OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷

2020-11-30 電子產品世界

　　英飛凌科技股份公司發布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產品組合。該產品家族進一步壯大了行業領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優化器等系統解決方案的重要組成部分之一。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201610/311550.htm

　　更環保的技術

　　英飛凌堅持不懈地研發適用於高能效設計的產品，以幫助減少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助於實現這一目標，它可以降低電信設備能耗，或者改善電動汽車的功率和續航裡程。

　　與它的下一代最佳替代產品相比，採用SuperSO8封裝的OptiMOS™ 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。在導通電阻相同的情況下，該產品家族的FOMg比上一代產品優化了高達29%。超低Qrr——比採用它的下一代最佳替代產品SuperSO8低72%——增強了通流耐受性。該產品家族的另一個傑出特性是其更出色的EMI性能。

　　

 

　　

 

　　

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