非接觸式智能IC卡諧振頻率測量及使用的誤區

2020-12-24 RFID世界網

    近年來,大到金融、公共運輸和社會保障,小到圖書館、校園和門禁等,智慧卡的應用領域日益多元化,相關的智慧卡設計、生產企業越來越多。由於智慧卡被完全密封,對其整體電氣參數L、C、R的測量造成了困難,而諧振頻率作為能夠反映智慧卡天線埠部分電氣參數的重要指標,被各企業及研發單位廣泛用於設計或生產參考,長期以來被大量使用。但到目前為止,對於諧振頻率的測量方法,業界尚無統一標準。同時各環節在提及諧振頻率值的時候,往往忽略其測量方法以及明確的誤差範圍,因此在智慧卡測量領域,諧振頻率這一參數的真實性和可靠性長期被忽視。

    以符合ISO/IEC14443標準的智慧卡為例,協議規定了通信用載波頻率為13.56MHz,但對智慧卡本身的諧振頻率未規定標準值,因此,客觀上造成了目前流通的智慧卡諧振頻率的多樣性。目前,按照智慧卡的形態,業界常用的智慧卡諧振頻率的測量方法主要有兩種:

    1:LCR電橋或阻抗分析儀測量;(測量出L、C值,然後利用公式計算諧振頻率)

    2:頻譜分析儀或網絡分析儀測量。(測量密封智慧卡的諧振頻率)

    首先介紹一下如何測量各部分的電氣參數,然後利用公式計算諧振頻率。智慧卡在物理結構上,主要由三部分組成,1:IC晶片,2:耦合天線,3:封裝材料,如圖1所示,其中封裝材料通常為絕緣材質,不引入電氣參數,故本文不做深入分析。

    智慧卡的諧振頻率f

res

公式如下:

,可見,f

res

取決於等效電路中的電感值和電容值。

    從圖1中的虛線La/Lb從左往右看,為IC晶片埠部分與諧振頻率相關的電氣參數,Rab為IC晶片埠電阻值的總和,Cic為IC晶片埠電容值的總和,Cmount其含義為IC晶片封裝成模塊時引入的電容值,如晶片不需要進行模塊封裝,則可忽略Cmount。從圖1中的虛線La/Lb從右往左看,為耦合天線部分與諧振頻率相關的電氣參數,Lcoil為耦合天線的電感值,Rcoil為耦合天線的電阻值,Ccoil為耦合天線的電容值,Cpack其含義為耦合天線在制卡過程中引入的封裝電容值,其值與制卡過程中多種因素相關,視具體情況而定。

    依據圖1的等效電路結構,我們將智慧卡fres的計算公式擴充如下:

 

    當我們有了詳細的計算公式,是否就可以計算出準確的fres呢?實際情況並非如此。接下來,我們介紹各L、C參數的測量方法,以及誤差來源。目前在IC晶片較為常見的模塊封裝形式有XOA2和COB兩種,而且由於Cmount會受到各模塊加工廠的技術水平、用料以及靜電防護等綜合因素的影響,所以各模塊加工廠出產的模塊其Cmount存在差異,且無法給出準確值,至此,用智慧卡的fres計算公式引入了第一個參數誤差;同時在智慧卡的制卡環節,由於Cpack會受到各制卡廠的技術水平、用料以及加靜電防護等綜合因素的影響,所以各值卡廠出產的卡片其Cpack也存在差異,且無法給出準確值,由此引入了第二個參數誤差。在實際計算中,上述兩個參數通常採用經驗值,由此計算得到的fres就會存在誤差。因此要求我們在使用fres的時候,需明確其誤差範圍。特別要強調的是,對於不同的條件下加工得到的智慧卡,上述兩個參數的經驗值是不可以通用的。

下文將以Agilent 4285A(LCR Meter)配合測量夾具Agilent 16047E,對等效電路中的Cic、Lcoil和Ccoil進行測量。整體測量平臺如圖2所示。

圖2 Agilent 4285A(LCR Meter)和測量夾具Agilent 16047E

 

    由於耦合天線和IC晶片的寄生參數都會給測量結果帶來誤差,所以選擇合適的等效電路模型,可以有效降低寄生參數的影響。通常Lcoil為小電感,串聯寄生電阻Rs的影響明顯,因此在測量Lcoil時,採用Ls~Rs 模型;而Cic較大,並聯寄生電容Rp的影響明顯, 因此在測量Cic時,採用Cp~Rp模型。

    上述測量條件確定後,按照儀器的使用步驟,開機預熱和校準後,我們採用下述方法測量得到Lcoil和30 MHz下的耦合天線的電感值Lm,然後通過Lcoil和Lm計算出Ccoil

    1:選擇測量模型:Ls~Rs

    2:設置測量電壓:1Vrms

    3:設置測量頻率:1MHz。

    4:紀錄測量結果Ls,此即為Lcoil

    5:設置測量頻率:fm=30MHz。

    6:紀錄測量結果Ls,此即為Lm,通過如下公式計算出耦合天線的Ccoil

 

    我們對如圖3所示帶有模塊底座的耦合天線樣本進行了測量,為了說明模塊底座對測量結果的影響,我們分別測量耦合天線帶有模塊底座與去除模塊底座後的Lcoil和Ccoil。如表1所示。(表中數據均為測量了10次以後的平均值,有效位數保留到小數點後2位,下同),比較表1的數據,可以發現,該模塊底座的存在,對該耦合天線樣本的Lcoil無影響, 但會使Ccoil增加0.16pf。

圖3 帶有模塊底座的耦合天線樣本

表1  耦合天線的電感值和電容值

樣本狀態

Lcoil/uh

Lm/uh

Rcoil/ohm

Ccoil/pf

耦合天線+ 模塊底座

5.30

22.92

9.16

4.08

耦合天線

5.32

20.45

8.70

3.92

差值

-0.02

2.47

0.47

0.16

 

    接下來,我們討論如何測量IC晶片的埠電容C

ic

,樣本如圖4所示,選用的晶片為NXP S50,左邊為模塊底座(同圖3中的底座模塊),右邊為完成完成模塊封裝(XOA2)後的樣本外觀,所以下文中得到的電容值構成為「C

ic

+ C

mount

(C

mount

中包含了C

模塊底座

)」。

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