露笑科技再次布局碳化矽項目,這次是10億!

2021-01-12 LEDinside

2020-04-13 10:38:04 [編輯:Andygui]

昨(12)日,露笑科技股份有限公司(以下簡稱「露笑科技」)發布2020年度非公開發行股票預案。

公告顯示,露笑科技本次非公開發行採取向特定對象非公開發行股票的方式,在獲得中國證監會核准後由公司在中國證監會規定的有效期內選擇適當時機向不超過35名特定對象發行。

按2019年12月31日股本測算,露笑科技本次非公開發行股份總數不超過453,200,530股(含453,200,530股),非公開發行股票募集資金總額不超過100,000萬元,扣除發行費用後將用於「新建碳化矽襯底片產業化項目」、「碳化矽研發中心項目」和「償還銀行貸款」項目。

其中新建碳化矽襯底片產業化項目總投資金額為69,456萬元,本次擬使用募集資金投入65,000萬元,該項目建設期24個月,擬生產碳化矽襯底片等產品,項目產品具有尺寸大、更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

碳化矽研發中心項目總投資金額為5,010萬元人民幣,其中擬使用募集資金投入5,000萬元,由露笑科技股份有限公司的全資子公司浙江露笑碳矽晶體有限公司組織實施,本項目項目建設期為24個月。該項目主要建設內容為研發場地改造及裝修工程、引進行業內高水平研發人才以及購置與公司業務發展相適應的研發設備及軟體。

露笑科技表示,新建碳化矽襯底片產業化項目對於滿足國內外快速增長的4英寸、6英寸及以上尺寸級別的碳化矽襯底片市場需求,促進襯底片質量與成品率水平的提升將發揮較為重要作用用。而通過碳化矽研發中心的建設,將加強公司在碳化矽方面的基礎研究以及新產品開發能力,有利於提高產品附加值,增強公司核心競爭力。

據了解,碳化矽是一種第三代寬禁帶半導體材料,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。目前,碳化矽等第三代半導體是功率半導體的一個投資重點方向。《中國製造2025》中四次提到碳化矽為代表的第三代半導體,國家大基金也把碳化矽列為了重點投資方向之一。

從產業鏈角度看,碳化矽包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件製造等環節,但目前全球碳化矽市場基本被在國外企業所壟斷。

2019年11月26日,露笑科技股份有限公司與中科鋼研節能科技有限公司、國宏中宇科技發展有限公司開展碳化矽項目戰略合作,共同研發4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級別的碳化矽長晶設備,目前首批2臺套升華法碳化矽長晶爐已經完成設備性能驗收交付使用,經過優化後的碳化矽長晶爐設備將應用於國宏中宇主導的碳化矽產業化項目中。

露笑科技表示,將繼續專注第三代半導體晶體產業,拓展碳化矽在5G GaN-on-SiC HEMT、SiC SBD、SiCMOSFET、SiC IGBT等元器件晶片方面的應用,生產4-6英寸半絕緣片以及4H晶體N型導電碳化矽襯底片及其他產品製品。(來源:全球半導體觀察)

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