臺灣晶片代工廠商聯電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示,將於2010年下半年推出28納米製程,採用高K金屬柵極技術的半導體產品。業內人士指出,聯電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。
據悉,早前臺積電曾宣布將在明年前三個季度分別開始試產28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化矽三種新工藝產品。
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