衝破的是黑暗，要打斷的是技術控制，中國科技企業一直在這條路上不懈探索，儘管面臨著巨大的阻撓。據多方消息，美國商務部於 12 月 18 日更新了「實體清單」，將國內第一大半導體晶片代工廠中芯國際列入其中。
熟悉的人應該有所耳聞，美國商務部此舉也是在川普政府的授意下，和此前的華為一樣，被列入「實體清單」後，中芯國際將無法直接與包含美國技術的企業進行合作。
根據外媒的表述，中芯國際如果想要使用美國技術或者是在美國技術基礎上運行的設備，都必須首先獲得美國出口許可。
尤其是10nm及更先進工藝相關技術，將嚴格禁止提供給中芯國際。
而且，美國國防部又宣布將中芯國際等公司列入「軍事最終用戶」（Military End-User），並且禁止美國投資者購買其股票。
當天中芯國際旋即對此回應稱：「本公司被列入中國涉軍企業名單，對本公司運營沒有重大影響。」並強調，「公司一直堅持合法合規經營，並遵守經營地的相關法律法規，其服務和產品從未涉及任何軍事用途，皆用於民用及商用。」
其實早在之前，業內就有部分跡象顯現。首先在 9 月 15 日，華為被正式禁止獲得使用美國技術和設備製造的晶片，中芯國際由於美國技術的原因，無法再與華為就剛量產不久的14nm工藝繼續合作，產能空虛使得中芯收入驟降。
其次在 10 月份，港交所發布的公告顯示，美國商務部已根據美國出口管制條例，向中芯國際的部分供貨商發出信函，對於向中芯國際出口的部分美國設備、配件及原物料，須事前申請出口許可證。
還有就是近日中芯內部的人士變更問題，據行業內知情人士透露，委任曾就職於臺積電的蔣尚義為公司董事會副董事長、第二類執行董事、戰略委員會成員，是直接引發中芯國際現任聯席CEO梁孟松的辭職的根本原因。
然而，萬幸的是，美國並未對中芯國際趕盡殺絕，只是封堵了其發展10納米及以下先進半導體製程所必須的美國物品。這似乎意味著中芯國際現有的成熟製程以及14nm製程工藝仍然可以維持正常運轉。
此外據了解，美系設備廠商內部人士表示，14nm工藝到7nm工藝的很多設備都是通用的，此前中芯國際的N14到N+2製程用的基本是一套設備。
也就是說，現有的用在14nm產線上的一些美系半導體設備，實際也可以被用於10nm及以下製程工藝的生產。
那麼按照美國商務部的禁令：禁止向中芯國際出口能夠被用於10nm及以下先進位程工藝的相關美系設備及材料。
如果按照部分分析機構的解讀，那麼則意味中芯國際的14nm製程產線有望繼續維持運轉，甚至N+1工藝也有可能，畢竟中芯國際方面並未明確N+1到底是等同於臺積電的哪個工藝節點。
國外設備工廠內部人士也側面表態：「美商務部自己目前估計也沒有分不清哪些是10nm以下所需的設備。什麼設備、材料能賣？什麼設備、材料不能賣？」
同時據國內產業鏈的消息稱，在新任副董事長蔣尚義的幫助下，中芯國際將很快接觸並尋求與荷蘭半導體設備公司阿斯麥(ASML)就EUV光刻設備進口問題進行談判。
報導稱，此前中芯國際一直難以從阿斯麥獲得EUV光刻設備，儘管阿斯麥在法律上不受某些約束條件的影響。但關於 EUV 光刻機向中國出口，ASML 的官方說法一直是：公司仍在等待新許可證申請的批准。
應當了解的是，目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。而DUV光刻機，分為幹分式與液浸式兩種。
其中，液浸式由ASML設計製造，其波長雖然有193nm，但等效為134nm，經過多重曝光後，液浸式光刻機也能夠達到7nm EUV工藝的要求。但是，每多一次曝光都會使得製造成本大大提升，而且良品率也難以控制。
而最先進的EUV光刻機則採用13.5nm波長的光源，是突破10nm尖端晶片製程節點必不可少的設備。
但是不管怎麼說，被美國列入實體清單之後，中芯國際後續採購美系半導體設備、零部件及材料註定會更加困難。
當然從另一方面來說，既然如今的中芯國際已經被美國列入實體清單，那麼完全可以與華為攜手，聯合國產以及歐洲、日本的半導體設備及材料廠商共建去美化產業鏈。