12月8日點開半導體某行業大號，一個關於中芯國際的好消息撲面而來，題目如下圖。
說實話，僅看標題就很振奮，中芯國際的工藝製程竟然已追上英特爾，老五追上老大，這速度可以！對英特爾來說，工藝製程被臺積電接連甩開，晶片性能被AMD一再吊打，曾經的好夥伴蘋果也甩手而去，2020年不順心的日子隨手抓起來就是一大把，現在又添上中芯國際，日子真有種沒法過的味道。
然而，點開標題卻是「該內容已被發布者刪除」。白高興無疑了。
作為行業媒體，不可能空穴來風，一定有什麼蛛絲馬跡引發了猜想。查了查，還真有。12月4日，有投資者在互動平臺向中芯國際提問「請問近來公司7nm產品生產研發進展如何？在國內外將產生怎樣的影響？」
不買股票的可能無法理解這句話背後的心情，尤其對中芯國際IPO上市第一天就上車的股民，7nm工藝面世意味著在山頂站崗的日子終於要結束了，畢竟臺積電5nm工藝製程剛投產，7nm大規模量產，中芯國際7nm工藝面世的話，和臺積電的差距縮小，公司估值將進一步提升。
然而現實比較骨感。
公司的回答是，第一代FinFET（鰭狀電晶體）14nm在2019年四季度進入量產，第二代FinFET已進入小量試產。
回答中的「第二代FinFET」很容易引起聯想，也是媒體報導容易出錯的地方。因為「第二代FinFET」就是中芯國際下一代「N+1」工藝。在公司2019年第四季度財報會議上，梁孟松博士透露的N+1信息為，在功耗和穩定性方面，N+1和7nm工藝非常相似。
換句話說，「第二代FinFET」等於「N+1」約等於7nm，也就是「第二代FinFET」約等於7nm。聯繫到英特爾的工藝製程目前最高是10nm，所以結論就是：中芯國際工藝已追上英特爾。
上面結論的邏輯看起來絲絲入扣，實際是大錯特錯，因為臺積電的X nm和英特爾的X nm完全是兩碼事，直接套數字會驢唇不對馬嘴。
英特爾14nm+++工藝製程和臺積電7nm工藝製程，在數字上差出一倍，看起來後者應該更厲害才是，然而電子顯微鏡下，兩種工藝製造的電晶體柵格僅差2nm，英特爾14nm+++的電晶體柵格寬度為24nm，臺積電7nm的電晶體柵格寬度為22nm。
說實話，不到9%的差距，說7nm是14nm++++都有點勉強。考慮到英特爾的14nm+++是14nm++的小改款，而14nm++相對於14nm、14nm+也是擠牙膏產品（見下圖），所以臺積電的7nm和英特爾的14nm相比，優勢不會太大，這也是英特爾一直不服臺積電的原因，有機會就強調比工藝製程先進與否，別比什麼Xnm，有本事比電晶體密度。
為何晶片製造工藝標準會如此混亂？答案和代工企業的宣傳策略有關。
在臺積電的對外宣傳中，7nm製程工藝有三個版本，一種是初代7nm，由DUV（深紫外）光刻機製造，俗稱N7，改良自10nm，第二種是N7的升級版，仍使用DUV光刻機，俗稱N7P，第三種是真正的7nm，首次引入EUV（極紫外）光刻機製造，即N7+。
驍龍855、麒麟980的工藝採用N7，驍龍865採用N7P，麒麟990則採用N7+。當時高通華為為爭搶7nm首發，搶得頭破血流，就和7nm的宣傳噱頭有關，但沒有EUV光刻機加持的7nm都是10nm的各種馬甲改良版，原因很簡單，ASML最先進的DUV光刻機TWINSCAN NXT：2000i的解析度，最高只能到38nm。
但普通用戶不知道這些太專業的東西，以為只要是7nm就是好，於是用戶、商家、代工廠皆大歡喜。
總之，英特爾的14nm和臺積電的第一代7nm差距微乎其微。真正讓臺積電拉開與英特爾工藝製程差距的，是EUV光刻機製造的7nm。英特爾14nm工藝的電晶體密度大約是0.373億個/平方毫米，10nm工藝的則增加了1.7倍，達到1.008億個/平方毫米，與臺積電EUV 7nm（第三代7nm工藝）的相當。
中芯國際的技術人才班底來自臺積電，梁孟松有過臺積電、三星任職經歷，所以「N+1」也就是14nm+，工藝製程應該略高於臺積電的16nm，顯然和英特爾的14nm是完全不能比的，畢竟英特爾的14nm相比臺積電的第一代7nm，差距都不算大。
前面的信息還提到，中芯國際的回覆中有「第二代FinFET」字樣，由於晶片的性能與電晶體結構和工藝製程有直接關係，那麼第二代FinFET是否意味著可以和英特爾掰掰手腕呢？答案是也不行。
英特爾的FinFET和中芯國際的FinFET有所不同，是自成一家，不對外授權，而且目前英特爾已經應用到第三代FinFET，僅代數上就要更高一級。
正因為如此，梁孟松對對N+1和7nm的界定是，在功耗和穩定性方面非常相似，而不是相同，也沒有提及性能，這種措辭其實已經給出了誰更強的答案。英特爾雖然近年來在擠牙膏，但晶片大戶的家底還是在的。
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