中國苦「芯」久矣！中國慕「光刻機」亦久矣！如果我們真的在核心技術領域取得了重大進展，那確實值得大書特書，大力報導；但如果誇大其實，自我高潮，那只能是誤導群眾，貽笑大方。
面對美帝的接連制裁和打壓，許多科技圈從業者現實中還沒被魚刺卡過喉嚨，卻已在精神上飽嘗如鯁在喉的痛苦。
在眾多「魚刺」中，晶片無疑是扎得最深的那一根，而光刻機則是阻隔這根刺頭被拔出的主要障礙之一。
在媒體的狂轟亂炸之下，即使從事的是和晶片八竿子打不著邊兒的行業，恐怕也會對光刻機略知一二。
簡單來說，半導體晶片製造分為 IC 設計、 IC 製造、 IC 封測三大環節， 光刻作為 IC 製造的核心環節，其工作原理可以被理解為「蘿蔔雕花」，只不過是在矽片上雕，主要作用是將掩模版上的晶片電路圖轉移到矽片上。由於光刻的工藝水平直接決定晶片的製程水平和性能水平，光刻成為 IC 製造中最複雜、最關鍵的工藝步驟， 光刻的核心設備——光刻機更是被譽為半導體工業皇冠上的明珠。
「得不到的永遠在騷動」，因為太過渴望，和光刻機有關的任何風吹草動往往都會成為大新聞。就在前幾天，有2則和光刻相關的消息呈現刷屏之勢：其一是「中科院發布5nm雷射光刻技術」，被部分媒體解讀為「中國芯取得歷史性突破」、「荷蘭ASML將被我們取代（ASML笑笑表示不說話）」；其二是「95後本科生低成本DIY納米級光刻機」，該名學生則被冠以「真正的後浪」、「中國晶片行業未來的希望」等稱號。
誠然，中國苦「芯」久矣！中國慕「光刻機」亦久矣！如果我們真的在核心技術領域取得了重大進展，那確實值得大書特書，大力報導；但如果誇大其實，自我高潮，那只能是誤導群眾，貽笑大方。
5nm雷射光刻研究進展≠光刻機進展
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員張子暘與國家納米中心研究員劉前合作，在Nano Letters上發表了題為5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography（DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c00978）的研究論文，報導了一種新型5nm超高精度雷射光刻加工方法。
為什麼說是新型呢？因為荷蘭ASML公司是全球唯一能生產EUV光刻機的公司，他們之前表態7nm以下工藝都需要EUV光刻機才行。現在中科院蘇州納米所的團隊開發了一種不需要使用EUV技術就可以製備出5nm特徵線寬的雷射光刻技術。
據悉，半導體光刻最重要的指標是光刻解析度，它跟波長及數值孔徑NA有關，波長越短、NA越大，光刻精度就越高，EUV光刻機就是從之前193nm波長變成了13.5nm波長的EUV極紫外光，而NA指標要看物鏡系統，ASML在這方面靠的是德國蔡司的NA=0.33的物鏡，下一代才回到NA=0.55的水平。
中科院蘇州所聯合國家納米中心開展的這項研究有所不同，在無機鈦膜光刻膠上，採用雙雷射束（波長為405 nm）交疊技術，通過精確控制能量密度及步長，實現了1/55衍射極限的突破（NA=0.9），達到了最小5nm的特徵線寬。
此外，該研究使用了研究團隊開發的具有完全智慧財產權的雷射直寫設備，利用雷射與物質的非線性相互作用來提高加工解析度，有別於傳統的縮短雷射波長或增大數值孔徑的技術路徑，打破了傳統雷射直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，擴展了雷射直寫的應用場景。
首先需要明確的是，中科院5nm光刻技術的成功，確實是值得肯定、鼓舞人心的好事情。但如果就此得出「中國已經彎道超車ASML」、「我們將取代荷蘭的ASML光刻機」、「ASML的EUV光刻機將變成白菜價」之類的結論，那就是偷換概念、歪曲事實了。
一位業內人士強調：「該文章中並沒有提到5nm是用於晶片製造，而是研究團隊利用雷射直寫技術，實現了納米狹縫電極陣列結構的規模生產。狹縫電極是光電子器件的基礎元件，並非是集成電路。能生產零件和能把複雜的電路功能融合，兩者之間存在著很大的差距。這個類似中科院去年發表文章稱，實現了2nm電晶體的設計，但被部分媒體說成了2nm晶片。雖然都是2nm，可是完全不是一個概念。」
另外，即使該技術未來可被用於晶片製造，但實驗室技術和工業量產之間也隔著十萬八千裡的距離。另一位業內人士表示：「中科院的5nm雷射光刻技術目前僅僅局限於實驗室小規模小批量的進行實驗，不論是光刻的面積還是光刻的速度，都要比目前工業應用的光刻機弱很多，想要實現大規模批量的生產，要等到這項技術必須完全成熟了才有可能實現。至於這種5nm雷射光刻技術什麼時候能夠實現量產，我們不得而知，但從光刻機研發的歷史以及技術的晉級難度來看，這種光刻技術想要實現量產，我認為至少需要5年時間以上甚至更長。」
我國的光刻機為何難以突破，因為不僅僅是局限於雷射光刻加工方法，還包括各種零部件的桎梏。荷蘭ASML公司CEO曾經表示，不擔心把高端光刻機賣給中國，中國會因此複製出高端光刻機。因為ASML製造的高端光刻機涉及到很多精密零部件，其中90%都是對外採購的，這也使得光刻機很難被複製出來。像德國蔡司的光學鏡頭、美國的雷射發生器等，就讓ASML製造的光刻機，在光學技術上獲得了世界領先。
只有認清現實，才能更好地腳踏實地。
低成本DIY納米級光刻機可還行？
和中科院5nm雷射光刻技術被大肆報導的差不多同一時期，一個95後本科生也在圈內火了~
援引媒體「大數據文摘」的報導：一位大連理工大學化工學院的Up主彭譯鋒，竟然憑著一張圖紙給成功在家裡搭建了納米級光刻機，還成功光刻出~75微米（75000納米）的孔徑。
令人感到吃驚的是，這位同學還在讀本科，整個製造過程都是在一間超簡陋的小書桌上完成的，全部數學演算全靠一張白板，所有的材料都堆放在桌上地上，簡直就是「家居實驗室模範」。
彭同學在視頻中表示，他製造光刻機的圖紙來自自己西安電子科技大學的同學，圖紙大概長下圖這個樣子。彭同學也正是憑藉著這張圖紙，完整復刻了整臺納米級光刻機。
他目前的研究成果花了大概半年自己琢磨出來的，最早的興趣來自高中的時候，那個時候還沒有視頻和資料，但是他就是想自研晶片。
其實，這個事兒本來挺好，本科生自己DIY，對動手能力和工程能力都是極好的鍛鍊，學校也應該積極倡導。但壞就壞在這事兒被鼓吹過頭，非得拿光刻機做新聞，就引起許多真正半導體行業從業者的不滿了。
知乎網友Hellc質疑：「明明是個類光刻機的DIY設計，媒體為什麼要重點突出光刻機？明明是微米為什麼要強行說成納米？」
知乎網友一倍速同樣表示：「這個東西根本不是光刻機，而是一個雷射雕刻工作檯。光刻是不會直接在材料上腐蝕的。所謂光刻，正如字面意思所述，是去刻蝕，但是賓語不是矽片，而是光刻膠膜，是將光刻膠膜中的一部分變化，用特殊的化學試劑清洗時，被光照的部分和不被光照的部分。一個被溶解，一個不被溶解。這個步驟叫做顯影,之後會用刻蝕液進行圖案的刻蝕。也就是說在半導體工藝流程中，要想在一個片子上做圖案，應該是光刻+顯影+刻蝕。而報導中是光刻+顯影，真的就拿光去刻了......」
結語
一個有意思的現象是，所有在這2篇相關報導下面提出質疑的人都無一例外的被或多或少的人噴了。大意是說「這個時候你還潑冷水，是不是中國人」；「鍵盤俠，你行你上啊」！
需要強調的是，很多人的質疑並不是針對中科院的技術和彭同學的行為本身，而是針對媒體為了博取噱頭而故意「捧殺」的做法。希望自己的國家強大是人之常情，但過度的鼓吹只會讓中國本就普及不好的微電子基本知識雪上加霜，也會造成輿論的混亂......
路漫漫其修遠兮，我們依然要艱苦奮鬥、上下求索。
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