儘管三星追的很緊，但臺積電今年上半年就要開始量產5nm工藝了，本年度內蘋果、華為的A14及麒麟1020晶片訂單已經在手了。
再下一個節點就是3nm工藝了，這個節點非常重要，因為摩爾定律一直在放緩，FinFET電晶體一度被認為只能延續到5nm節點，3nm要換全新技術方向。
在這方面，三星將轉向GAA環繞柵極電晶體，根據官方所說，基於全新的GAA電晶體結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。
具體來說，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
由於之前在先進工藝上進度落後了，三星在3nm進行了一場豪賭，是第一個大規模上馬GAA技術的，目的就是希望通過激進的手段迅速扭轉晶圓代工市場上的地位，GAA成敗很關鍵。
相比之下，臺積電也在投資200億美元建設3nm晶圓廠，但一直沒有公布3nm的技術細節，其技術路線選擇將對未來先進晶片的代工產生重大影響。
根據最新的消息，臺積電可能沒有三星這麼激進，在3nm節點也會跟之前的7nm工藝一樣採取兩步走的方式，第一代3nm工藝還會繼續改進FinFET電晶體工藝，在第二代3nm或者2nm節點才會升級到GAA電晶體技術。
這樣做一方面是出於技術研發的考慮，臺積電在GAA技術上落後三星12到18個月，另一方面則是要在進度上趕超，2021年3月份就準備試產，所以不能急著上GAA工藝，先用FinFET工藝頂上。
臺積電在4月份會有一次專門的發布會，屆時會正式公布3nm工藝的技術細節。