網絡整理 發表於 2020-04-08 17:28:33
氮化鎵是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸鹼、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用於新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信,被譽為第三代半導體材料。隨著技術突破成本得到控制,目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領域,充電器便是其中一項。
我們知道,目前大部分行業的基礎材料是矽,從電子行業看矽是非常重要的材料。但隨著矽極限被逐步逼近,基本上現在矽的開發達到了瓶頸,許多產業已經開始努力尋找更合適的替代品,氮化鎵就是這樣進入到了人們眼中。
簡單來說,氮化鎵號稱第三代半導體核心材料。相對矽而言,氮化鎵擁有更寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比矽承受更高的電壓,擁有更好的導電能力。簡而言之兩種材料在相同體積下,氮化鎵比矽的效率高出不少。如果氮化鎵替換現在所有電子設備,可能會讓電子產品的用電量再減少10%或者25%。
在許多電源管理產品中,氮化鎵是更強的存在。應用層面,採用氮化鎵做充電器的話能夠實現更快充電更小體積。
打個比方說,採用氮化鎵材料做出來的充電頭,體積和蘋果5W差不多大的情況下,能實現更多的功率。蘋果的5W充電頭實現的充電效率相信大家都懂的,未來新的材料大規模應有後就有望改變這種情況。
氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。
對於用戶,最直接的好處就是能帶來更快的充電,但是體積卻不會因此而增大。因為GaN氮化鎵材料本身的特質,因此充電器如果採用了GaN氮化鎵做材料,那麼不僅可以實現體積小、重量輕;對於發熱量與效率轉化也有非常明顯的提高。很多產品一旦發熱效率就會明顯的下降,比如CPU、充電頭等。
氮化鎵材料目前也有不足,比如造價並不便宜,產能有限,如果沒有辦法工業化加大產能降價成本,短期內想要取代矽並不容易。但是,任何材料都是需要時間沉澱的,長期看氮化鎵材料確實有晚取代目前的材料。
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