簡單介紹光電探測器的應用及其工作原理

光電探測器是一種能夠將光輻射轉換成電量的一個器件，它利用這個特性可以進行顯示及控制的功能。光探測器可以代替人眼，而且由於具有光譜響應範圍寬的特點，光探測器亦是人眼的一個延伸。光電探測器利用被照射材料由於輻射的關係電導率發生改變的物理特點，它的用途比較廣泛，主要應用在軍事及國名經濟的各個領域上。光電探測器的應用有哪些？光電探測器在紅外波段中的應用主要在紅外熱成像、飛彈製造及紅外遙感等一些方面;在可見光或近紅外波段中的應用主要在在工業自動控制、光度計量及射線測量和探測等方面。那麼究竟光電探測器的應用有哪些？接下來小編將會為您詳細的介紹這方面的知識，相信一定會幫助您更好的了解相關知識。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/168157.htm

光電探測器，從其字面意思來看，相信大家都能猜到，這種探測器能夠將光信號轉化為電信號。光電探測器的分類有好多種，根據器件工作原理的不同或者根據器件對輻射響應方式的不同，光電探測器一般分為兩大類，一種是熱探測器，還有一種是光子探測器。

光電探測器的工作原理

光電探測器的工作原理是基於光電效應，熱探測器基於材料吸收了光輻射能量後溫度升高，從而改變了它的電學性能，它區別於光子探測器的最大特點是對光輻射的波長無選擇性。

光電導器件：利用具有光電導效應的半導體材料做成的光電探測器稱為光電導器件，通常叫做光敏電阻。在可見光波段和大氣透過的幾個窗口，即近紅外、中紅外和遠紅外波段，都有適用的光敏電阻。光敏電阻被廣泛地用於光電自動探測系統、光電跟蹤系統、飛彈制導、紅外光譜系統等。

光電子發射器件：光電管與光電倍增管是典型的光電子發射型(外光電效應)探測器件。其主要特點是靈敏度高，穩定性好，響應速度快和噪聲小，是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益，特別適於探測微弱光信號;但它結構複雜，工作電壓高，體積較大。光電倍增管一般用於測弱輻射而且響應速度要求較高的場合，如人造衛星的雷射測距儀、光雷達等。

硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻是可見光波段用得最多的兩種光敏電阻;硫化鉛PbS光敏電阻是工作於大氣第一個紅外透過窗口的主要光敏電阻，室溫工作的PbS光敏電阻響應波長範圍1。0～3。5微米，峰值響應波長2。4微米左右;銻化銦InSb光敏電阻主要用於探測大氣第二個紅外透過窗口，其響應波長3～5μm;碲鎘汞器件的光譜響應在8～14微米，其峰值波長為10。6微米，與CO2雷射器的雷射波長相匹配，用於探測大氣第三個窗口(8～14微米)°

光電探測器的應用

photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應製成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用於射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等;在紅外波段主要用於飛彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可採取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。

1873年，英國W。史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處於探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以後，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。

60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研製成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge：Au(鍺摻金)和Ge：Hg光電導探測器。60年代末以後，HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。

當照射的光子能量hv等於或大於半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對，這就是本徵光電導效應。這裡h是普朗克常數，v是光子頻率，Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏)。因此，本徵光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1。24/Eg(μm)式中c為光速。本徵光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒有研製出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本徵光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級，照射的光子能量只要等於或大於雜質能級的離化能，就能夠產生光生自由電子或自由空穴。非本徵光電導體的響應長波限λ由下式求得λc=1。24/Ei式中Ei代表雜質能級的離化能。

到60年代中後期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導體材料研製成功，並進入實用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0。2的HG0。8Cd0。2Te材料，可以製成響應波長為8～14微米大氣窗口的紅外探測器。它與工作在同樣波段的Ge：Hg探測器相比有如下優點：

工作溫度高(高於77K)，使用方便，而Ge：Hg工作溫度為38K;本徵吸收係數大，樣品尺寸小;易於製造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。

通常，凡禁帶寬度或雜質離化能合適的半導體材料都具有光電效應。但是製造實用性器件還要考慮性能、工藝、價格等因素。常用的光電導探測器材料在射線和可見光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近紅外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0。75Cd0。25Te等;在長於8微米波段有：Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si摻雜、Ge摻雜等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式製成光電導探測器。

可見光波段的光電導探測器CdS、CdSe、CdTe的響應波段都在可見光或近紅外區域，通常稱為光敏電阻。它們具有很寬的禁帶寬度(遠大於1電子伏)，可以在室溫下工作，因此器件結構比較簡單，一般採用半密封式的膠木外殼，前面加一透光窗口，後面引出兩根管腳作為電極。高溫、高溼環境應用的光電導探測器可採用金屬全密封型結構，玻璃窗口與可伐金屬外殼熔封。

器件靈敏度用一定偏壓下每流明輻照所產生的光電流的大小來表示。例如一種CdS光敏電阻，當偏壓為70伏時，暗電流為10-6～10-8安，光照靈敏度為3～10安/流明。CdSe光敏電阻的靈敏度一般比CdS高。