PingWest品玩4月20日訊,據快科技報導,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其電晶體密度達到了2.5億/mm。作為參考,採用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm,電晶體密度103億,平均下來是0.9億/mm,3nm工藝電晶體密度是7nm的3.6倍。
性能提升上,臺積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗提升15%。
此外臺積電還表示,3nm工藝研發符合預期,並沒有受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產階段,2022年下半年量產。
工藝上,臺積電評估多種選擇後認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發依然會是FinFET電晶體技術。