2020年開啟的5G商用時代，對手機等終端的性能提出更高的要求，促使射頻器件的成本與所需數量雙提升。
這種變化的直接結果就是射頻前端模塊化的程度不斷提高。作為手機通信系統的核心組件，射頻前端的性能直接決定了移動終端可以支持的通信模式，以及接收信號強度、通話穩定性、發射功率等重要性能指標，進而影響終端用戶的通信質量。模塊化能在提高集成度的同時保證產品性能，因此成為行業發展的必然趨勢。
不斷演進的模塊化
回溯歷史，從分立器件到FEMiD（集成雙工器的射頻前端模塊，Front-End Module with Integrated Duplexer），再到PAMiD（集成雙工器的功放模塊，Power Amplifier Module with integrated Duplexer ），射頻前端集成化的趨勢愈加明顯。
在4G時代，射頻前端以分立和模塊兩種方式並立於世。出於空間和成本的考量，高端手機往往會採用射頻前端模塊。2016年以後，模塊方式漸成為主流，先後有ASM、FEMiD登上舞臺，最後演進出集成了多模多頻PA、RF開關、濾波器等元件的PAMiD模組。
「接下來，將低噪聲放大器(LNA)集成到PAMiD中，是推動射頻前端模塊繼續發展的重要動力之一。」Qorvo華北區應用工程經理張杰表示。
Qorvo華北區應用工程經理張杰
隨著5G 商業化落地，智慧型手機中天線和射頻通路的數量將顯著增多，對射頻低噪聲放大器的數量需求會迅速增加，而手機PCB卻沒有更多的空間。在這種情況下，從PAMiD到L-PAMiD，射頻前端模塊可以實現更小尺寸(節省面積達35-40mm2)，支持更多功能。
張杰認為模塊化有幾大優勢：首先是統一的封裝，避免了器件的單獨重複封裝；第二是省去PCB上大量的走線，使其布局更為靈活；第三則是解決了分立器件的兼容性問題。
不過，「隨著PCB面積越來越緊湊，器件的布局非常緊密，功能模塊同時在工作，互擾成為非常難解決的問題。」張杰指出，因此需要RF屏蔽技術來降低與EMI及RFI相關的輻射。這就引出了PAMiD的上重要技術——自屏蔽。
降幹擾要靠自屏蔽
Qorvo採用的RF屏蔽技術被成為Micro Shield，是目前領先的自屏蔽技術。
該技術就是在模塊的表面再塗一層合金，取代原來外置的機械屏蔽罩，以起到屏蔽幹擾信號的作用。最早一代的Micro Shield技術可將當時RF的高度和體積分別降低15%和25%。
「從5G時代的集成化趨勢來看，L-PAMiD和自屏蔽技術既相輔相成，又將是手機射頻前端模塊未來發展的兩個重要方向。」Qorvo封裝新產品工程部副總監趙永欣表示。
Qorvo封裝新產品工程部副總監趙永欣
因為外部 LNA 通常在位置上不靠近功放，因此，PAMiD 對 RF 自屏蔽的需求並不高。但伴隨著 5G 時代對 L-PAMiD 需求的增加，如果外置機械屏蔽罩設計不正確，L-PAMiD 的靈敏度將會受到嚴重的影響。因此，受惠於 5G 時代的來臨，Micro Shield 自屏蔽技術的重要性得以充分體現。
從架構上來說，採用Micro Shield自屏蔽技術的L-PAMiD能使其表面電流減少100倍，這相當於其射頻前端模塊自帶屏蔽罩，無需再思考機械屏蔽罩的放置問題。
L-PAMiD和Micro Shield 自屏蔽技術目前還僅在高端手機上採用。不過，以5G的推進速度來看，L-PAMiD和Micro Shield技術成熟指日可待。
「今後一年左右，市場中就會出現採用具備Micro Shield自屏蔽技術和L-PAMiD射頻前端模塊的中低端手機。」趙永欣預測。（校對/Andrew）
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