【不要過度解讀所謂中科院3nm碳基晶體，更不要認為碳基材料可以彎道超車解決晶片問題？】
在2019年，中科院研究所的殷華湘團隊公布：他們已經成功研發出相等於人類DNA的寬度的3nm電晶體。於是有人誇大認為這是國內解決了3nm晶片問題，實際上所謂的3nm並非是我們熟知的晶片工藝製程，實際上指的是鉿鋯金屬氧化物薄膜的厚度，並不代表這個FinFET器件採用的是3nm工藝。
我們知道大家對於晶片的急切心理，可是我們不能夠因為某些沒有根據的捕風捉影就是我們的晶片技術的進步。其實，這項技術的出發點是面向5nm及以下節點高性能和低功耗電晶體性能需求。
其實，在5月26日，北京元芯碳基集成電路研究院宣布，解決了長期困擾碳基半導體材料製備的瓶頸！
實際上，所謂的碳基半導體，它的成本更低、功耗更小、效率更高。它是一種有別於現在晶片的矽材料，因此突破這種材料的限制，對於我們的晶片未來確實非常有幫助。
未來它將使用在多種設備上，比如說手機晶片，計算機晶片等等方面，甚至碳基技術晶片可能讓我們的手機更流暢，電池更耐用。
我們對於晶片的期盼非常的高，但是我們要警惕一些非理性的報導，有些成功確實值得我們關注，但是，我們拒絕一些肆意誇大事實的成績，我們更不願意大家進入一種所謂媒體編制的晶片美夢！
晶片需要突破，需要我們潛心研究，而不是嘴上的宣傳，那不過是海市蜃樓而已！