臺積電2nm重大突破
2020-11-19 水木梧桐如今5nm才剛剛起步，臺積電的技術儲備就已經緊張到了2nm，並朝著1nm邁進。根據最新報導，臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年就能步入量產階段。
臺積電2nm工藝重大突破
臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續摩爾定律，繼續挺進1nm工藝的研發。預計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先採納其2nm工藝，此前關於摩爾定律已經失效的結論或許就要被臺積電再次打破了。
臺積電2nm工藝重大突破
2nm工藝上，臺積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場效應電晶體)，甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)，也就是納米線(nanowire)，而是將其拓展成為「MBCFET」(多橋通道場效應電晶體)，也就是納米片(nanosheet)。
從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。新工藝的成本越發會成為天文數字，三星已經在5nm工藝研發上已經投入了大約4.8億美元，3nm GAAFET上會大大超過5億美元。
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臺積電2nm製程重大突破!GAA技術
7月13日消息，據臺媒經濟日報報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around -
臺積電2nm技術重大突破，距離1nm工藝CPU還有多遠？
據悉臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到供應鏈透露，有別於3nm和5nm採用鰭式場效應電晶體（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。 -
臺積電舉辦慶功宴:2nm製程取得重大突破
【天極網IT新聞頻道】7月13日消息，臺積電作為全球最大的半導體供應商，憑藉領先技術優勢獲得了包括蘋果、華為、高通等大客戶。現在有臺灣媒體報導稱，臺積電在2nm研發有重大突破。 報導稱，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。 -
國產晶片，即使追趕也要卯足全力，臺積電2nm製程重大突破
據臺媒經濟日報透露，臺積電2nm製程研發獲重大突破。隨著臺積電在2nm新製程節點有重大突破，宣示臺積電將可延續摩爾定律發展，更確定未來朝1nm推進可能性大增，三星又被落在身後。臺積電向來不對訂單等動態置評，且迄今仍低調未對外透露2nm製程細節，僅表示2nm將是全新架構。 -
臺積電2nm技術取得重大突破 預計2024年正式量產
中國科技新聞網9月23日訊(孔辰) 9月23日，有臺媒報導稱，臺積電2nm製程研發獲重大突破。以目前的研發進度研判，預計臺積電將於2023年下半年可望進入風險性試產，2024年正式量產。有助於其未來持續拿下蘋果、輝達等大廠先進位程大單。 -
SamtradeFX德興匯官方網站:臺積電2nm重大突破
SamtradeFX德興匯官方網站報導，近年來臺積電在先進位程工藝的路上可謂是一騎絕塵，SamtradeFX德興匯官方網站指出擊敗了眾多代工廠，身價也是水漲船高。 今年一季度臺積電就已經開始大規模投產5nm工藝，3nm也正在快馬加鞭地研發之中。臺積電錶示，將會在2021年開始量產3nm，並最終在2022年下半年實現規模量產。 -
臺積電2nm取得重大突破！1nm指日可待？
據臺灣經濟日報報導，臺積電2nm工藝取得重大突破 臺積電2nm採用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，區別與3nm以及5nm採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構。 據業內人士稱，臺積電2nm工藝在2023年下半年量進行風險性試產，良品率預計能夠達到90%。 -
臺積電突破2nm！三體宇宙的「技術爆炸」真實存在？
中國科技新聞網9月23日訊，有臺媒報導稱，臺積電2nm製程研發獲重大突破。以目前的研發進度研判，預計臺積電將於2023年下半年可望進入風險性試產，2024年正式量產。，決心要在3nm工藝上趕超臺積電。而當時臺積電尚未明確3nm的技術細節，這意味著三星在GAA工藝上已經獲得了領先地位。2020年3季度末，臺積電宣布在2nm製程上取得了重大突破，這對此前剛剛想在3nm工藝上重拾自信的三星而言，無疑是一次重大打擊。 -
三星稱2022年量產3nm，十年超越臺積電，臺積電回復2nm獲重大突破
，而在晶片製造領域，臺積電則是其中的大巨頭。作為大巨頭，臺積電拿下了全球52%的晶片代工訂單，佔領全球市場份額超過一半，遠超第二名三星，此外，臺積電的成功源於先進工藝的領先，首批上市的麒麟9000、A14、M1等都基於臺積電5nm工藝製造，早已經滿負荷量產。 -
臺積電2nm製程研發取得突破 將切入GAA技術
據報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。三星已決定在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯晶片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢鬆懈，積極投入2nm研發，並獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。 -
三星首次披露3nm量產時間之際，臺積電2nm傳出「重大突破」
日前，據彭博社報導，三星近期首次向外界披露其3nm的量產時間——2022年，這一時間點與臺積電的計劃保持一致。該公司去年公布「半導體願景2030」，希望通過巨額投入在2030年超越臺積電。 而臺積電也並未「坐以待斃」。 -
三星首次披露3nm量產時間之際,臺積電2nm傳出「重大突破」
日前，據彭博社報導，三星近期首次向外界披露其3nm的量產時間——2022年，這一時間點與臺積電的計劃保持一致。該公司去年公布「半導體願景2030」，希望通過巨額投入在2030年超越臺積電。而臺積電也並未「坐以待斃」。 -
臺媒:臺積電2nm製程獲重大突破
據臺媒經濟日報透露，臺積電2納米製程研發獲重大突破。供應鏈透露，有別於3納米與5納米採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，臺積電2納米改採全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，研發進度超前，業界看好2023年下半年風險性試產良率即可達九成，助攻未來持續拿下蘋果、英偉達等大廠先進位程大單，狠甩三星。 -
重大突破 臺積電2nm製程要成了
格芯推出7nm研發後，衝刺先進位程工藝爭奪主要由臺積電、Intel、三星中展開。 最新消息稱，臺積電2nm研發近日取得了重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術 (gate-all-around，簡稱 GAA)技術。 -
突破2nm!臺積電為何能給「摩爾定律」續命?
同時，臺積電剛剛決定明年起大幅漲薪達20%，一方面為激勵員工，一方面為招攬人才、避免被其他對手高薪挖人，用真金白銀來留住那些願意繼續為造芯「爆肝」的工程師們。 在一片繁榮的商業前景之下，臺積電在更先進位程的技術布局上面也保持著領先。據臺灣媒體報導，近日臺積電在2nm工藝製程上取得了重大突破，研發進度超越預期，有望在2023年下半年，風險試產的良率可以達到90%。 -
三星好日子到頭了，臺積電宣布重大突破，華為或能受益
從目前來看，三星已經擁有了當下最先進的5nm製程工藝，原本這項工藝只有臺積電能完成，這是不是說明三星離「超越臺積電」的目標更近了一步？其實不然，臺積電近期公布晶片工藝上又有新突破！ 臺積電宣布重大突破臺積電近期公布了兩則關於晶片工藝的消息，其一是2nm製程工藝找到突破口，未來會採用GAA，即環繞柵極電晶體技術。 -
2nm研發獲重大突破!臺積電將於2023-2024年切入GAA技術
7月13日消息，據臺媒報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發上有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱 GAA)技術。此前三星曾表示將在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要在2030年超過臺積電，取得全球邏輯晶片代工龍頭地位。臺積電研發毫不鬆懈，積極投入2nm研發，並獲得技術重大突破，成功找到切入 GAA 路徑。這次臺積電能在2nm製程節點上有所突破，歸功於臺積電挽留了3年前即要退休的臺積電最資深副總經理羅唯仁。 -
臺積電2nm工藝取得重大突破
作為一直走在半導體行業前沿的大廠，臺積電在技術上的探索速度果然是驚人的。據臺灣經濟日報報導，臺積電已經在2nm工藝取得重大突破，業界人士預計，臺積電2nm將在2023下半年推出，有助於其未來持續拿下蘋果、輝達等大廠先進位程大單，狠甩三星。 -
差距又大了，臺積電2nm製程獲重大突破
據臺媒透露，臺積電2納米製程研發獲重大突破。有別於3納米與5納米採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，臺積電2納米改採全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，研發進度超前，業界看好2023年下半年風險性試產良率即可達九成，助攻未來持續拿下蘋果、英偉達等大廠先進位程大單，狠甩三星。 -
差距又大了,臺積電2nm製程獲重大突破
據臺媒透露，臺積電2納米製程研發獲重大突破。隨著臺積電在2納米新製程節點有重大突破，宣示臺積電將可延續摩爾定律發展，更確定未來朝1納米推進可能性大增，進一步擴大與三星的差距。臺積電向來不對訂單等動態置評，且迄今仍低調未對外透露2納米製程細節，僅表示2納米將是全新架構。