晶片之爭迎來轉機，中國碳基晶片取得新突破，能實現彎道超車嗎？

2020-09-07 小蘑菇壹號

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導讀：晶片之爭迎來轉機，中國碳基晶片取得新突破，能實現彎道超車嗎？

眾所周知，經過這麼多年時間的快速發展，如今科技已經成為了推動我們社會往前發展的最重要力量之一；而在科技領域，半導體晶片又是我們不得不重視的一大領域；作為科技發展最頂級的人類智慧結晶，可以說晶片從某種程度上也代表著整個科技產業的發達程度；很可惜的是，我國在半導體晶片領域的發展一直都是落後於西方發達國家的，這就導致國產科技企業的發展很容易被人卡脖子！

目前，在矽基半導體晶片領域，最先進的工藝水平已經達到了5nm工藝，但隨著矽基晶片越來越靠近物理極限，摩爾定律也即將失效，所以現在整個科技領域也正在尋找矽基晶片的替代品；雖然說我國在矽基晶片領域的發展比較落後，而且華為還遭遇打壓，被人斷供晶片，但我們從未放棄過在晶片領域的發展，而現在晶片之爭也迎來了一定的轉機，中國在碳基晶片領域取得新突破，對此不少網友也產生疑問：這能幫助實現彎道超車嗎？

要知道，現在整個科技領域所使用的晶片都是矽基晶片，這一晶片的原材料主要是矽元素；而矽在地球的含量非常非常的多，還很易於獲得，所以矽基晶片流行了這麼多年也依然還深受人們的歡迎；而在矽基晶片領域的研發，最早被美國科學家所發現，所以美國也牢牢的掌控著矽基晶片發展的話語權，但矽基晶片的發展其實也是有一定短板的，因為矽材料有一定的物理極限限制，所以隨著摩爾定律不斷的逼近極限，矽材料的各種問題也就開始顯現出來了。

雖然說現在的晶片工藝水平已經達到了5nm，而更加先進的3nm工藝也已經在研發中了，但是再想往前進就非常的困難了，所以一直以來，也有不少的科研機構在研發更加先進的碳基晶片，用碳(C)做晶片的原材料，這樣就能獲得新的突破，因為碳的自身性能遠優於矽，運行速度也比矽基晶片快5-10倍，而功耗卻只有其十分之一，所以碳基晶片也就成為了未來晶片領域發展的一大方向。

而在碳基晶片領域的研究，國產科技企業很早就已經開始了，像華為此前就研發出了石墨烯電池，而且我國北京大學的院士和專家團隊也一直在致力於對碳基晶片的研究，早在2017年，北大團隊就研發出了5nm的碳納米管CMOS器件，而現在北大的研究團隊經過不斷的努力，又終於做出了超高純度的碳納米管，並且做到了在晶圓矽片上每微米排列100到200個碳納米管，使得大規模商業化製作成為可能。

隨著中國在碳基晶片上不斷的取得技術優勢，也將有利於幫助我們在晶片領域實現彎道超車；但由於晶片的生產和製作還需要設計、製造、封裝測試等等一系列的流程，這其中有上千個步驟；所以我們國內的團隊也還需要更多的努力才行，而短時間來看，我們想要靠碳基晶片快速的實現彎道超車還是有點不太現實的；不過碳基晶片將成為我們在集成電路晶片領域超車制勝的利器！不知道對此你是怎麼看的呢？歡迎留言發表你的看法！

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  • 華為晶片迎來轉機，中國碳基晶片取得新突破，能實現彎道超車嗎？
    雖然說我國在矽基晶片領域的發展比較落後，而且華為還遭遇打壓，被人斷供晶片，但我們從未放棄過在晶片領域的發展，而現在晶片之爭也迎來了一定的轉機，中國在碳基晶片領域取得新突破，對此不少網友也產生疑問：這能幫助實現彎道超車嗎？
  • 晶片之戰的思考：中國碳基晶片有突破，彎道超車​能否實現？
    ，但矽基晶片現如今是越來越靠近物理極限，摩爾定律也將失效，中美的「晶片之戰」也可以說是迎來了重要的轉折，是中國實現彎道超車的一個機會。碳多方面都明顯優於矽，或許可以更近一步靠近摩爾定律極限。中國的碳基晶片取得突破，彎道超車能否實現？早在2007年的那個時候，中國知名的彭練矛院士還有著名的張志勇教授的研究團隊，就已經著手展開對碳基晶片研究。
  • 「碳基晶片」取得突破!性能提升10倍,碳基晶片有望實現彎道超車
    據目前了解，傳統的矽基晶片已經由國外領先進行研發，使用矽基製造出的晶片會陷入一個瓶頸當中，其中極限工藝製程大概在2nm到1.5nm，目前，臺積電的製程工藝維持在5nm，更高級別的3nm還在探索研發。即便是5nm工藝製程在我國都難以得到實現，就連中芯國際也是束手無策。
  • 「碳基晶片」取得突破！性能提升10倍，碳基晶片有望實現彎道超車
    即便是5nm工藝製程在我國都難以得到實現，就連中芯國際也是束手無策。為了取得晶片的發展進程，也有了碳基晶片這個概念，碳基晶片簡稱，由石墨烯碳納米管制成，也就是換了一種材料來製成晶片。據悉，對於碳基晶片也從概念轉入研發當中，2020年，北京大學張志勇教授和彭練矛教授取得了碳基晶片取得突破，採用全新的提純方式和組裝，製造出高純半導體陣列碳納米管材料，研製出99.9999%
  • 國產晶片迎來轉機？中科院功不可沒！或將實現「彎道超車」
    導讀：國產晶片迎來轉機？中科院功不可沒！或將實現「彎道超車」！，我國在很多科技領域的發展都走在了世界的前列，像5G技術，人工智慧AI技術以及航空航天技術等等我們都已經有了明顯的突破，而在這些前沿科技領域裡，經過不斷的努力，我們也取得了讓人矚目的成績；不過在一些核心科技領域裡，我們也還有一定的薄弱之處，像半導體晶片就是國產科技企業目前最為薄弱的一部分！
  • 北大助力華為彎道超車，碳基晶片問世，果真能解決中國缺芯之痛？
    簡單來說，每隔兩年，晶片的性能將會翻番。但是伴隨著全球矽基晶片工藝製程的不斷發展，在未來的幾年之內將會達到摩爾定律的極限，因此很難再有大的突破。這同時意味著，以代工聞名全球的臺積電製造商在矽基晶片的發展上已經接近尾聲。面對矽基材料的尺寸極限，如何在下一個風口實現晶片發展的彎道超車，我國北大科研團體給出了答案。
  • 被寄予厚望的碳基晶片，能否繞開光刻機，實現國產晶片彎道超車
    日前，全球第一大專業晶圓代工廠臺積電傳來好消息，該公司的2nm研發實現重大突破，預計2023年底即可進行風險性試產。放眼全球晶圓代工領域，只有臺積電掌握著最高精度的工藝，這一技術優勢令臺積電穩居龍頭之位。但現階段半導體工藝一路萎縮，晶片精度即將面臨物理極限。
  • 碳基晶片對比矽晶晶片,它有可能讓我們實現在晶片上彎道超車嗎
    但並是在性能的提升上只有一條路可以走，換上更優秀的材料依舊能讓其實現性能上的突破。而北京大學數年的研究就是這樣的目的，他們研究的碳基晶片與現在市面上的矽晶晶片上性能上也有著很大的差距，要是能實現商用就能打破我們現在晶片行業的困境。
  • 晶片之戰迎來轉折，中國碳基晶片獲得突破，可以彎道超越麼？
    晶片，晶片，晶片，是人類頂尖智慧的結晶，也是中國高科技產業的痛。而隨著矽基晶片越來越靠近物理極限，摩爾定律即將失效，晶片的未來出路在哪裡？中國又該怎麼做到彎道超車？能夠彎道超車嗎?目前來看，中國在碳基晶片上有著技術優勢，但碳基晶片的出現，能夠幫助我們中國彎道超車麼？完整的晶片製作需要設計、製造、封裝測試，這裡面有上千個步驟。我們的晶片設計能力很強，但是晶片設計的EDA軟體都被美國Cadence、Synopsys和西門子旗下Mentor Graphics三家公司壟斷。
  • 碳基晶片真的能夠彎道超車嗎？
    最近關於華為晶片供應鏈的話題一直都很沉重。「夭折」，解決晶片領域「卡脖子」的難題，從來沒有現在這麼迫切過。有很多人認為摩爾定律已經逼近極限，矽基晶片的缺陷越來越明顯，再次把碳基晶片這個話題拋了出來，甚至希望這方面的突破能夠彎道超車，快速化解我們晶片領域面臨的「卡脖子」問題。
  • 碳基晶片取得突破，由石墨烯碳納米管制成，或比矽基晶片提升10倍
    既然難以實現直線超車，彎道超車，那為什麼不能換道超車呢？於是有了碳基晶片這個概念，碳基晶片也叫石墨烯晶片，是由石墨烯碳納米管制成。換一種材料來製造晶片，而且是在別人沒有取得突破的情況下進行，這說明我們已經領先一步。
  • 國產晶片的希望，碳基晶片取得成功，或將超越矽基晶片
    為了不讓這種情況發生，我們必須要擁有自己研發晶片的實力。但是從目前的情況來看，想要在傳統的晶片領域取得領先實在是有些異想天開。國際一些知名企業在矽基晶片已經取得了5nm製造工藝，甚至3nm製造工藝的突破。反觀國內，雖說正在迎頭追趕，但到目前7nm製造工藝還未成熟。可以說這之間的差距不止一代。所以，想要在晶片製造領域取得先，就要另闢捷徑。
  • 碳基晶片是否能取代矽基晶片？是否能助力半導體工業彎道超車？
    作為全球先進的晶片製造商臺積電，在矽基晶片的研發上已經突破到了5nm工藝，並且正在向2nm工藝進發，但2nm之後矽基晶片的工藝似乎遇到了瓶頸。而我國雖然在晶片設計上有所成就，但是在光刻機等製造設備中卻無法突破。兩種情況的趨勢下，全世界科技人員開始了新材料晶片的研發。碳基晶片是否需要光刻機?
  • 碳基晶片取得突破，性能或比矽基晶片強？
    所以要想彎道超車，必須擺脫原有思路，尋找新的技術與材料，目前全球公認的下一代晶片製造替代材料之一就是碳基半導體材料而就在前一段時間，北京碳基集成電路研究院宣布：中科院的張志勇教授以及彭練矛教授的基於碳基納米管晶體晶片的研發團取得了重大突破
  • 國產晶片技術實現「全新突破」？碳基晶片或將引領晶片新革新
    所以我們必須換個方法，或許能實現彎道超車的可能。 碳基晶片近日，我們「中國芯」夢想又往前邁進了一大步！我國在碳基半導體技術取得關鍵性突破，北京元芯碳基集成電路研究院宣布，在彭練矛和張志勇教授帶領的團隊下，經過多年研究與實踐，解決了長期困擾碳基半導體材料製備的瓶頸，如材料的純度、密度與面積問題。
  • 碳基晶片迎來新突破，性能超矽基晶片10倍
    目前華為的晶片不容樂觀，中科院方面卻傳來一個好消息，我們的晶片或許能夠實現彎道超車，碳基晶片迎來了新的突破，碳基晶片也可以稱之石墨烯晶片，該晶片不需要經過光刻機這個流程，所以可以完美地避開光刻機這一個缺陷，並且石墨烯晶片在性能上超過矽基晶片10倍。
  • 華為是在孤軍奮戰嗎？量子、光子、碳基晶片能彎道超車嗎？
    2019年中國進口晶片超過3040億美元，從這進口的規模也能看出中國對晶片的依賴的程度非常之大。特別是在高端晶片這一塊，有的100%依賴進口。通過華為的事情，很多人了解到了晶片製造的難度，一度引發國人有種無奈、甚至有些絕望的感覺。
  • 晶片製造又有好消息傳來,碳基晶片取得成功,矽基晶片成過去式?
    前段時間，美國以所謂的國家安全為由，禁止相關企業為華為生產海思晶片。自從華為海思晶片的發展受到瓶頸以來，國內晶片製造行業一直是比較熱門的話題。從華為海思晶片的影響來看，國產晶片最大的問題就在於無法在技術上創新。所以，沒有主動權的中國企業，在該領域一直會受到國際情況的影響。
  • 中國『芯』轉機，不用光刻機的碳基晶片誕生，彎道超車不是夢想
    而目前華為取得的成績是設計，而量產投入使用還需要頂級的晶片製造商—臺積電。作為全球頂級的的晶片代工廠，有米國背後的技術支撐，再加上ASML的頂級光刻機，臺積電在矽基晶片的製造工藝已經突破到5nm進程。沒有光刻機無法製造出高端晶片，面對壟斷聰明的中國人選擇在製造材料上下手，繞過沒有光刻機的窘境。於是碳基晶片誕生了，一種不用光刻機就能製造的晶片。傳統矽基晶片的製造過程頗為複雜，經過拋光、光刻、蝕刻、離子注入等工藝……整個過程是無法離開光刻機和刻蝕機的。
  • 麒麟晶片成絕版，能否通過碳基晶片、量子晶片彎道超車？
    而國內的研究也不甘落後，北大的碳基團隊就在碳管制備技術、碳管器件物理、性能極限探索上取得了巨大突破，造出了5納米碳納米管CMOS器件，將電晶體性能推至理論極限。看到這裡，也許您就會產生如下的疑惑：既然使用100納米的碳基晶片，可以達到10納米左右的矽基晶片的效果，那麼大力投入碳基晶片的研發，我們是否就能避開光刻機的限制，實現彎道超車了呢？答案是比較困難。