12月7日，據俄塔斯社報導，中國科學院在近日的石墨烯創新大會上正式展示8英寸石墨烯晶圓，且中科院研發團隊表示，我國研製的石墨烯晶圓的尺寸和質量均處世界頂級水平，將會是我國集成電路領域實現彎道超車的一個機會。
對於我國科學家在石墨烯取得的成績，在科學界引發了一股議論狂潮，不少科學家表示，碳基晶片的時代即將到來，甚至一些美國科學家表示，用不了多久，美方將再也無法在晶片上制裁中方高新科技企業！
那麼，石墨烯會是成為中國芯實現彎道超車的一個契機嗎？首先，我們先詳細地了解一下石墨烯。
2004年，英國曼徹斯特大學的安德烈蓋姆和康斯坦丁·諾沃消洛夫這兩位科學家在研究石墨的時候，發現用高定向熱解的方法，可以從石墨中剝離出更加單薄的石墨片，反覆這樣的操作，可以分解出僅有一層原子構成的石墨片，也就是我們今天所要了解的對象「石墨烯」！
在發現石墨烯之前，物理學家一直認為，在特定溫度下，二維材料是不存在的，也就是我們平時所說的單層材料，這兩位科學家的這一重大發現，為物理學家們打開了一座新的大門，他們也因此獲得了2010年諾貝爾物理學獎。
隨著物理學家們對石墨烯的深入研發，發現其具有良好的機械強度、拉伸性、導電性、導熱性等特點，可廣泛用於軍工、民生、醫藥等領域，尤其是非常適合用於集成電路等產品。
眾所知周，現在的晶片使用的矽基材料，晶片製造工藝已經達到了5nm級，兩三年後，就會有3nm、1nm晶片問世，但是，儘管晶片製造工藝越來越先進，集成電路的密度越來越大，但是他依然面臨一個難題，那就是散熱！
想必手遊愛好者都遇到這個尷尬的問題，在與朋友連線正興奮的時候，手機溫度突然升高，遊戲畫面不再那麼流暢，很是影響遊戲效果。之所以會出現這個問題，就是矽基晶片散熱性能不夠優秀，導致晶片溫度過高，影響計算效率！
相比於矽基材料，碳基材料有一個先天優勢，散熱性好，可以容納更多的集成線路，如果使用碳基材料製造晶片，則可以很好的解決矽基晶片所遇到的難題，從而提升晶片運算效率！
那麼，說了那麼多，碳基晶片是否能成為我國晶片行業的一個轉機呢？但是肯定的，是我國晶片的一個轉機，但是這個轉機還需要幾十年的時間才能被我們抓住！
雖然我國已經研製出8英寸石墨烯晶圓，但是距離商用還有很大的一段距離，因為就目前的石墨烯製造方法而言，還很落後，還有很多的技術難關去突破，在徹底解決石墨烯製造工藝之前，我們很難製造出碳基晶片！
但是，筆者堅信，在我國充滿智慧科學家的努力下，我們會在碳基材料上不斷取得重大突破，為我國的碳基晶片打下牢固的基礎。
一旦我國成功製造出第一枚碳基晶片，勢必會改變晶片市場格局，我國高新科技企業將再也不懼任何打壓！