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PPT預告:微軟將深入介紹Xbox Series X晶片架構設計的細節
在 Hot Chips 2020 活動期間,微軟深入細緻地介紹了 Xbox Series X 的體系架構。由預發布的演示文稿可知,其中大多是我們已經知曉的細節,但也包含了一些有趣的新內容,比如處理器的管芯圖。首先,Xbox Series X 具有 8 核 / 16 線程的 Zen 2 CPU、以及 52 組 CU 的 GPU,但這是我們首次見到完整的圖片。
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PPT預告:微軟將深入介紹Xbox Series X晶片架構設計的細節
在 Hot Chips 2020 活動期間,微軟深入細緻地介紹了 Xbox Series X 的體系架構。由預發布的演示文稿可知,其中大多是我們已經知曉的細節,但也包含了一些有趣的新內容,比如處理器的管芯圖。
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PS5主要配置公布,對比xbox series x,遊戲主機哪家強?(上篇)
xbox & psxbox series x首先我們看看微軟在人家微軟一頓亂吹後,說實話我是聽得非常心潮澎湃,甚至有些想倒戈。畢竟玩家也是牆頭草,哪家良心往哪倒,那麼我們首先看看微軟在xbox series x上都有哪一些神操作吧:1.xbox完全支持向下兼容:老遊戲可以在新主機上完美遊玩,和老任相比,簡直是十分良心。
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Xbox Series X處理器完整架構公布:預留兩組GPU單元
索尼PS5、微軟Xbox Series X都配備了與AMD聯合設計的SoC處理器,規格參數已經基本沒什麼秘密了。HotChips 2020大會上,微軟又公布了Xbox Series X處理器的詳細架構設計、技術特性。
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Xbox Series X處理器完整架構公布:預留兩組GPU單元
索尼PS5、微軟Xbox Series X都配備了與AMD聯合設計的SoC處理器,規格參數已經基本沒什麼秘密了。HotChips 2020大會上,微軟又公布了Xbox Series X處理器的詳細架構設計、技術特性。
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臺積電3nm細節公布:2.5億電晶體/mm2
PingWest品玩4月20日訊,據快科技報導,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其電晶體密度達到了2.5億/mm。作為參考,採用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm,電晶體密度103億,平均下來是0.9億/mm,3nm工藝電晶體密度是7nm的3.6倍。性能提升上,臺積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗提升15%。
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臺積電公布3nm電晶體密度達250MTR/mm2
隨著5nm工藝進入規模量產階段,臺積電也在第一季度的財報會議上首次披露3nm工藝節點的進展。按照臺積電官方的說法,第一代3nm工藝依然採用傳統的鰭式場效應管(FinFET)技術,GAA技術要在第二代3nm工藝上應用。
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臺積電3nm細節公布:2.5億電晶體/mm2 能耗性能大提升
近日,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其電晶體密度達到了破天荒的2.5億/mm!作為參考,採用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm,電晶體密度103億,平均下來是0.9億/mm,3nm工藝電晶體密度是7nm的3.6倍。這個密度形象化比喻一下,就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。
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臺積電5nm電晶體密度每平方毫米超1.7億個 較7nm提高88%
臺積電已在本月開始5nm工藝的試產,第二季度內投入規模量產,蘋果A14、華為麒麟1020、AMDZen4等處理器都會使用它,而且消息稱初期產能已經被客戶完全包圓,尤其是蘋果佔了最大頭。臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標,只知道會大規模集成EUV極紫外光刻技術,不過在一篇論文中披露了一張電晶體結構側視圖。
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xbox series x恐成贏家,PS5瘋狂超頻依然趕不上
微軟在前幾天公布了xbox series x除售價以外的全部信息甚至是包括內部構造。緊接著索尼方面也緊急公布了PS5的相關參數,不過索尼這次似乎是準備的有點倉促。發布會大部分時間在解析SSD,GPU性能也疑似通過超頻將浮點運算提升到10.2T。和隔壁家機器都拆了相比,PS5除硬體配置外主機外觀任然沒有公布。
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Xbox X最深的秘密公布:果然留了一手大招!
HotChips 2020大會上,微軟又公布了Xbox Series X處理器的詳細架構設計、技術特性。SoC處理器由微軟聯合AMD共同開發,採用臺積電7nm增強版工藝製造,集成153億個電晶體,核心面積360.4平方毫米,12層基底,2963-ball BGA封裝面積52.5×52.5毫米。
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微軟公布Xbox主機更多相關參數:電晶體數達153億
8月18號消息,微軟在當天舉行的Hot Chip 2020主題演講當中,公布了Xbox Series X所搭載的AMD Soc的更多相關信息,該處理採用8核心16線程設計,電晶體數量高達153億,性能有非常大幅的的提升。
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153億電晶體,華為Mate 40的麒麟9000是什麼水平?
億,指的是在這塊指甲蓋大小晶片上集成了約153億電晶體。事實上,幾乎每家廠商在推出新一代處理器時,都會強調其集成的電晶體數量,比如iPhone 12搭載的A14電晶體的數量是118億。所以,同樣是臺積電的5納米製程,華為麒麟9000的電晶體數量比蘋果A14多了30%,工藝的先進性、電晶體數量、集成度等都為業界之最。即使對晶片一無所知,你也能從廠商的態度感受到電晶體的重要性了。
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臺積電3nm細節:2.5億電晶體/mm2 能耗性能提升
近日,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其電晶體密度達到了破天荒的2.5億/mm?! 作為參考,採用臺積電7nm EUV工藝的麒麟9905G尺寸113.31mm?,電晶體密度103億,平均下來是0.9億/mm?,3nm工藝電晶體密度是7nm的3.6倍。這個密度形象化比喻一下,就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。
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臺積電披露3nm工藝:電晶體密度達每平方毫米2.5億個性能較5nm提升7%
臺積電終於披露了 3nm 工藝的細節,在 3nm 節點上,電晶體密度將達到每平方毫米 2.5 億個。臺積電執行長確認 3nm 節點的開發正在按計劃進行,計劃於 2021 年進行風險生產,並於 2022 年下半年開始批量生產。
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每平方毫米容納1.713億個電晶體:臺積電5nm工藝分析
近日,WikiChip依據Techcon 2019、IEEE IEDM和ISSCC 2020等會議上披露的信息,分析了臺積電的5nm工藝。好消息是,摩爾定律依然有效:5nm與7nm製程相比,縮放比例為1.84。
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臺積電5nm工藝分析 每平方毫米容納1.713億個電晶體!
近日又有一個大消息傳了出來,那就是臺積電的5nm電晶體密度比官方宣傳的還要誇張!眾所周知,官方宣傳的數據一般都是最理想的情況了,甚至還有可能有一些數據失真。但臺積電的實測竟然把自己的臉給打了。按照摩爾定律,半導體晶片的電晶體密度每2年翻倍。
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臺積電5nm電晶體密度比7nm提高88%
根據報導,臺積電已在本月開始5nm工藝的試產,第二季度內投入規模量產,蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它,而且消息稱初期產能已經被客戶完全包圓,尤其是蘋果佔了最大頭。而目前臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標,只知道會大規模集成EUV極紫外光刻技術,不過在一篇論文中披露了一張電晶體結構側視圖。
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麒麟9000:全球首款5nm 5G SoC,153億電晶體
全球首款 5nm 5G SoC,153億電晶體舉世無雙據了解,華為 Mate 40 系列搭載的麒麟 9000 處理器,是全球第一顆也是唯一一顆採用 5nm 工藝製造的 5G SoC,該晶片集成了多達 153 億個電晶體,首次突破 150 億大關,是目前市面上所有晶片中電晶體最多,功能最完整的 5G SoC。
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華為芯最後的倔強:老內核、新工藝、硬塞進153億電晶體
昨天,華為Mate40正式全球發布,同時Mate40使用的5nm晶片麒麟9000也正式發布。考慮到9月15日後,臺積電已不再幫華為生產晶片,除非拿到許可證或禁令解除。的安卓晶片,也是全球第一顆5nm的麒麟5G的晶片,也是目前全球唯一一顆電晶體超過150億的手機Soc。