1.臺積備戰3nm全靠極紫外光（EUV）微影設備；
2.MRAM接班主流存儲器指日可待；
3.WSTS：2017年半導體晶片銷售有望增長17%；
4.美股財報季進入尾聲 半導體等細分行業有亮點；
5.三星移動DRAM逆勢調漲 SK海力士或可望受惠；
6.新型半導體材料僅一個分子厚
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1.臺積備戰3nm全靠極紫外光（EUV）微影設備；
集微網消息，極紫外光（EUV）微影設備無疑是半導體製程推向3nm的重大利器。 這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產供應，目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。
EUV設備賣價極高，原因是開發成本高，因此早期ASML為了分攤開發風險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發完成，臺積電後來全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。
有別於過去半導體採用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術，EUV微影設備是利用波長極短的紫外線，在矽晶圓上刻出更微細的電路圖案。
ASML目前EUV年產能為12臺，預定明年擴增至24臺。 該公司宣布2017年的訂單已全數到手，且連同先前一、二臺產品，已出貨超過20臺；2018年的訂單也陸續到手，推升ASML第2季營收達到21億歐元單季新高，季增21%，每股純益1.08歐元，股價也寫下歷史新高。
因設備昂貴，且多應用在7nm以下製程，因此目前有能力採購者，以三星、臺積電、英特爾和格羅方德為主要買家。 三星目前也是最大買主，估計採購逾十臺，將裝設於南韓華城的18號生產線（Line 18）全力搶佔晶圓代工版圖。
由於極紫外光可大幅降低晶圓製造的光罩數，縮短晶片製程流程，是晶圓製造邁入更先進的利器。
在三星決定7nm率先導入EUV後，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺積電決定在7nm強化版提供客戶設計定案，5nm才決定全數導入。
2.MRAM接班主流存儲器指日可待；
隨著更多業者進入MRAM市場，STT執行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現有主流存儲器技術的未來前景。
或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助於其他的MRAM業者鋪路。
STT的公司歷史最早可追溯到2001年――一項最初由美國紐約大學(New York University)教授Andrew Kent主導的研究中所開發的技術。到了2007年，總部位于波士頓的多元控股公司Allied Minds正式成立了STT並開始營運。2016年9月，這家開發出正交自旋轉移MRAM技術(OST-MRAM)的美國業者宣布，在其加州費利蒙(Fremont)公司總部的自家研發晶圓廠，成功製作出小至20nm的垂直MRAM磁穿隧接面(pMTJ)，預計在2018年讓產品正式上市。
從那時起，STT已經為北美和亞洲的客戶提供其OST-MRAM樣片了，這可說是一個重要的裡程碑，因為它是幾種新興存儲器中被視為可能取代動態隨機存取存儲器(DRAM)與NAND快閃記憶體(flash)的下一代候選技術之一；特別是隨著業界持續邁向更先進的製程節點，DRAM與NAND flash正面對微縮帶來的挑戰。STT是少數幾家開發MRAM的公司之一，因此，如今開始出樣晶片可說是驗證MRAM整體性能以及STT技術的重要時機。
《EE Times》有幸與STT執行長Barry Hoberman談到了該公司近來的快速成長，以及隨著更多業者進入MRAM市場帶來的商機，包括MRAM可能接班主流存儲器技術的未來前景。
STT執行長Barry Hoberman
目前客戶對於你們提供的樣片反應如何？
我們已經出樣新晶片給廣泛的客戶了，他們都是足以評價這種存儲器類型的大型現有業者，具有高度的可信度。我們在這次產品出樣周期的目標是產生完整的存儲器，能夠滿足穩健可靠的評測。我們很高興能有機會流通這些樣片，讓客戶在測試後都回來找我們，告訴我們說這款產品的功能齊全，符合所有提供的規格，而且找不到任何錯誤。這為我們在推進下一次與客戶接觸的機會開啟了大門，客戶現在都確實地認識了我們是一家擁有第三代pMTJ基礎技術的公司，也肯定我們製作可用存儲器的專業技術。
開發商用MRAM的挑戰與其他新興存儲器有何不同？
了解MTJ技術的真正重要之處在於他們已經用於硬碟的讀取頭超過10年以上了，具有經驗證的生產和可靠性等功能。每年約有30~40億顆硬碟讀取頭中都包含了MTJ元件。
而與MRAM有關的問題在於了解如何將MTJ整合於CMOS製程、如何使MTJ的性能特徵相容於存儲器，以及如何擴展MTJ的製造產能，達到每個存儲器晶片中約10億的數量級，而不只是每個硬碟讀取頭中使用1個MTJ元件；這些是目前最主要的三項挑戰。這和相變存儲器、電阻式RAM和納米線等其他新式存儲器技術有很大的不同――畢竟，這些新式存儲器技術的物理特性是全新的，尚未經任何一種製造技術驗證，也沒有現行的產業生態系統可支持。
您將Everspin等競爭對手稱為追蹤MRAM的先驅。那麼，當您推動自家技術進展時，如何看待競爭對手的成就？
這是對於整個生態系統所建立的一種信心，包括對於投資人、客戶，以及設備供應商等。
您認為MRAM存在哪些機會？
我們知道目前有四家代工廠都在其開發藍圖中規劃了第三代基於pMJT的MRAM技術，並預計在2018年的下半年進入量產，，並在那之後相應地加快速度。MRAM目前處於鎖定三大技術的早期階段：其一是作為非揮發性存儲器(NVM)領域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外，它還可以作為傳統CMOS高速嵌入式靜態隨機存取存儲器(SRAM)的替代技術。我認為這項技術更適於在此領域實現差異化。第三是作為DRAM的替代技術。目前DRAM市場成長開始趨緩，未來可能會由特別有利於儲存應用的持久特性主導市場成長。
至今許多採用MRAM的場合都離不開儲存應用。是否還有其他細分市場存在新應用的例子？
在手機中有幾個地方需要超過200Mb的靜態存儲器，而當你嘗試使用SRAM時，就會發現那真的是在燒錢。降低靜態存儲器的成本看來勢在必行，再者，因為它用在行動裝置中，所以對於功耗也十分敏感。40nm以下的傳統解決方案由於漏電流之故而經常耗用較大電源。如今，以MRAM取代SRAM幾乎可完全排除漏電流的問題。
此外，為使用中的資料提供保護方面也是一大挑戰。許多應用都需要高頻寬，高速資料經由系統傳送的同時，也進入其永久儲存的位置。在資料順利傳送到安全可靠的最終存放位置以前，如果發生了危及資料的故障情況會很麻煩，這正是MRAM得以發揮作用之處。
如何更普遍地使用快閃記憶體，從而為MRAM創造機會？
我們可以在固態硬碟(SSD)中將儲存區劃分為大小不同的儲存容量。較大的儲存容量具有flash的時間特性，亦即所謂的微秒級NVM；較小的儲存容量則採用高速、持久型的存儲器技術，也就是納米級NVM。當你將這兩種技術混合於同一系統時，必須考慮成本而適度地進分劃分，以便能在每秒輸出入次數(IOPS)方面取得更高的性能提升，甚至較傳統基於flash的SSD更高一個數量級。
物聯網(IoT)正著手打造利用現有存儲器技術的各種新方法，以解決諸如功耗等問題，同時要求相對較低的密度。MRAM如何在此發揮作用？
如果你直接比較一下其他著眼於物聯網的替代方案，例如相變存儲器和電阻式RAM，以及快閃記憶體，這些技術根本沒有足夠的耐久性可用於執行像記錄資料等任務，特別是有些資料記錄功能採用了較小型的電池。
除了代工廠的承諾之外，您如何看未來12~18個月的MRAM發展前景？
讓這項技術投入生產產線的第一家主要代工廠，以及真正的開始出貨，即將在業界颳起一陣旋風。半導體產業真的必須牢牢記住，過去四十多年來的技術主力一直是SRAM、DRAM和flash及其先驅技術。而這將是首次大量生產的重要大事。目前已經有了一些利基技術，如鐵電隨機存取存儲器(FRAM)與電子抹除式可複寫唯讀存儲器(EEPROM)，但也都因其利基特性而受限。
然而，當你導入了MRAM，其特點就在於它是在這40到50年間真正進入存儲器架構的第一件大事。僅就這一點來看它就具有相當巨大的發展潛力了。
編譯：Susan Hong
(參考原文：MRAM Momentum Poised to Disrupt Memory Workhorses，by Gary Hilson)eettaiwan
3.WSTS：2017年半導體晶片銷售有望增長17%；
集微網消息（編譯/丹陽）根據世界半導體貿易統計協會(WSTS)的最新統計數據顯示，2017年半導體晶片銷售量與去年同期相比有望增長17%，這是 WSTS 今年第二次上調半導體展望，對照 6 月第二季實際數據出爐前，WSTS 預測半導體銷售額將成長 11.5%高出5.5個百分點。此增長也是自半導體行業蕭條（2010年）復甦以來的最大幅度增長年度。
WSTS 先前預測今年存儲器銷售額將成長 30.4%，最新預估值也將成長率上修至逾 50%，這應與存儲器供不應求，平均售價不斷上調有關。
WSTS 預測，2017 年半導體晶片銷售將達到 3970 億美元，這比去年最高記錄的（3390 億美元）還高出 580 億美元。而針對明年晶片銷售情況，WSTS看好明年半導體發展，預計銷售額有望持續增加 4.3% 達到 4140 億美元，這表明今明兩年的集成電路行業前景良好，值得期待。
4.美股財報季進入尾聲 半導體等細分行業有亮點；
伴隨標普500成分股中超過九成的企業披露業績，本次美股財報季進入尾聲。據統計，在能源、金融與科技股的帶領下，有73%的企業盈利出現增長。半導體、雲轉型、光模塊等多個細分行業的龍頭企業交出亮眼財報。
此外，有研究機構發現，那些大部分收益來自於海外市場的企業在本次財報季中的表現更為出色，而中國是重要關鍵詞之一。
半導體及雲轉型業有亮點
針對91%已公布業績的企業，研究機構FactSet的統計顯示，73%企業所公布的每股盈餘高於預期。綜合企業實際增長值及預估增長結果來看，二季度標普500指數成分股企業的同比混合盈利增長率有望達到10.2%，而6月底時這一數值為6.4%。
從板塊看，根據上證報資訊的統計，金融、石油天然氣及科技業盈利能力較強，正盈利比例分別達到85%、76.7%及76.2%。在細分行業中，有近77%的半導體企業實現盈利，81%的製藥企業盈利出現增長，而美國主要銀行業的營收及盈利幾乎全線增長。
在科技公司中，龍頭企業的財報表現強勁，蘋果和臉譜網的盈利增長好於預期。而英偉達、美光科技及拉姆研究等半導體概念股均實現可觀增長。集邦諮詢內存儲存研究的調查顯示，受惠於平均銷售單價上揚與新製程持續轉進，全球動態隨機存取存儲器（DRAM）市場二季度營收出現16.9%的環比增長，為歷史新高。
在能源領域，石油和天然氣價格的上漲以及成本下降提高了企業盈利能力，推動雪佛龍、EOG能源和先鋒自然資源等公司從虧損中實現反彈。
此外，中金公司的數據顯示，在其追蹤的20家雲轉型企業中，過半數企業財報表現超預期，微軟及軟體企業Citrix等業者的營收及淨利潤雙雙超過市場一致預期。中金公司認為，雲轉型有助於傳統軟體公司降低宏觀經濟波動影響、消除產品周期以及客戶群體規模的限制，使公司重獲增長動力，提升估值。
而據海通證券統計，全球100G光模塊產業受晶片制約，今年仍處於供不應求階段，這提振北美地區光模塊製造商業績。Oclaro及菲尼薩網絡通信營收與淨利均在最近一個財季實現強勁增長，達到近年來的發展高點。
中國成財報季關鍵詞之一
Factset資深盈利分析師John Butters分析指出，那些擁有諸多國際業務的企業在此次財報季中實現了更亮眼的業績增長。
統計顯示，銷售額一半來自美國本土的企業在最近一個財季實現了8.5%的混合盈利同比增幅，低於平均水平。而大部分受益來自海外的企業實現了14%的同比增幅，信息技術和能源企業成為這方面的驅動者。
Factset的報告指出，這些外向型企業受益於全球經濟增長和美元疲弱。根據國際貨幣基金組織的世界經濟展望，全球經濟持續復甦，今明兩年增速預計分別為3.5%和3.6%。但該機構將中國今明兩年經濟增長預期分別上調0.1個和0.2個百分點至6.7%和6.4%。這是該機構年內第3次上調中國經濟增長預期。
湯森路透分析指出，美國企業發現中國市場將成為今年一個可靠的獲利增長來源。無論是建築設備、半導體業者還是咖啡生產商，美國許多主要企業近幾周都已經公布二季度中國業務獲利和營收增長。其中，得益於中國市場需求強勁，卡特彼勒二季度在亞太市場的營收增長25%。
與此同時，一些中概股本身的業績表現也頗為亮眼。其中，騰訊、阿里巴巴的當季收入增幅均超過50%，微博的淨利潤則實現了184%的同比增長。（記者 王宙潔） 中國證券網
5.三星移動DRAM逆勢調漲 SK海力士或可望受惠；
傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智慧型手機業者，協商提高移動DRAM(Mobile DRAM)價格過程佔了上風，將有助於2017年下半的半導體事業獲利表現。三星電子這項舉動，可望讓同為韓國存儲器大廠的SK海力士(SK Hynix)跟著受惠。
韓媒Business Post引述業界看法，指出三星電子預計從2017年第4季起，針對大中華地區智慧型手機業者，祭出10~20%的移動DRAM價格調漲策略，部分韓媒則是指出，三星電子這項舉動僅針對部分中低價智慧型手機業者。
韓國業界人士認為，蘋果(Apple)即將推出新款iPhone，將拉高移動DRAM市場需求，加上美光(Micron)桃園廠日前發生氣體外洩意外，影響DRAM供應，供應不足讓三星電子考慮漲價。
然而，傳2017年第2季其實出現移動DRAM價格下滑與供應減少，對三星電子整體半導體事業獲利造成影響。對此，三星電子逆勢祭出調漲移動DRAM價格措施。如果移動DRAM價格於2017年第4季調漲，將可望稀釋2018年第1季淡季時的價格下跌，這應該是三星電子「未雨綢繆」的價格平衡策略。
事實上，大陸智慧型手機業者從2016年起，開始經歷DRAM價格持續走揚，生產成本不斷墊高壓力，因此採取下修出貨及不再提高DRAM單機搭載量等措施，造成移動DRAM市況不振。
韓國證券業界人士指出，先前美光桃園廠氣體外洩事故，造成供應減少只是暫時，主因應是移動DRAM需求持續不振，三星電子業績受到衝擊，因此才罕見祭出調漲價格策略。目前三星電子移動DRAM全球市佔率超過60%，挾獨特技術與高市佔率，三星電子與手機客戶協商價格過程中，應具有相當強的談判優勢。
韓國證券業界人士進一步指出，三星電子的客戶對移動DRAM價格調漲，恐怕不得不接受，預料到了2018年第1季供貨價格協商時，三星電子仍將繼續保有優勢協商主導地位。目前三星電子DRAM產品中，移動DRAM生產比重最高，調漲移動DRAM價格後，預估三星電子半導體事業獲利將再創新高。
另一方面，同樣身為韓廠的競爭者SK海力士，預料將是三星電子調漲移動DRAM價格的受惠者。韓國業界人士指出，部分移動DRAM客戶，有可能因為價格負擔過重而轉向SK海力士，而SK海力士也可能跟隨三星電子腳步，一同調漲移動DRAM價格。
總而言之，移動DRAM市場龍頭三星電子，已率先開了漲價第一搶，2017年第4季DRAM業者的業績或將喜上眉梢。由少數幾家業者寡佔的DRAM市場，預料可持續旺到2018年。DIGITIMES
6.新型半導體材料僅一個分子厚
俄國立研究型技術大學（NUST MISIS）莫斯科鋼鐵冶金學院與北京交通大學、澳大利亞昆士蘭科技大學和日本國立材料科學研究所的科學家一起，製成厚度為一個分子的氮化硼新型半導體材料。
半導體是現代電子學的基礎，目前世界領先國家正展開半導體微型化競賽。新技術可用於製造「塊頭」僅為現有處理器千分之一的納米處理器，新處理器更省電，從而使電池微型化。如此一來，極輕的心臟起搏器、便宜的VR眼鏡、耳環型手機等大批「看不見」的電子產品也將應運而生。 科技日報
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