摘要：文中通過熱阻的測試原理分析和實際案例，分別從熱阻測試條件、控制限、上芯空洞、傾斜、晶片內阻等幾個方面，全面地闡述對熱阻測試結果的影響，並通過數據統計形成圖表，較為直觀明了，總結出熱阻測試失效的各種可能原因。
關鍵詞：熱阻；功率電流；測量電流；錫層厚度
隨著電子行業的不斷發展，半導體分立器件的功率越來越大，使得產品的耗散功率增大。同時由於成本控制的原因，晶片和成品的尺寸都在不斷的縮小，在一定程度上又限制了產品的散熱。這就造成了產品存測試過程中，經常發生熱阻不良。本文重點閘述了熱阻測試原理和各類失效模式，並結合實際案例進行了詳細的分析。
1 熱阻概念及測試原理
1．1 熱阻概念及作用
熱阻是依據半導體器件PN結在指定電流下兩端的電壓隨溫度變化而變化為測試原理，來測試功率半導體器件的熱穩定性或封裝等的散熱特性，通過給被測功率器件施加指定功率、指定時間PN結兩端的電壓變化(△VBE／△VF／△VGK／△VT／△VDS)作為被測器件的散熱判據。並與指定規範值比較，根據測試結果進行篩選，將散熱性差的產品篩選掉，避免散熱性差的產品在應用過程中，因溫升過高導致失效。各類產品的熱阻名稱見表1。
1．2 熱阻測試原理
熱阻測試儀配有接觸檢測和震蕩探測功能，以防止接觸不良和震蕩造成的溫度測量錯誤，提高了測試儀的穩定性。測試儀提供手動和自動測試，可測量瞬態熱阻，存恆溫槽的配合下，也可測量功率器件的穩態熱阻，通過輸入一個溫度係數到測試儀，也可顯示結點升高的溫度。
下面以NXP雙向可控矽BT137—600產品為例，詳細說明熱阻測試原理。
雙向品閘管需要測試笫一象限△VT1和第三象限△VT3，測試條件相同，如表2所示。
其中，IF：施加功率電流；IG：門極觸發電流；IM：測最電流；PT：施加功率時間；DT：冷卻時間：LOWER LIMIT：規範下限；UPPER
LIMIT：規範上限。
測試電路如圖1所示，測試時序如圖2所示。
2 熱阻失效分析
2．1 產品截面圖
產品截面如圖3所示。從產品截面圖中，標識的散熱主要方向是從晶片發熱區，經過上芯錫層，再通過框架載芯板／散熱板，散發到測試環境中。