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- 原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。圖 1. 原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術節點的每次進步都要求對製造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個矽原子稍大一點。半導體製造已經跨越了從納米級到原子級工藝的門檻。工程師現在必須關注結構的尺寸變化，僅相當於幾個原子大小。由於多重圖案模式等複雜集成增加了工藝數量，進一步限制了每個步驟允許的變化。3D N
- 關鍵字： ALE ALD CER EPE SAC CAR
- 近日，由北方華創下屬子公司北方華創微電子自主研發的國內首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設備進駐上海集成電路研發中心。北方華創微電子為國產高端裝備在先進集成電路晶片生產線的應用再添新秀。 ALD設備是先進集成電路製造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優點。在集成電路特徵線寬發展到28納米節點後，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創微電子自2014年開始布局ALD設備的開發計劃，歷時四年，成功推出中國首臺應
- 關鍵字： ALD 集成電路
- 由於低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層澱積）技術早從21世紀初即開始應用於半導體加工製造。DRAM電容的高k介電質沉積率先採用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
- 關鍵字： ALD 半導體製造 FinFET PVD CVD
- 液化空氣集團電子氣業務線近日宣布，其應用於半導體製造的前驅體ZyALD已獲得中國專利局授予的相關專利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之後又一獲得該項專利的國家。此外，相關專利的申請工作在其他國家及地區也預期順利。ZyALD及其它類似分子應用於高介電常數沉積鍍膜，該工藝目前已在全球範圍內獲得11項專利，另有13項專利正在申請中。 ZyALD是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在半導體製造工藝中，實現高溫條
- 關鍵字： 液化空氣 ZyALD ALD
- 半導體產業正在轉換到3D結構，進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關鍵元件參數對後閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米製程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術在先進半導
- 關鍵字： 半導體 FinFET ALD
- 摘要：闡述原子層沉積系統(ALD)中射頻阻抗匹配器的設計方案。利用ADS軟體對阻抗匹配網絡進行仿真，通過分析ALD真空腔室內等離子體產生前後的負載阻抗變化，結合仿真結果，提出等離子體產生過程中阻抗匹配網絡的控制方
- 關鍵字： 設計 研究 匹配 阻抗 射頻 ALD
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