聯合碳化矽基於第四代先進技術推出新型SiC FET器件

2020-12-15 騰訊網

領先的碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC（聯合碳化矽）公司，現已基於其第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基於領先的品質因數（FoM）實現了新的性能水平，從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正（PFC）和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無與倫比，並且其單位面積通態電阻更低，本徵電容也很低。在硬開關應用中，第四代FET實現了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）規格則可實現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產品的性能（無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了最低的體二極體VF，並具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗並提高了效率。

這些新器件將聯合碳化矽的產品擴展到了750V，這樣就可以為設計人員提供更多的裕量並減少其設計約束。同時，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利於400/500V總線電壓應用。由於與±20V、5V Vth的柵極驅動器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動。因此，就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用。

正如聯合碳化矽C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：「從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器，這些器件可幫助各行各業的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰。

「我們將在未來9個月內發布許多第四代新器件，而在性價比、散熱效率和設計裕量等方面實現進一步提高。到那時，各行各業就都有望克服大規模採用的挑戰，並藉此加速創新。」

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