進入21世紀,隨著半導體技術和封裝技術的不斷進步,長期用於指示和顯示的半導體光源正向照明領域發展。以功率型白光LED為代表的半導體照明新興產品,其在照明市場的發展潛力值得期待。獲得白光LED常用的途徑是在藍光LED晶片表面上塗覆一層$螢光粉(YAG:Ce3+)。功率型LED與普通LED相比,晶片尺寸較大,需要更大的驅動電流,以發出更明亮的光,但伴隨著產生更多的熱量會對功率型白光LED的光學電學參數及器件的穩定性有影響。
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/169116.htm目前,LED光學參數的測量方法在國內外還處在探討之中,LED是一種電致發光器件,當電子與空穴發生輻射複合時,能量以光子形式發出,所以注入電流對LED發光的光學特性有直接影響。
1、對色坐標的影響
現在LED的發光顏色越來越豐富,LED的色坐標參數是LED重要的物理參數之一,隨著注入電流的增加,器件出光的色坐標在一定程度上減小,如圖1所示。
圖1 色坐標隨電流的變化
2、對色溫的影響
當一絕對黑體加熱時,發出光的顏色與被測試光源光色相近時,該黑體的溫度稱為光源的相關色溫。就目前最常採用的實現白光的方案而言,當塗覆的$螢光粉較多時,出射的白光光譜中藍光成分較少,器件色溫較低;當$螢光粉較少時,出射的白光光譜中藍光成分較多,色溫較高。
圖2 相關色溫與正向電流的關係
從圖2中可以看出,隨著器件的驅動電流增加,功率型白光LED的色溫從100mA電流時的5636K增加到350mA電流時的5734K。這是因為,電流加大後,晶片發出的藍光增多,$螢光粉層的厚度是一定的,則在出射的白光中藍光成份增加,從而使器件的色溫增加。
3、對主波長的影響
在CIE1931色度圖中,由標準白光點E(0.333,0.333)與測得的色坐標點連接並延伸,與380~760nm的光譜軌跡相交,交點所在處的波長即為該色坐標點的主波長。
隨著電流增加,器件出光的主波長在減小,這是因為電流增加,色坐標減小,標準白光點和色坐標點的連線的延長線與380~760nm的光譜軌跡相交點對應的波長值變小。
圖3 主波長與電流的關係曲線
圖4 光通量與電流的關係曲線
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