光刻機是晶片生產製造的必要設備，目前，最先進的光刻機技術掌握在ASML手中。
數據顯示，ASML研發生產的DUV光刻機，能夠生產7nm以上的晶片，而EUV光刻機則能夠生產製造7nm以下的晶片，兩款光刻機幾乎佔領了中高端市場。
最主要的是，EUV光刻機是生產7nm以下晶片的必要設備，所以，臺積電才大量安裝EUV光刻機，預計在2021年安裝超過50臺。
另外，三星也加入其中，李在鎔更是親自前往ASML，協商購買更多的EUV光刻機，目的就是提升先進位程晶片的產能和良品率。
但沒有想到的是，就在三星、臺積電等都大量爭奪EUV光刻機之際，ASML卻正式官宣了1nm的光刻機相關情況。
據悉，生產7nm、5nm、3nm等晶片，EUV光刻機是完全可以滿足需求，但生產2nm以後的晶片，則需要更為先進的光刻機——NA EUV光刻機。
數據顯示，對於2nm以後的超精細工藝，需要實現更高的解析度和更高的光刻設備NA（NA=0.55）。目前，7nm、5nm等則是採用了NA=0.33 EUV光刻設備。
據IMEC介紹，ASML已經完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統的基本設計，但商業化計劃在2022年左右。
但這套下一代系統將因其巨大的光學系統而變得非常高大，很有可能頂在傳統潔淨室的天花板下。
也就是說，ASML有望在2022年推出NA EUV光刻機，其可以用以生產2nm以下的晶片，像1nm、亞1nm的晶片。
面對這樣的這樣情況，只能說這來得太快了。
因為臺積電、三星等廠商，都是在2017年或者2018年開始安裝並使用EUV光刻機，無論是麒麟990處理器還是蘋果的A13處理器，都是首次採用7nm EUV工藝。
另外，三星和臺積電都是在2020年推出了5nm的晶片工藝，預計在2021年將會有4nm的晶片和風險試產的3nm的晶片，2022年將會大量的3nm晶片上市。
如今，ASML正式官宣了適用於生產2nm以下晶片的光刻機，並將會在2022年開展商業計劃。
這就意味著，2024年，臺積電、三星等廠商就能夠用NA EUV光刻機生產2nm的晶片。
要知道，臺積電原本就計劃在2024年生產2nm的晶片，屆時，NA EUV光刻機出現後，而EUV光刻機可能就會被逐漸淘汰了。
短短幾年時間，EUV光刻機就將被全新的NA EUV光刻機所替代，所以才說這來得太快。
當然，ASML技術發展越快，對於國內廠商而言，好處也是多多。
首先，ASML已經多次表態，其可以向國內廠商出售DUV光刻機，一般情況是不需要許可的，而ASML也表示將加速在國內市場的布局。
但由於美國修改規則，EUV光刻機是無法向國內廠商出售的，畢竟其目前最先進的光刻機，但NA EUV光刻機商業投用後，ASML很大可能就能夠向國內廠商出售EUV光刻機了。
因為那時候最先進的光刻機是NA EUV光刻機，按照目前的情況下，只要不是出售最先進的光刻機，ASML應該都能夠實現自由出貨。
其次，ASML不斷研發，這也是等於探路，畢竟摩爾定律正在逐漸失效，邏輯面積越小的晶片就越難以生產。
雖然ASML表示NA EUV光刻機可以實現1nm或者亞1nm的製程，但其還表示，我們將努力實現環境友好、適合可持續發展社會的微處理器。
簡單說就是，1nm以及亞1nm的晶片或將極限，未來晶片將朝著光電晶片的發展方向。
更何況，日本眾多光刻工具廠商紛紛退出EUV光刻開發階段，這是告訴國內廠商，矽晶片很快就將到達極限，轉型研發光電晶片才是未來趨勢。
否則，華為也不會投資近百億元，在英國建設海外業務總部，用於研發光電晶片等。
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