在晶片製造技術方面，臺積電無疑是全球領先，有三點可以證明。
據悉，臺積電獲得訂單數量最多，全球超過一半以上的晶片訂單都是臺積電代工生產的；臺積電技術最先進，最先量產5nm的晶片，良品率和產能均高於三星。
還有就是，臺積電已經對外宣布，在3nm和2nm晶片技術方面，都實現了技術突破，前者將會在2022年量產，後者有望在2024年量產。
也就是因為臺積電晶片製造技術領先，美國邀請臺積電赴美建廠，結果臺積電以美國不符合建廠條件給拒絕了。
但在美國修改規則前夕，臺積電突然宣布在美國投資120億美元建設5nm的晶片生產線，預計在2021年開工，2024年量產5nm的晶片。
但沒有想到的是，在美國建廠這件事上，這次，臺積電「硬氣」了，之所以這麼說，原因有三。
首先，美國晶片製造技術相對落後，英特爾至今還不能量產7nm的晶片，與臺積電、三星相比，明顯落後一代。
於是，美國一直都想要臺積電先進的晶片生產製造技術，否則，其也不會邀請臺積電建廠。
雖然臺積電直接宣布在美國建設5nm的晶片生產線，這也是臺積電目前能夠量產最先進的晶片，但5nm晶片在美國量產，要等到2024年了。
要知道，臺積電已經明確表示，將會在2021年風險試產3nm的晶片，2022年試產3nm的晶片。另外，臺積電還將在2023年量產3nm plus晶片。
也就是說，即便臺積電在2024年不能如期量產2nm的晶片，臺積電最先進的晶片也是3nm plus，與在美國量產的5nm晶片相比，領先兩代左右。
如果一切順利，臺積電在2024年順利量產2nm的晶片，那麼，臺積電給美國的晶片生產技術，至少是落後兩代以上。
其次，臺積電雖然是全球晶片生產技術最先進的廠商，但其也採用了不少美國技術，否則，美國修改規則後，臺積電也要遵守，所以臺積電才不能自由出貨了。
據了解，臺積電使用的美國技術，主要是EUV光刻機，因為EUV光刻機是生產7nm以下晶片的必要設備。
雖然這種設備是ASML研發生產的，但其採用了不少美國技術，而臺積電又採用EUV光刻機，這等於是臺積電也採用了不少美國技術。
而臺積電劉德音也公開表示，臺積電追求的是技術領先，建設非美技術生產線，不是目前考慮的方向。
翻譯過來就是，臺積電要想保證技術領先，就是必須使用美國技術。
但其在美國建廠，卻給了美國落後兩代的技術，足以證明，臺積電這次是硬氣了。
最後，臺積電挑明了態度。
雖然臺積電使用了美國技術，但臺積電對美國的態度很明確，事事都挑明。
先是拒絕在美國建廠，隨後宣布在美國建廠，但到2024年才能夠量產5nm製程的晶片。
但臺積電卻宣布，其突破了2nm晶片的重要技術，有望在2024年量產2nm的晶片，並開始擴建工廠做準備。
即便是在3nm製程的晶片上，臺積電也多次表示，將會在2021年風險試產，量產時間還將提前，有望在2022年上半年，將在2023年量產3nm plus晶片，不耽誤iPhone 14。
也正是因為如此，才說這次臺積電硬氣了，畢竟臺積電將事情放在檯面上，給美國的晶片生產製造技術就是落後最先進技術兩代。
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