「材料課堂」倒易點陣、晶帶及晶面間距計算方法

2021-01-08 孜然學術

01

倒易點陣

所謂倒易點陣是一個新點陣,該點陣的每一個結點都對應著正點陣(即實際點陣)中的一定晶面,即不僅反映該晶面的取向,而且還反應晶面距。具體來說,從新點陣的原點O至任一結點的矢量正好沿正點陣中(h k l)的法線方向,而OP的長度就等於晶面距的倒數,即。這樣的新點陣就叫倒易點陣。

02

晶帶及晶面間距

所有平行於同一方向的晶面構成一個晶帶。或者說,相交於同有晶向的兩個或多個晶面就構成一個晶帶。如圖1所示,其中晶帶軸:[uvw];晶帶平面:(hkl)。

圖1 晶帶軸和晶帶平面

由此可以推導得出以下一些重要的晶體學公式:

①如果(h k l)

[u v w]晶帶,則hu + kv + lw = 0 晶帶方程

②對於立方晶系來說,有[h k l] ⊥(h k l) (也可通過解析幾何證明)

③如果兩個晶面(h1 k1 l1)和(h2 k2 l2)同屬於一個晶帶[u v w],那麼有:

④如果一個晶面(h k l)同屬於兩個晶帶[u1 v1 w1]和[u2 v2 w2],那麼有:

⑤立方晶系晶面距

從晶胞的原點O到第一個(k h l)晶面的距離,即兩個相鄰的晶面之間的間距,即面間距。

⑥立方晶系晶向(u v w)的長度L

⑦立方晶系兩個晶面(h1 k1 l1)和(h2 k2 l2)之間的夾角

⑧立方晶系兩個晶向(u1 v1 w1)和(u2 v2 w2)之間的夾角

⑨立方晶系晶胞體積V

本文來自「材子考研」。

相關焦點

  • 【乾貨】倒易點陣、晶帶及晶面間距計算方法 11
    所有平行於同一方向的晶面構成一個晶帶。或者說,相交於同有晶向的兩個或多個晶面就構成一個晶帶。如圖1所示,其中晶帶軸:[uvw];晶帶平面:(hkl)。由此可以推導得出以下一些重要的晶體學公式:①如果(h k l)
  • 晶體學家外斯與晶帶定律--中國數字科技館
    從此晶帶定律成為晶體學中的一個重要概念,它表述了晶帶軸和與其相關的一組晶面間的關係。在涉及晶體學的材料研究中常利用晶帶定律快速確定研究者所關注的特定晶面或晶向的相對方位。同樣,X射線衍射或電子衍射理論也會以晶帶軸為基礎進行布拉格方程或愛瓦爾德衍射球的討論。晶帶定律的內容為:晶體上的任一晶面至少同時屬於兩個晶帶,或者說,平行於兩個相交晶帶的公共平面必為一可能晶面。
  • 晶能光電(江西)有限公司「矽襯底發光二極體材料與器件」產業化...
    近日,晶能光電
  • 北工大《AFM》特定晶面選擇性修飾,獲得高性能鋰電負極材料
    導讀:本文通過結構設計、暴露特定晶面、TiO2和炭層同時包覆改性,大大提高了Li2TiSiO5(LTSO)材料的電化學性能。通過原位XRD和第一性原理計算作者還對反應的具體過程進行了分析表徵,為後續LTSO材料的研發和商業應用提供了參考和指導。
  • 北工大《AFM》特定晶面選擇性修飾,獲得高性能鋰電負極材料
    導讀:本文通過結構設計、暴露特定晶面、TiO2和炭層同時包覆改性,大大提高了Li2TiSiO5(LTSO)材料的電化學性能。通過原位XRD和第一性原理計算作者還對反應的具體過程進行了分析表徵,為後續LTSO材料的研發和商業應用提供了參考和指導。
  • 材料表徵:電鏡(SEM、TEM、FIB)技術集錦 - 2(轉帖8篇)
    2)在面心晶體的倒易點陣中抹去h k l 奇偶混合的陣點,它就成了體心點陣。此時基矢量為2a*,並不是實際倒易點陣的基矢量a*,圖1。3)體心晶體的倒易點陣中抹去h+k+l=奇數的陣點,它就成了面心點陣,圖2。晶帶:晶體內同時平行於某一方向[uvw] 的所有晶面組(hkl)構成一個晶帶, [uvw]稱為晶帶軸。晶帶定律描述了晶帶軸指數[uvw]與該晶帶內所有晶面指數(hkl)之間的關係。
  • 晶型研究 | 晶型定量分析方法介紹
    研究方法主要有單峰法、多峰法和全譜法。②單晶X射線衍射法      SXRD分析對象為單晶,原理是利用X射線對晶體產生的衍射效應,其分析數據代表了某種晶型純品的結果,SXRD法可以揭示供試品晶型成因,給出晶型物質的晶體學各種定量數據。採用SXRD分析數據,通過理論計算獲得100%晶型純品的PXRD圖譜和數據,作為晶型物質標準圖譜。
  • 什麼是礦物的晶面花紋?
    晶體在自發生長過程中可發育出由不同取向的平面所組成的多面體外形,這些多面體外形中的平面稱為晶面(crystal face)。晶面基本上是光滑平整的平面;但仔細觀察時,常可見微有凹凸而表現出具規則形狀的各種晶面花紋。
  • 納晶科技被認定為「2020年杭州市企業高新技術研究開發中心」
    近日,杭州市科學技術局正式下發《關於認定2020年杭州市企業高新技術研究開發中心的通知》,根據《杭州市企業高新技術研究開發中心管理辦法》(杭科計〔2019〕21號),經企業自主申報、專家評審、現場考察和推薦公示,納晶科技股份有限公司被認定為2020年杭州市企業高新技術研究開發中心。
  • 西工大Acta Mater:單晶高溫合金不同晶面的雜晶形成
    近年來通過雷射熔覆技術實現單晶組織外延生長的研究集中在某一固定晶面改變雷射掃描方向或選擇不同晶面使用某一掃描方向來進行。對於雷射修復表面損傷部件來說,可以在損傷部件上切割出不同的晶面。那麼提出了一個問題:在哪些傳統晶面上,以及沿著哪個掃描方向,雜晶形成能力最弱?這就需要系統研究在不同晶面上的雜晶形成能力(即CET,柱狀晶-等軸晶轉變)。
  • 納晶科技量子點舒眼平板PurePad助力信息化教育和近視防控
    2019年10月12-14日,第77屆中國教育裝備展示會在中鐵·青島市世博城國際博覽中心盛大開幕,本屆展示會以「展示、交流、合作、發展」為主題,由中國教育裝備行業協會主辦,山東省教育廳、青島市人民政府共同承辦,各省、自治區、直轄市及計劃單列市教育裝備行業協會協辦。
  • 《Nature》子刊:準確預測多晶溶質原子在晶界的偏析傾向
    而且,儘管已知是各向異性的,在整個多維晶界空間中,對溶質分離傾向變化的認識是有限的,而這在多晶中是非常重要的,因為多晶的大部分空間都位於這裡。近日,來自美國麻省理工的Christopher A. Schuh等研究者,開發了一個機器學習框架,僅基於這些位點未修飾(預偏析)的局部原子環境,可以準確地預測多晶體中溶質原子在GB位點的偏析傾向(由偏析焓譜量化)。
  • 納晶科技與中國關工委健體中心籤署戰略合作備忘錄
    2019年10月13日,納晶科技與中國關心下一代工作委員會健康體育發展中心(以下簡稱「中國關工委健體中心」)在青島世博城國際博覽中心舉行的第77屆中國教育裝備展上簽署戰略合作備忘錄,納晶科技正式被中國關工委健體中心授予「中國校園健康行動護眼亮眼工程戰略合作夥伴」。
  • 納晶科技受邀出席第十六屆中國國際顯示大會
    11月12日,第二十二屆高交會光電顯示展期間,第十六屆中國國際顯示大會(CIDC2020)——「量子點顯示技術產業峰會」在深圳會展中心圓滿舉辦。本屆會議以「後疫情時代新熱點」為主題,吸引眾多行業專家以及企業代表積極參會。
  • 【清潔知識連連看】各類晶面拋光原理代表產品及特點分析
    【清潔知識連連看】各類晶面拋光原理代表產品及特點分析    本期「清潔知識連連看」,慧聰網特邀廣州正一品生物環境科技有限公司胡源,為大家解析各類晶面拋光原理代表產品及特點。我們在用手提打磨機幹打磨花崗石接口時,打磨至3000號碟,其光澤已經透徹,拋光粉晶面完成後,常常是接口光澤與整體石材光澤不協調(手提打磨機打磨到3000號碟部分光澤更亮)。由於種種技術原因,這一原理在實操晶面拋光中沒有廣泛應用。但在結合拋光化學材料時,將石材表面儘可能拋得更熱時,效果更好,這也正是這一原理的附加作用。     (三)化學拋光:這一代表性產品有莊臣晶面拋光粉、K2等。