11月30日,中國高科技產業化研究會在北京嚴格按照科技部《科學技術評價辦法》的有關規定,嚴格按照科技成果評價的標準及程序,本著科學、獨立、客觀、公正的原則,組織專家對由廣東省院士成果轉化基地發展有限公司研發的「基於第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術」項目進行了科技成果評價。
據悉,此次評價會由科技部、工信部、總後勤部建築設計研究院、有色金屬研究總院、北京交通大學、北京科技大學、國家電光源質檢中心等部門行業的專家組成。
在聽取項目完成單位的技術總結報告,並對評價資料進行審查後,評價委員會認為,本次研發將第三代半導體LED作為投影儀光源,不僅實現第三代半導體的規模化應用,也實現了投影儀產品的重大技術突破。
「低投射比的第三代半導體投影儀科技成果轉化可應用於教育、辦公、影院、娛樂、廣告等領域,並將快速形成產業鏈體系,帶動周邊經濟結構轉型,有效解決當地就業、帶動地方上下遊經濟發展,對地方工業經濟、行業發展具有重大意義。」據項目方廣東省院士成果轉化基地發展有限公司教授童玉珍介紹,在「第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術」研發方面,目前已自有授權軟體著作權8項,發明專利8件、實用新型專利2件、外觀專利1件。其還透露,公司已制定針對相應投影儀產品的企業標準和應用技術規程,並計劃申請編制國家標準項目。
經專家評價委員會評審,該項目技術已達到國際先進水平,一致同意「基於第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術」通過科技成果評價,並表示,該項目製備了氮化鎵基藍綠光第三代半導體LED材料和器件,作為投影儀的光源,具有高電子密度、高遷移率、長壽命、高光效、高色域的特性;其自主研發的折反式超短焦變焦投影鏡,通過鏤空非球面反射鏡中心,同時使用平面和球面反射鏡折轉光路,解決了同軸光束遮擋的關鍵問題,實現了0.19的低投射比;以及通過兩次化學鍍層法在AlN陶瓷散熱基板表面均勻沉積了厚度為20μm的Cu層,並通過X射線衍射圖譜確定AlN陶瓷基板與銅鍍層間是以機械鍵合的方式結合,同時使用新型的三元收縮散熱通道,提高了系統的散熱性能,減少了對空間的佔用。