2018年10月29日，北京訊 - 德州儀器（TI）近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵（GaN），50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的矽場效應電晶體（FET）相比，LMG341x系列使設計人員能夠創建更小、更高效和更高性能的設計。
德州儀器的GaNFET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現簡化設計，達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能，為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電流限制和過溫檢測，器件可防止意外的直通事件並防止熱失控，同時系統接口信號可實現自我監控功能。
LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和優勢
·更小、更有效的解決方案：與矽金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）相比，德州儀器的集成GaN功率級可將功率密度提高一倍，並將損耗降低80%。每個器件都具有快速的1MHz開關頻率和高達100V/ns的壓擺率。
·系統可靠性：本產品組合接受了2000萬小時的設備可靠性測試，包括加速和應用內硬開關測試。此外，每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns過流保護，以防止直通和短路情況。
·每個功率級的設備：50mΩ或70mΩ條件下，本產品組合中的每個器件均提供一個GaN FET、驅動器並提供保護功能，可為低於100W至10kW的應用提供單晶片解決方案。
在德國慕尼黑電子展electronica訪問德州儀器
德州儀器（TI）將在德國慕尼黑電子展（2018年11月13日至16日）的C4展廳-131展位展示一個10kW的雲網格連結演示。由德州儀器和西門子聯合開發的有源演示採用德州儀器的LMG3410R050 600V GaN FET，具有集成驅動器和保護功能，與傳統的矽設計相比，幫助工程師實現99%的效率，功率元件尺寸可減少30%。
封裝和供貨
這些器件均採用8mm×8mm分割墊、方形扁平無引腳（QFN）封裝,現可從TI商店處購買。LMG3410R050, LMG3410R070和LMG3411R070的訂購單位為1000件。