可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)

2020-12-07 電子產品世界

ReRAM: 可變電阻式隨機存取存儲器 

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202005/413166.htm

ReRAM是一種非易失性存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈衝電壓，產生大的電阻差值來存儲「0」和「1」。 

其結構非常簡單，兩側電極將金屬氧化物包夾於中間，這簡化了製造工藝，同時可實現低功耗和高速重寫等卓越性能。 

此存儲器具備行業最低讀取電流,非常適用於可穿戴設備和助聽器。

推薦產品

●   SPI 接口： ［新品］4 Mbit ReRAM "MB85AS4MT"

ReRAM 產品

型號 

( 數據表)

存儲密度
電源電壓
工作頻率
工作溫度
讀取電流
讀取周期
封裝
MB85AS4MT 
ENG (939 KB)
4Mbit
1.65 至 3.6V
5MHz
-40℃ 至 +85℃
0.2mA
無限
SOP-8

* MB85AS4MT是一個SPI接口產品

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