2納米晶片獲重大突破，臺積電一騎絕塵！晶片製程的極限究竟在哪

據臺媒透露，有別於3nm與5nm採用鰭式場效電晶體架構，臺積電2nm改採全新的多橋通道場效電晶體架構，研發進度超前。

根據臺積電近年來整個先進位程的布局，業界估計，臺積電2nm將在2023下半年推出。

而對於3納米的晶片，臺積電計劃在2021年上半年進行試產。在2022年上半年預計能夠做到量產。觀如今的三星，依舊3納米遙遙無期，不得不說，臺積電作為第一家官宣2nm工藝的公司，研發進度十分超前，臺積電再次狠狠的甩開了其他公司。

幾十年來，半導體行業進步的背後存在著一條金科玉律，即摩爾定律。

摩爾定律表明：每隔 18~24 個月，集成電路上可容納的元器件數目便會增加一倍，晶片的性能也會隨之翻一番。

十年前就有人預測摩爾定律會止步5納米，然而如今2納米晶片都快量產了，摩爾定律的極限究竟在哪裡，耐人尋味。

而且今年臺積電預計在研發方面資本輸出150億美元左右。英特爾如今還在14納米精耕細作，卻和臺積電的差距不斷拉大。

臺積電一騎絕塵

能夠和臺積電匹敵的幾乎只有三星了，然而三星現在還沒有做到5納米晶片的量產。

對於臺積電，5納米晶片預計在今年第四季度達到兩萬片一個月的產量，3納米晶片明年試產，2納米取得很大的突破。可以說，在晶片代工領域，臺積電就是最強的，而且這種趨勢至少會保持5年。

去年6月，臺積電正式宣布啟動2nm工藝的研發。

按照臺積電給出的指標顯示，2nm工藝是一個重要節點。Metal Track（金屬單元高度）和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch（電晶體柵極間距）縮小到30nm，Metal Pitch（金屬間距）縮小到20nm，相比於3nm都小了23%。

以環繞式柵極技術（GAA）

臺積電2nm採用了以環繞式柵極技術（GAA）為基礎的MBCFET架構，解決FinFET因製程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題。也就是說，以環繞式柵極技術（GAA）的出現成功替代了FinFET，把目前晶片製程的極限再次拉高。

臺積電旗下目前共有13座晶圓廠，其中6座在新竹，分別是12英寸超大晶圓的晶圓十二A廠和晶圓十二B廠，8英寸晶圓的晶圓三廠、晶圓五廠和晶圓八廠，以及6英寸晶圓的晶圓二廠。

除了6座晶圓廠，臺積電旗下的4座封測工廠中，先進封測一廠也在新竹科學園區。

摩爾定律或許沒有極限

摩爾定律的極限一次又一次的被打破，在30納米時有FinFET技術，如今3納米臺積電推出了以環繞式柵極技術（GAA），晶片製程的極限究竟在哪裡未可知！