輸出變壓器是在定州飛達電子廠定做的,也可以參照有關資料自己製作。
穩壓電源中的調整管採用了國產鍺電晶體3AD30C,要求其電流放大係數不低於70。穩壓電路雖然為集電極輸出電路,但由於鍺管的穿透電流比較大,故可不必另外設置啟動電路。調整管的集電極也可以直接接地。穩壓二極體採用μ574,是彩電中專門用於穩定高頻頭調諧電壓的集成電路,效果很好。同時還要調整取樣電阻,使輸出電壓為+38V,電源變壓器的次
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