臺積電2nm工藝研發進展超預期 將採用環繞柵極電晶體技術

2020-09-22 TechWeb

9月22日消息，據國外媒體報導，在5nm工藝今年一季度投產，為蘋果等客戶代工最新的處理器之後，晶片代工商臺積電下一步的工藝研發重點就將是更先進的3nm和2nm工藝。

在7月16日的二季度財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家透露，他們3nm工藝的研發正在按計劃推進，仍將採用成熟的鰭式場效應電晶體技術（FinFET），計劃在明年風險試產，2022年下半年大規模投產。

與多次提及的3nm工藝不同，臺積電目前並未公布太多2nm工藝的消息，在近幾個季度的財報分析師電話會議上均未曾提及。

雖然臺積電方面未對外公布2nm工藝的消息，但外媒援引產業鏈人士透露的消息，還是進行過多次報導。

在最新的報導中，外媒援引產業鏈消息人士的透露報導稱，臺積電2nm工藝的研發進展超出預期，快於他們的計劃。

這一消息人士還透露，臺積電的2nm工藝，不會繼續採用成熟的鰭式場效應電晶體技術，而會採用環繞柵極電晶體技術（GAA）。

在此前的報導中，外媒提及的與臺積電2nm工藝相關的信息，出現過兩次，均是在8月底。其一是臺積電已在謀劃2nm工藝的晶片生產工廠，將建在總部所在的新竹科學園區，臺積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛，透露他們已經獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的臺積電2020年度全球技術論壇上，他們透露正在同一家主要客戶緊密合作，加快2nm工藝的研發進展，相關的投資也在推進。

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    近日，據外媒報導，在晶片製造工藝方面全球領先的臺積電，正在研發2nm工藝，而且生產工廠也在謀劃。據悉，臺積電董事長劉德音透露，他們可能擴建臺中的工廠，並增加2nm工藝產能。從臺積電官網公布的信息來看，他們目前在臺中只有一座工廠，也就是晶圓十五廠，是臺積電現有的6座12英寸超大晶圓廠之一。據了解，臺積電的2nm工藝正在研發，但是距投產還需要一段時間，他們在3nm工藝投產之後，才會關注2nm工藝的投產事宜。臺積電3nm工藝計劃在2021年進行風險試產，2022年進行大規模投產。
  • 華為澳大利亞已裁千人；傳高通計劃將部分訂單移出中芯國際；臺積電2nm工藝研發進展超預期
    中芯國際也是高通的晶片代工商之一，兩家公司此前有晶片代工協議，中芯國際採用0.18微米工藝為高通代工電源管理晶片，採用28nm及14nm工藝為高通代工部分移動終端應用處理器。產業鏈消息人士還透露，高通是中芯國際的三大客戶之一，後者晶圓代工收入的約13%，是來自高通。
  • 臺積電公布3nm電晶體密度達250MTR/mm2
    隨著5nm工藝進入規模量產階段，臺積電也在第一季度的財報會議上首次披露3nm工藝節點的進展。按照臺積電官方的說法，第一代3nm工藝依然採用傳統的鰭式場效應管(FinFET)技術，GAA技術要在第二代3nm工藝上應用。
  • 先不上GAA電晶體 臺積電第一代3nm工藝將繼續用FinFET技術
    在這方面，三星將轉向GAA環繞柵極電晶體，根據官方所說，基於全新的GAA電晶體結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
  • 臺積電2nm工藝進展如何了?MBCFET架構獲重大突破
    據臺灣經濟日報最新報導，臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年就能步入量產階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續摩爾定律，繼續挺進1nm工藝的研發。
  • 臺積電2nm工藝有望2023年風險試產 次年大規模投產
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  • 臺積電2nm工藝取得突破，將進一步拉大差距，張忠謀說對了
    眾所周知臺積電是目前工藝製程最先進的製造商。截止今年二季度全球超過5成的晶片代工訂單都在臺積電手裡。目前全球最先進的5nm製程也已經量產，並且隨著蘋果A14晶片的發布，臺積電5nm製程技術正式被應用到產品中。在5nm工藝成熟之後，臺積電下一步將要重點研發3nm和2nm工藝。
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    據業內人士透露，臺積電未來的2納米工藝會利用GAA技術，目前正以超過預期的速度進行開發。雖然三星已經計劃在2021年的3納米節點（量產）上改用GAA技術，但臺積電錶示，其3納米節點將繼續使用FinFET工藝，而基於GAA技術的2nm節點將在2023年下半年開始量產。不過，目前臺積電遙遙領先於其韓國競爭對手，大多數晶片製造商希望2021年採用5納米工藝，繼蘋果之後。
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  • 8000工程師上陣 臺積電將新建研發中心:攻堅2nm工藝
    在今天開幕的臺積電技術論壇上，臺積電除了公布5nm、4nm、3nm工藝進展之外，還正式宣布建設新的研發中心，預計將有8000多名工程師投入到一條先進工藝生產線上，目的是攻克2nm工藝。前不久臺積電以36.5億新臺幣的價格收購了同樣位於南科工業園的力特公司的偏振光廠房，要建設新的生產廠，不過臺積電官方沒有明確這個工廠是為2nm研發中心準備的。由於訂單大增，今年以來臺積電已經投入上百億新臺幣購買土地以便擴張產能。
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    在今天開幕的臺積電技術論壇上，臺積電除了公布5nm、4nm、3nm工藝進展之外，還正式宣布建設新的研發中心，預計將有8000多名工程師投入到一條先進工藝生產線上，目的是攻克2nm工藝。前不久臺積電以36．5億新臺幣的價格收購了同樣位於南科工業園的力特公司的偏振光廠房，要建設新的生產廠，不過臺積電官方沒有明確這個工廠是為2nm研發中心準備的。由於訂單大增，今年以來臺積電已經投入上百億新臺幣購買土地以便擴張產能。目前不論三星還是臺積電，半導體工藝已經做到了3nm級別，技術研發基本完成，剩下的就是建廠量產的問題了。
  • 臺積電硬槓三星半導體，2nm晶片技術取得重大突破
    | 然而，三星高興的太早，7月13號，臺媒報導稱：臺積電2nm晶片技術研發已取得重大突破，已經找到了實現的路徑，將採用切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA目前三星半導體，成功研發3nm工藝，距離臺積電的2nm還差至少一年，所以目前臺積電是領先於三星的，不過也不能放鬆警惕，畢竟三星也隨時都有可能趕超。
  • 臺積電2nm工藝重大突破
    據臺媒報導，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。供應鏈透露，有別於3nm和5nm採用鰭式場效應電晶體（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。
  • 臺積電2nm工藝率先突破，三星還追得上嗎？
    在先進工藝上臺積電依然一騎絕塵。除是全球唯一一家有能力量產5nm晶片的廠商之外，臺積電在3nm晶片的工藝亦進展順利，將在2021年試產，2022而在近日臺灣經濟日報放出消息，臺積電在2nm工藝上實現技術突破，2023年將進行小規模試產。如果一切順利，臺積電2nm晶片在2024年就能批量上市，這比原本預期時間早了足足一年。另外，報導還指出，臺積電將在2nm晶片上嘗試全新的環繞柵極電晶體技術，這項技術可以更好地控制晶片漏電問題，提升晶片使用壽命，提高良品率。如果單看技術，三星只落後於臺積電半年時間。
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    當前，最先進的晶片已經採用了5nm工藝（蘋果A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進位程技術的迭代。來自Digitimes的最新報導稱，臺積電2nm GAA工藝研發進度提前，目前已經結束了路徑探索階段。
  • 採用GAA技術 臺積電2nm工藝研發已找到路徑
    近日，據臺灣媒體報導，臺積電正在加緊衝刺2nm製程，並有重大突破，已經研發找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)。     此前，三星已經決定在3nm率先導入GAA技術，並表示在2030年超越臺積電，從而獲得全球邏輯晶片代工第一位置
  • 臺積電2nm GAA工藝研發進度超前 已經結束路徑探索階段
    當前，最先進的晶片已經採用了5nm工藝（蘋果A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進位程技術的迭代。　　來自Digitimes的最新報導稱，臺積電2nm GAA工藝研發進度提前，目前已經結束了路徑探索階段。