光刻機:半導體工業皇冠上的明珠 華為晶片破局的關鍵

2020-09-05 葵花寶典123

光刻機:半導體工業皇冠上的明珠

光刻機作為前道工藝七大設備之首(光刻機、刻蝕機、 鍍膜設備、量測設備、清洗機、離子注入機、其他設備),價值含量極大,在製造設 備投資額中單項佔比高達23%,技術要求極高,涉及精密光學、精密運動、高精度環 境控制等多項先進技術。光刻機是人類文明的智慧結晶,被譽為半導體工業皇冠上的明珠。


圖片來源:中銀國際

光刻機有多貴呢?2019年全年,ASML公司營收118.2億歐元,同比增長了8%,毛利率從46%下滑到了44.7%,全年淨利潤25.92億歐元。去年Q4季度,ASML出貨了8臺EUV光刻機,收到了9臺EUV光刻機訂單,全年EUV光刻機訂單量達到了62億歐元,也就是說ASML單臺光刻機售價超過十億人民幣。關鍵是由於美國的限制,中國有錢也買不到!

最為可氣的是,2018年,中芯國際向晶片機器製造商ASML發出了第一張訂單,訂購了一臺最新的EUV(極紫外線)技術光刻機,機器價格為1.2億歐元,於2019年交貨。但目前由於種種阻礙,ASML遲遲未向中芯國際交貨。EUV現在是用於領先工藝的關鍵光刻的首選解決方案,將支持未來十年的應用。可以說美國的禁令,讓中國晶片發展耽誤了至少數年的時機。(所以不要跟我說西方是完全的市場經濟)

半導體晶片產業鏈分為IC設計、IC製造、IC封測三大環節。光刻的主要作用是將掩模版 上的晶片電路圖轉移到矽片上,是IC製造的核心環節,也是整個IC製造中最複雜、最關鍵的工藝步驟。


光刻產業鏈 圖片來源:方正證券

在IC前道光刻機領域,ASML一家獨大,高端EUV 光刻機市佔率高達100%。從EUV、ArFi、ArF機型的出貨來看,全年共出貨154臺 ,其中ASML出貨130臺,在高端市場佔有84%的份額。


ASML產品線 圖片來源:方正證券

但如此強大的ASML,其設備也是全球產業鏈整合的結晶,單一國家很難完成全產業鏈生產,如果美國對ASML下達禁令,ASML同樣會面臨華為一樣的困境,所以不要再說華為沒有完全國產化就是山寨和低技術。


ASML光刻機是全球工藝整合的結晶 圖片來源:方正證券


光刻機的難點在哪

難點一:在ASML的光刻機中,光源需要以每秒五萬次的頻率,用20kW的雷射來擊打20微米 的錫滴,使液態錫汽化為等離子體,從而產生極紫外光(EUV)。

難點二:ASML的EUV光刻機可以實現13納米的解析度。

難點三:ASML無塵室內的空氣比外部乾淨1萬倍,為了實現這個目標,無塵室的通風設備必 須每小時淨化30萬立方米的空氣。

難點四:在ASML的高數值孔徑EUV設備中,為了能精確達到10納米以下的線寬以及1納米以 內的套刻精度,聚焦反射器必須非常平整。


光刻機技術圖 圖片來源:方正證券

要克服這其中的每一個難點,都需要全球工藝的極限精密化,全球眾多龍頭企業在自己的領域達到極致,而ASML最終將這些技術整合,成為集大成者。

國產光刻機發展

中國的光刻機發展起源於20世紀70年代,伴隨著半導體行業研究的興起,中國於1977年研 發成功第一臺光刻機,1978-1985年先後研製成功三臺光刻機,當時中國的半導體產業雖 然沒有達到當時世界先進水平,但是差距並不大。80年代底,由於中國信奉「造不如買」的發展理念,導致中國半導體行業停滯不前,直到2002年,國家開始重視光刻機的研發。 至今18年的時間裡,中國在逐步縮小和國際光刻機巨頭的差距,路漫漫其修遠兮,目前國內最優秀的光刻機企業上海微電子正在奮勇直追。


國產光刻機發展歷程圖 圖片來源:方正證券

02專項是什麼?在 02專項的十三五規劃中,突破28nm浸沒式光刻機 及核心組件被列入戰略目標,舉全國之力,匯集頂級科研人才開啟「光刻機雙工件臺 系統樣機研發」項目、「超分辨光刻裝備研製」項目、「極紫外光刻關鍵技術研究」 項目,現均取得重大突破。

國產光刻機市場空間與工藝水平剖析。隨著第三次全球半導體產業向中國轉移,國內 晶圓廠投資加速,光刻機作為新建晶圓廠的核心資本支出,市場空間進一步打開。 28nm作為當前關鍵技術節點,工藝製程從90nm突破至28nm,對於國產替代具有重大戰略意義。

中國在光刻機方面的投入很大、發展速度很快。近年來,多個12英寸晶圓廠項目落地中國大陸。SEMI的數據顯示,2017-2020年間 全球投產的半導體晶圓廠為62座,其中有26座設於中國大陸,佔全球總數的42%。 n 目前中國大陸12英寸晶圓廠的投資及生產情況:中國大陸在12英寸晶圓廠方面已投 資數千億美元,產品涉及多個領域與製程,多個項目已經在運行當中,其餘項目將在 未來2-3年內陸續投產。除去目前已經停擺的兩個項目(成都格芯和德科瑪南京), 目前中國大陸共計有31座在建/已建的12英寸晶圓廠,28座8英寸在建/已建/規劃中 的8英寸晶圓廠,項目主要集中在北京、成都、重慶及江浙一帶。


圖片來源:方正證券

上海微電子設備有限公司透露,將在2021-2022年交付首臺國產28nm工藝 浸沒式光刻機。消息一出,意味著國產光刻機工藝從以前的90nm一舉突破到28nm。雖然與世界最先進的7nm工藝還有很大的水平差距,但是像手機內部主板上的射頻 晶片、藍牙晶片、功放晶片、路由器上的晶片、各種電器的驅動晶片等用的還是28-90nm工藝的晶片。也就是說28nm光刻機足以滿足目前市場上主流晶片製造要求,到時候我國晶片的完全國產化率將會有質的提高。

值得注意的是,有傳言華為將收購上海微電子,如果成真,相信憑藉華為的企業文化、研發力度、資金投入,將會極大助力國產光刻機的發展,國產光刻機的發展前景又將光明起來。

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    在一顆晶片誕生的過程中,光刻是最關鍵又最複雜的一步。說最關鍵,是因為光刻的實質將掩膜版上的晶片電路圖轉移至矽片,化虛為實。說最複雜,是因為光刻工藝需要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等數十道工序才得以最終完成。
  • EUV 光刻機是中國半導體行業的唯一癥結嗎
    在一顆晶片誕生的過程中,光刻是最關鍵又最複雜的一步。說最關鍵,是因為光刻的實質將掩膜版上的晶片電路圖轉移至矽片,化虛為實。說最複雜,是因為光刻工藝需要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等數十道工序才得以最終完成。
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