​惋惜!臺積電關鍵人物!復旦高材生入籍臺灣!

2021-02-25 科技先鋒

日前,中國臺灣「內政部 」公布歸化高級專業人才審查會審查結果,美國籍的曹敏通過審查,歸化成為臺灣人,這受到各界矚目。據報導,曹敏畢業於上海復旦大學電子工程學系,之後赴美留學,取得美國史丹福大學物理系博士學位。臺灣方面的報導指出 ,美國籍的曹敏專長是半導體研發設計,曾帶領臺灣積體電路製造股份有限公司團隊,開發20納米及10納米製程技術。最值得一提的是,他帶領臺積電1400人團隊,進行跨部門合作,歷經3年的堅持努力,突破高介電材料/金屬閘技術,並創新採用雙重曝光技術,成功開發20納米製程技術。

20納米能順利投產的另一個關鍵技術是雙重曝光(double patterning)技術,這也是臺積電首次採用這項技術。曹敏團隊開發出智能圖案拆解技術及創新的多層蝕刻保護膜,能克服光罩對準問題的限制,使雙曝雙蝕刻製程達到可控制量產的要求。曹敏強調,「在雙重曝光領域,臺積電有大量創新,業界只有我們能成功運用,遙遙領先競爭對手。」  這項成果讓臺積電的晶圓密度能夠超越全球晶片巨擘英特爾(Intel),技術大幅領先國際,增強臺積電的競爭力,確保在晶圓代工領域的領先地位,並於2013年獲得經濟部產業創新獎的年度創新突破獎肯定。據臺積電官網介紹,曹敏博士於2018年2月起擔任臺積公司技術發展Pathfinding副總經理。在此之前,曹敏博士自2016年起擔任Pathfinding處資深處長。曹敏博士於2002年加入臺積公司,成功協助開發多項先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程技術,包括90納米、65納米、40納米、28納米、20納米以及10納米。自2006年至2008年,曹敏博士帶領了40納米泛用型製程技術的開發,此項技術也是臺積公司首款利用超密度微縮的納米製程。2009年,首次利用高介電常數金屬閘極(HKMG)技術,成功帶領了28納米高效能製程的開發。曹敏博士其後亦帶領研發團隊開發20納米及10納米製程技術。在加入臺積公司之前,曹敏博士自1994年至1999年任職於惠普實驗室(Hewlett-Packard Laboratories),1999年至2000年任職於PDF解決方案公司(PDF Solutions),2000年至2002年任職於百利通半導體公司(Pericom Semiconductor)。曹敏博士在集成電路技術領域共擁有36項專利。曹博士曾在許多委員會擔任重要職務,包括國際電子元件會議(IEDM)和國際VLSI技術和電路專題研討會。曹敏博士畢業於上海復旦大學電子工程學系,於舊金山州立大學物理學系取得碩士學位,並於美國史丹福大學物理學系取得博士學位。現在,曹敏擔任研究發展/技術發展/Pathfinding副總經理。接下來,臺積電在3納米後,技術藍圖要如何發展,是否要用新方法提高價值,就要靠他研究。

來源:半導體行業觀察  

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