坩堝下降生長鎢酸鉛閃爍大單晶的製備方法獲國家發明專利優秀獎

2020-11-25 中國科學院

經中國專利獎評審委員會評審,上海矽酸鹽所廖晶瑩等同志發明的「坩堝下降生長鎢酸鉛閃爍大單晶的製備方法」專利(專利號:ZL94114075.X)被評為第十屆中國專利獎優秀獎。

上世紀九十年代初,歐洲核子研究中心邀請上海矽酸鹽所參與其大型強子對撞機國際合作,研發所需的鎢酸鉛(PWO)閃爍晶體。

針對歐洲核子研究中心的高要求,發明人從原料合成,生長設備的設計和建造,晶體生長工藝的優化和晶體後處理工藝著手,依據PWO晶體的特性自行設計和建造能滿足大批量PWO晶體生長要求的改進型多坩堝下降爐,建立了優質大尺寸PWO晶體的理想生長工藝參數,使批量生產的PWO晶體性能具有一致性、均勻性和穩定性,大批量地提供給歐、美、日等多個高能物理項目或國際知名科研機構,獲得國際高能物理界的廣泛好評。

此次榮獲中國專利獎的項目,是由國務院有關部委、直屬機構以及各地方知識產權局、各中央企業和中國科學院、中國工程院院士推薦,並經過國家知識產權局初審、評審選出的。這些獲獎項目,技術方案構思巧妙、新穎,原創性強,技術水平高,對促進相應領域的技術進步與創新有突出的貢獻,並取得了較大的經濟效益或社會效益。

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