臺積電公布3nm電晶體密度達250MTR/mm2

2020-12-03 天極網

隨著5nm工藝進入規模量產階段，臺積電也在第一季度的財報會議上首次披露3nm工藝節點的進展。按照臺積電官方的說法，第一代3nm工藝依然採用傳統的鰭式場效應管(FinFET)技術，GAA技術要在第二代3nm工藝上應用。採用FinFET工藝是臺積電經過評估多種選擇後，認為目前成本、能效的最佳選擇。

除了繼續使用FinFET技術外，臺積電同時披露了3nm工藝的電晶體密度，250MTr/mm2的密度可為前無古人。作為對比，採用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G的晶片尺寸113.31mm2，電晶體密度103億，平均電晶體密度符合此前公布的96.5MTr/mm2，是第一代7nm工藝的3.6倍。與第一代7nm工藝相比，臺積電5nm性能提升15%、能耗提升30%，而3nm較5nm性能提升7%、能耗提升15%。

此外，臺積電還表示，3nm工藝研發並未受疫情影響，進度符合預期，預計2021年進入風險試產階段，2022年下半年量產。臺積電對手三星則押寶3nm節點翻身，所以進度及技術選擇都很激進。三星3nm工藝將率先淘汰FinFET電晶體，直接使用GAA環繞柵極電晶體。但三星已經宣布，疫情已經影響到3nm工藝的開發。

編輯點評：隨著5nm工藝在2020年進入量產，更先進的3nm也被提上日程。2022年量產前，臺積電方面應該還會推出4nm工藝來彌補產品線，這個5nm工藝改良版應該會在2021年進入到大眾視野。

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