加州山景城2021年1月8日 /美通社/ --
憑藉豐富的 iPDK 庫，新思科技定製設計平臺可適於各種不同的先進和傳統工藝技術
完整的 iPDK 可讓用戶解鎖高級功能，從而加速和拓寬開發者對新工藝節點的使用，促進設計復用並實現進一步創新 三星認證了新思科技定製設計參考流程能夠帶來高效設計和驗證最佳實踐新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與三星晶圓廠合作開發、驗證了30 多款全新的可互操作工藝設計套件 (iPDK) ，並可支持新思科技定製設計平臺。這些 iPDK 廣泛覆蓋了三星的先進和傳統節點組合。新思科技定製設計平臺是速度和效率更佳卓越的設計和驗證解決方案，可使版圖速度提高 5 倍、設計收斂速度提高 2 倍，從而為使用各種三星工藝技術的客戶提供最高生產效率。
新思科技與三星的合作範圍包括一整套三星 iPDK組合、方法學和設計流程的開發和驗證。新思科技還與三星合作，基於新思科技定製設計平臺，利用 Custom Compiler™ 設計和版圖環境，實施了一套全面的iPDK 開發和驗證解決方案。所利用的環境包括 HSPICE® 電路仿真器、FineSim® 電路仿真器、CustomSim™ FastSPICE 電路仿真器、Custom WaveView™ 波形顯示、StarRC™參數提取以及 IC Validator 物理驗證。
三星晶圓廠設計實現團隊副總裁 Jongwook Kye 表示：「我們致力於滿足客戶在技術和複雜定製設計方面對於深厚專業知識的需求。我們發現，市場對於新思科技定製設計平臺及其設計和驗證解決方案的需求越來越高。通過與新思科技這一全面定製設計和創新 EDA 解決方案的行業領導者緊密合作，我們為行業樹立了基於三星工藝技術的優化流程和 iPDK 新標杆。對於新思科技的差異化設計和驗證流程與解決方案，三星認證其有助於提高開發者在不同節點的效率。」
三星和新思科技的 iPDK 庫多達30多種，涵蓋先進全環繞柵極或 FinFET 節點（包括 3nm 到 14nm）、以及65nm 到 130nm 的傳統節點，從而允許不同節點的開發者都可以使用高級功能，並可通過最新的新思科技定製實施解決方案套件，利用模擬和混合信號集成電路和 IP。每一款 iPDK 均包含文檔和設計基礎架構元素，例如：用於不同器件的仿真模型、圖層和技術文件、用於物理和電氣設計規則驗證的設計規則檢查（DRC）和版圖與電路圖運行設置文件（LVS）、寄生參數提取設置文件、電路符號庫和參數化器件、以及用於幫助客戶達成最佳晶片的功率和性能優化。
新思科技工程副總裁 Aveek Sarkar 表示：「如今的 IP 和模擬設計領域面臨的挑戰倍增，如複雜的版圖規則、嚴格的仿真收斂要求以及緊迫的設計時間表。為了提高生產效率，開發者需要一套集成籤核技術和仿真工作流程的強大定製設計平臺，而非一套點工具。通過與三星等行業領導者深入合作，我們正在推動方法學、參考流程和 iPDK 方面的重大創新。我們期待與三星繼續保持合作，共同追求卓越，為快速增長的市場和客戶生態系統提供進一步的技術創新。」
新思科技應用工程團隊總監 Ravi Rao 於 10 月 28 日出席了三星先進晶圓廠生態系統 (SAFE) 論壇，詳細介紹了高效設計和驗證所需的最佳方法，以及利用為三星工藝技術而優化的豐富強大的 iPDK 支持、設計流程方法和實現成果。有關新思科技產品的更多信息，請訪問：https://www.synopsys.com/implementation-and-signoff.html.
消息來源：Synopsys, Inc.