高隔離度、矽SPDT、非反射開關,9 kHz至13.0 GHz

　　產品特性

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201608/295978.htm

　　非反射式50 Ω設計

　　正控制電壓： 0 V/3.3 V

　　低插入損耗： 0.68 dB (8.0 GHz)

　　高隔離度： 48 dB (8.0 GHz)

　　高功率處理

　　35 dBm(通過路徑)

　　27 dBm(端接路徑)

　　高線性度

　　1 dB壓縮(P1dB)： 37 dBm(典型值)

　　輸入三階交調截點(IIP3)： 62 dBm(典型值)

　　ESD額定值： 2 kV人體模型(HBM)

　　3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝

　　無低頻雜散

　　建立時間(最終RFOUT的0.05 dB裕量)： 7.5 µs

　　應用

　　測試儀器儀表

　　微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

　　軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)

　　光纖和寬帶電信

　　功能框圖

　　概述

　　HMC1118是一款通用、寬帶、非反射式單刀雙擲(SPDT)開關晶片，採用LFCSP表貼封裝。 該開關頻率範圍為9 kHz至13.0 GHz，具有高隔離度和低插入損耗。 該開關具有48 dB以上的隔離性能，8.0 GHz及以下頻率時的插入損耗為0.68 dB，最終RFOUT的0.05 dB裕量的建立時間為7.5 us。 該開關採用+3.3和0 V的正控制電壓邏輯線路工作，需要+3.3 V和−2.5 V電源供電。 僅施加一個正電源電壓而負電源電壓(VSS)接地時，HMC1118的工作頻率範圍不變，並且仍能保持良好的功率處理性能。 HMC1118採用3 mm × 3 mm表貼LFCSP封裝。

　　技術規格

　　電氣規格

　　除非另有說明，VCTRL = 0 V/3.3 V dc，VDD = LS = 3.3 V dc，VSS = −2.5 V dc，TA = 25°C，50 Ω系統。

　　表1

　　數字控制電壓

　　除非領域說明，VDD = 3.3 V ± 10%，VSS = −2.5 V ± 10%，TCASE = −40°C至+85°C。

　　表2

　　偏置和電源電流

　　表3

　　絕對最大額定值

　　表4

　　注意，等於或超出上述絕對最大額定值可能會導致產品永久性損壞。 這只是額定最值，並不能以這些條件或者在任何其它超出本技術規範操作章節中所示規格的條件下，推斷產品能否正常工作。 長期在超出最大額定值條件下工作會影響產品的可靠性。

　　圖2. 功率減額(通過路徑)

　　圖3. 功率減額(通過路徑，低頻細節)

　　圖4. 功率減額(熱切換功率)

　　ESD警告