資本支出首超300億美元,三星投下「震撼彈」,NAND Flash供應將大幅增加!

2022-01-02 快閃記憶體市場

據媒體報導,由於半導體晶片的強勁需求,三星半導體事業部2021年資本支出有望首度突破300億美元。

強勁的財務增長是支持三星不斷提升投資額度的堅實後盾

雖然2020年突如其來的「新冠」疫情給世界經濟帶來了嚴重創傷,但是半導體晶片卻是為數不多繼續保持增長的行業之一。據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket數據,2020年全球半導體存儲市場規模預計達1220億美元,同比增長13%,其中NAND 560億美元,DRAM 660億美元。

三星作為把控著全球近四成半導體存儲晶片產能的第一大供應商,自然是首要獲利者。根據三星第三季度財報,由於手機和PC、筆記本產品出貨量高於預期,再加上LSI系統業務利潤和代工業務訂單增加,抵消了部分不利的影響,使得三星第三季度營收實現了有史以來最高的歷史記錄,半導體營業利潤也同比大漲。

 

數據來源:三星,中國快閃記憶體市場整理

近日三星發布了2020第四季度財務預測,在三季度較高的收入基準之下,環比銷售、利潤出現下滑,但是同比依舊呈增長之勢,尤其營業利潤同比漲幅達25.7%。

預計2021年三星的投資重點將更加側重NAND Flash及晶圓代工領域,DRAM投資或將趨緩

根據媒體報導,三星電子已經向半導體設備供應商提供了2021年設備採購計劃,資本支出將進一步提升20%到30%,意味著2021年三星全年資本總支出將達約318億美元。

 

數據來源:三星,中國快閃記憶體市場整理

根據目前各大原廠公布的投資擴產情況,2021年僅SK海力士M16工廠和美光A3工廠兩家DRAM廠區即將投入生產,而三星即將投產的廠區均為NAND Flash工廠。

 

除NAND Flash領域之外,自2020下半年發酵的晶圓代工產能緊缺影響不斷擴大,導致了電源管理IC、面板驅動IC、CMOS圖像傳感器、部分功率器件及MCU缺貨和漲價問題都非常嚴重。近日,聯電竹科力行廠突發停電將令本就緊張的8英寸晶圓產能更加雪上加霜。

三星在2019年就宣布誓要成為世界領先的存儲半導體和邏輯晶片領域的領導者。此前就有市場消息稱,三星計劃2021年將大部分投資用於NAND Flash、晶圓代工等,DRAM則維持2020年的水平,較為保守投資。

而在DRAM領域,由於市場集中性更為顯著,近日美光發布2021財年Q1財務業績時表示,DRAM已經過了谷底,預計2021年DRAM行業需求增長將達到15%以上,而DRAM行業bit供應量因為2020年原廠嚴控資本支出而低於需求。正與三星不謀而合,因此預計2021年DRAM供應將供不應求。

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