前段時間，美國以所謂的國家安全為由，禁止相關企業為華為生產海思晶片。自從華為海思晶片的發展受到瓶頸以來，國內晶片製造行業一直是比較熱門的話題。從華為海思晶片的影響來看，國產晶片最大的問題就在於無法在技術上創新。所以，沒有主動權的中國企業，在該領域一直會受到國際情況的影響。從而導致晶片發展跟生產受到一定的限制。
這也讓很多國內晶片生產的企業意識到把握晶片核心技術的重要性。為了不讓這種情況發生，我們必須要擁有自己研發晶片的實力。但是從目前的情況來看，想要在傳統的晶片領域取得領先實在是有些異想天開。
國際一些知名企業在矽基晶片已經取得了5nm製造工藝，甚至3nm製造工藝的突破。反觀國內，雖說正在迎頭追趕，但到目前7nm製造工藝還未成熟。可以說這之間的差距不止一代。所以，想要在晶片製造領域取得先，就要另闢捷徑。
而這一捷徑，在今年就出現了苗頭，2020年，北京大學在4英寸的地基下，製備出99.9999%的碳納米管陣列，於是碳基晶片這個概念也就被大眾熟知。碳基晶片也叫石墨烯晶片，是由石墨烯納米管制成。與傳統的矽基晶片相比，性能或許會提升十倍。在國際各大企業還停留在矽基晶片的時代，我們如果能從碳基晶片取得突破，在晶片製造領域有很大概率實現彎道超車。
除了性能的強大之外，比較重要的一點在於碳基晶片不需要光刻機就能製造。一直以來，在晶片製造領域，光刻機都是必備的產品。但由於光刻機製造工藝複雜，成本較高，所以很多企業都可望而不可及，包括國內企業也是如此。碳基晶片不需要光刻機就能製造，在成本上也是解決了很大的問題。
在碳基晶片這一概念提出之後，包括華為在內的國內晶片製造企業已經與之取得聯繫，希望在該領域能取得突破。雖說目前發展前景還不得而知，但是我們已經開始著手準備碳基晶片，這在全球都處於領先的地位。如果能取得突破，那也有利率實現彎道超車。
總之，晶片製造領域，我們依然處於一個落後的地位。矽基晶片領域我們落後很多，想要迎頭追趕也確實不太現實。但如果能從碳基晶片取得突破，我們也就有了很多的機會實現反超。