新思設計平臺聯手三星晶圓製造,打造最佳晶片

2021-01-09 電子工程專輯































憑藉 豐富的iPDK庫 ， 新思科技定製設計平臺可廣泛適用於各種先進和傳統工藝技術 完整的iPDK庫可讓用戶解鎖更多高級功能，加速和拓寬開發者對 新工藝節點的使用，促進設計復用，並實現進一步創新 三 星充分認可新思科技的定製設計參考流程為其提供了高效設計和驗證的最佳實踐 新思科技（Synopsys）近日宣布與三星晶圓廠合作開發、驗證了30 多款全新的可互操作工藝設計套件 (iPDK) 。這些iPDK支持新思科技定製設計平臺，並廣泛覆蓋了三星晶片生產流程中的先進和傳統工藝節點。 利用新思科技定製設計平臺這一速度和效率更佳卓越的設計和驗證解決方案，版圖速度可提高5倍、設計收斂速度可提高2倍，可為使用各種三星工藝技術的客戶提供最高的生產效率 。

新思科技與三星的此次合作包括一套完整的三星 iPDK組合、方法學和設計流程的開發和驗證，也包括在新思科技定製設計平臺上利用Custom Compiler™和版圖環境，實施的一套全面的iPDK開發和驗證解決方案。這裡所說的環境包括HSPICE®電路仿真器、FineSim®電路仿真器、CustomSim™ FastSPICE電路仿真器、Custom WaveView™波形顯示、StarRC™參數提取以及IC Validator物理驗證。 

「我們致力於滿足客戶在技術和複雜定製設計方面對於專業知識的需求。我們發現，市場對於新思科技定製設計平臺及其設計和驗證解決方案的需求越來越高。 通過與全面定製設計和創新EDA解決方案的行業領導者新思科技的緊密合作，我們為行業樹立了基於三星工藝技術的優化流程和iPDK新標杆 。對於新思科技的差異化設計和驗證流程解決方案，三星晶圓廠認證其有助於提高開發者在不同節點的效率。」 

——Jongwook Kye

設計實現團隊副總裁

三星晶圓廠

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三星和新思科技的iPDK庫多達30多種，涵蓋了先進的全環繞柵極，3nm到14nm的FinFET工藝節點，以及65nm到130nm的傳統工藝節點。不同節點的開發者均可使用該iPDK庫的高級功能，基於新思科技最新的定製實施完整解決方案，充分利用模擬和混合信號集成電路和IP。iPDK庫中的每一款iPDK均包含文檔和設計基礎架構元素，例如用於不同器件的仿真模型、圖層和技術文件、用於物理和電氣設計規則驗證的設計規則檢查（DRC）、版圖與電路圖運行設置文件（LVS）、寄生參數提取設置文件、電路符號庫和參數化器件以及用於幫助客戶達成最佳晶片的功率和性能優化。


"現如今，複雜的版圖規則、嚴格的仿真收斂要求以及緊迫的設計時間表，使得IP和模擬設計所面臨的挑戰倍增。為了提高生產效率，開發者需要一套集成了籤核技術和仿真工作流程的強大的定製設計平臺，而非一套點工具。我們與三星進行深入合作，共同推動方法學、參考流程和iPDK方面的重大創新，力求為快速增長的市場和客戶生態系統提供進一步的技術創新。"

——Aveek Sarkar

工程副總裁

新思科技

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