瑞聯新材:主要的研發方向還包括PI薄膜、配向膜和光刻膠等領域

2020-12-24 金融界

來源：同花順金融研究中心

同花順（300033）金融研究中心9月14日訊，有投資者向瑞聯新材提問， 董秘：公司招股說明書「，公司的核心產品顯示材料為電子信息產業鏈中的關鍵材料，其大部分上遊關鍵材料中的高端品類仍為日韓和歐美企業所壟斷，該部分關鍵材料具有技術門檻高、利潤率豐厚的特點，具有很廣闊的進口替代空間。」 請問：這部分材料公司是否能生產？與日韓歐產品性能質量是否存在差異？國內推廣存在的主要問題在哪兒？是否能解決？

公司回答表示，關鍵材料指的是佔材料成本較高或對面板性能影響較大的材料，該類材料在電子信息產業方面有著廣泛的應用，附加值也往往較高。從產業鏈的角度，顯示材料（液晶、OLED材料）實際也屬於這一類關鍵材料，隨著中國在電子信息產業的投入和發展，這些材料領域存在較高國產替代空間。 除了顯示材料外，公司主要的研發方向還包括PI薄膜、配向膜和光刻膠等領域，從業務發展角度，公司還是立足於有機合成領域的技術優勢，從單體切入上述領域，單體合成和純化方面的技術均為自有技術，已開發數十種單體，但尚未實現規模化生產。後續，公司仍將積極拓展上述關鍵材料的應用。未來進展，請繼續關注公司的公告信息。謝謝！

關注同花順財經（ths518），獲取更多機會

相關焦點

  • 晶瑞股份:進口韓國ASML光刻機設備,開展高端光刻膠研發
    ，主導產品包括超淨高純試劑、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料和基礎化工材料等。 在光刻工藝中，光刻膠被均勻塗布在矽片、玻璃和金屬等不同的襯底上，經曝光、顯影和蝕刻等工序將掩膜版上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。光刻膠按顯示的效果，可分為正性光刻膠和負性光刻膠。
  • ASML光刻機!國產光刻膠龍頭正式宣布,向日本卡脖子技術發起衝擊
    晶片製造過程中有三個最重要的核心設備：光刻機、蝕刻機、薄膜沉積設備，其中我國的中微半導體早在2018年就研發成功了世界首臺5納米等離子蝕刻機，目前已經應用於臺積電的5納米晶片生產線
  • 西湖大學開啟「冰刻2.0」研發,用冰替代光刻膠,或將簡化傳統光刻加工
    在這一過程中，光刻膠為非常關鍵的材料。而仇旻團隊所做的就是把光刻膠替換成冰，改稱之為 「冰膠」，並將使用 「冰膠」 替代光刻膠完成微納加工的電子束光刻工藝改稱為 「冰刻」。據仇旻介紹，目前除他和他的學生，全球也在研究此技術的僅有丹麥另一個實驗室團隊。冰刻 2.0，一站式、自動化微納加工系統
  • 國風塑業:高端PI薄膜項目穩步推進,產品多樣化有望打開新空間
    同時，公司投資建設的聚醯亞胺膜試驗線近日已經投入使用，公司自主研發的聚醯亞胺碳基膜產品也已開始進入送樣驗證階段，該產品可用於製作高導熱石墨散熱材料，廣泛應用於5G通訊、消費電子等領域。可以看到，國風塑業聚醯亞胺膜項目的建設正在穩步推進中。
  • 南大光電首款國產ArF光刻膠通過認證 可用於45nm工藝光刻需求
    本次產品的認證通過，標誌著「ArF 光刻膠產品開發和產業化」項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一隻國產 ArF 光刻膠。  此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠產品正式由研發走向量產階段。 認證評估報告顯示，「本次認證選擇客戶 50nm 快閃記憶體產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的 ArF 光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。」
  • 光刻膠打破技術壁壘,國產替代加速,龍頭進階...
    什麼是光刻膠及市場規模 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這裡的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
  • 被「掐」喉嚨的光刻機是什麼東西?國產光刻機的真實發展水平!
    利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對塗有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光後會發生性質變化，從而使光罩上的圖形複印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
  • FPC電磁屏蔽膜行業主要應用領域及競爭對手分析
    拓自達主要產品包括電線、電纜（電力用、光、通信用）、電子材料、設備系統產品、光電子相關產品，在電子材料相關的功能性材料領域擁有先發優勢，其所開發的電磁屏蔽膜產品被智慧型手機等電子設備廣泛使用。2018年會計年度拓自達的營業收入為579.95億日元，其中電線電纜業務收入為370.92億日元，佔比為64%。拓自達2018年電磁屏蔽膜銷售面積為998.09萬平方米左右。
  • 西湖大學自研冰刻獲得突破,國產光刻膠格局有望扭轉
    ASML的光刻機年生產能力只有20臺，臺積電和三星每年都要搶這20臺機器，搶得頭破血流，我們的中芯國際足足等了三年才買到一臺光刻機，但礙於美國從中作梗，導致訂單交付無限期延遲，光刻機從此成為我國晶片行業的一大痛點。光刻機和光刻膠之間有什麼聯繫嗎？
  • 詮釋硬實力,2020深圳國際薄膜與膠帶展新品現場搶C位
    科技「新基建「如火如荼發展的背後,是高端裝備、新材料、新能源等戰略新興產業為國家戰略實力背書。這其中,以薄膜、膠粘劑、膠帶、外殼、保護膜等為代表的材料市場,跨越行業廣泛,發展潛力巨大,已成為推動國內電子產業重組和躍升的重要驅動力量。
  • 【IPO價值觀】從萊爾科技陷業績瓶頸看功能膜領域研發現狀
    其主營的功能性塗布膠膜屬於複合薄膜材料，作為電子元器件和工藝製程良率關鍵材料之一、消費電子重要的模組及終端保護材料等，廣泛應用於消費電子產品、汽車電子、LED 照明、鋰電池、半導體產品等領域。 同時，其功能性塗布膠膜材料應用產品有FFC柔性扁平線纜和LED柔性線路板等，客戶或終端客戶主要有三星、日本住友、富士康、新金寶、緯創、海信、捷普等知名電子產品廠商，以及三雄極光等LED照明領域的知名廠商。
  • 瑞聯新材:海通證券股份有限公司關於瑞聯新材對外提供財務資助事項...
    海通證券股份有限公司關於西安瑞聯新材料股份有限公司        對外提供財務資助事項的核查意見        海通證券股份有限公司（以下簡稱「海通證券」或「保薦機構」）作為西安瑞聯新材料股份有限公司（以下簡稱「瑞聯新材」或「公司」）首次公開發行股票並在科創板上市持續督導保薦機構
  • 蘇大維格公布最新 3D 直寫光刻技術:實現光刻膠 3D 形貌可控制備
    光刻技術是指在短波長光照作用下，以光刻膠（光致抗蝕劑、photoresist）為介質，將微納圖形製備到基片上的技術。以半導體工藝為例，半導體器件由多種專用材料經過光刻、離子刻蝕、拋光等複雜微納加工流程而完成。光刻設備是半導體工藝中最核心的裝備，在掩模版製備、晶片製造和封裝環節都使用了光刻技術。
  • 國產晶片迎來突破,中國巨頭造出光刻膠,打破日本技術壟斷
    光刻膠是一種對光敏感的混合液體，是半導體晶片製造過程中所需的關鍵材料，主要用於光刻曝光環節。光刻膠主要有KrF、ArF、EUV幾種，我國在低端光刻膠領域雖然有不錯的表現，但在高端領域，我國仍要依賴海外。光刻膠巨頭技術壁壘高的特點、市場集中度高的特點，給我國企業帶來了不小的挑戰。長時間來，KrF、ArF高端光刻膠市場，被日本企業所壟斷。
  • 國產光刻膠取得重大突破!可打破日企壟斷地位:關鍵性堪比光刻機
    ，而EUV光刻機設備也是製造高端晶片產品必不可少的設備，但實際上在晶片製造過程中，還有一樣產品同樣也非常關鍵，它就是光刻膠，光刻膠雖然是一種有機化合物，但也可能影響晶片製造的效果。當然光刻膠不僅僅可用於晶片製造，還可以應用到印刷工業領域等等，具有非常廣的應用能力，但就是這樣一個關鍵的半導體材料，卻一直都被日本企業所壟斷，例如東京應化，富士膠片等日本企業，都是全球光刻膠的龍頭企業，在全球光刻膠市場中，掌握著絕大的行業話語權，長期維持對光刻膠的壟斷，導致很多晶片代工企業，都必須要和日本企業合作，前一段時間爆發的日韓半導體事件，三星、SK海力士等等
  • 【聚焦】寧波南大光電安裝完成第一條ArF光刻膠生產線;中科飛測...
    1.寧波南大光電第一條ArF光刻膠生產線已安裝，目前處於調試階段集微網消息，3月6日，南大光電在互動平臺透露，寧波南大光電目前已安裝完成第一條ArF（193nm）光刻膠生產線據了解，2019年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設立光刻膠事業部，並成立了全資子公司「寧波南大光電材料有限公司」，全力推進「ArF光刻膠開發和產業化項目」落地實施。
  • 號稱「比兩彈一星還高端的光刻機」,到底難在哪裡?
    仍然是困擾我國晶片產業的現實寫照意識的覺醒讓我們開始奮力追趕中國在晶片領域和世界先進水平逐年拉近但有一項卡脖子的難題至今仍然讓中國人難以望其項背這就是光刻機領域上期我們講過荷蘭光刻機霸主ASML的故事作為整個西方尖端科技託舉起來的半導體明珠加上英特爾、臺積電、三星的鼎力支持其生產的光刻機的毛利可以達到
  • 南大光電自研ArF光刻膠產品通過客戶認證
    長期被國外壟斷的ArF光刻膠，終於邁出了國產化的第一步。南大光電12月17日晚公告，公司控股子公司寧波南大光電材料有限公司（下稱「寧波南大光電」）自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶的使用認證。　　認證評估報告顯示，本次認證選擇客戶50nm快閃記憶體產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的ArF光刻膠產品各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。
  • 蘇大維格大型紫外 3D 直寫光刻設備 iGrapher3000 投入運行
    7月28日消息 蘇大維格科技官方宣布，大型紫外 3D 直寫光刻設備 iGrapher3000下線並投入工業運行。iGrapher3000 主要用於大基板上的微納結構形貌的 3D 光刻，是新穎材料、先進光電子器件的設計、研發和製造的全新平臺，堪稱為光電子產業基石性裝備，為產業合作創造新機遇。