遠超Intel AMD與IBM超紫外線微影技術展示

　　AMD 宣布與研發夥伴 IBM 共同合作，運用超紫外線 (Extreme Ultra-Violet ， EUV) 微影技術，針對整個晶片中最關鍵的第一層金屬連結進行測試，並成功生產出測試晶片樣品，透過「全面性」的超紫外線微影技術，成功整合至大小為 22mm X33mm的45 nm節點測試晶片製程。
 
　　據 Bruno La Fontaine 博士表示， AMD 的超紫外線微影技術在未來數年，在半導體製程上的應用具有十足的潛力，業界廠商因晶片體積縮小而受惠。雖然在可運用超紫外線微影技術量產之前，仍有許多挑戰需要克服，但是 AMD 已經證明該技術可以成功地與半導體晶圓製程結合，完整產出晶片上的第一層金屬互連層。

　　IBM 結構研究經理 David Medeiros 表示，微影技術如同微處理器一樣重，如何將含有數百萬個電晶體集成晶片的高度複雜設計，移轉到晶圓片上的技術，將是未來的重大挑戰，而晶圓片上的多重層級，是建立一個晶片的必要條件。
 
　　David Mederios 進一步指出，隨著晶片工程師持續在晶片上加入嶄新功能，同時增強晶片的效能表現，讓體積愈來愈小的電晶體可在特定的區域中放置更多的電晶體，要如何製造小型電晶體與連接電晶體的金屬線，與用來投射晶片設計在晶圓片上的光波長度有直接關係，超紫外線光刻顯影技術採用 13.5 奈米的波長，大幅縮短現今的193 nm微影技術，持續推動傳統晶片功能與體積間的可調整性。

　　現時，位於德國德勒斯登的 AMD36 號廠，首先採用193nm浸潤式微影量產技術，進行晶片測試，再將測試晶片運送至位於紐約州阿爾巴尼的 IBM 奈米科學與工程學院 (College of Nanoscale and Engineering ， CNSE) 之研發中心， AMD 、 IBM 與其他合作夥伴運用由 ASML 、 IBM 、與 CNSE 合作建置的 ASML 超紫外線微影掃描器，於德國製造的電晶體間進行第一層金屬相連物的圖樣模型。

　　在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉澱等製程後， AMD 對超紫外線微影設備架構進行電子測試，發現電晶體的特徵與僅使用 193 nm浸潤式微影量產技術進行的晶片測試結果相符。這些晶圓片將再透過標準的晶圓製程，增加額外的金屬互連層，進而使大型的記憶陣列亦可進行測試排程。

　　驗證超紫外線顯影技術量產可行性的下一步驟，是將此技術從金屬互聯物層的應用，擴展到所有層級，以證明超紫外線微影技術可製造一個完整的作業微處理器，預期國際半導體技術路線圖將可望於 2016 年達到 22nm半間距節點的標準，因此超紫外線微影技術必須在 2016 年前達到可量產的標準。

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