強強聯手!ALLOS與KAUST合力研發高效矽基InGaN紅色Micro LED

2021-01-17 LEDinside

據報導，德國矽基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發高效矽基InGaN紅色Micro LED。

據了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效應（quantum-confined Stark effect，QCSE）等問題限制了紅色氮基LED在實際工業應用中的使用，而ALLOS與KAUST本次合作將致力於解決這些基本問題。

圖片來源：ALLOS

值得注意的是，在Micro LED顯示領域，除了藍色和綠色LED之外，Micro LED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅色LED有強勁的需求，目的在於降低製造複雜性和成本。

據悉，KAUST團隊此前通過採用局部應變補償（Local Strain Compensation）和改良後的MOCVD反應器設計，在開發正向電壓（Forward Voltage）低於2.5V且高效的InGaN基紅色Micro LED方面獲得了一些突破。他們已在藍寶石襯底和Ga2O3（氧化鎵）襯底上生長出紅色LED。

圖片來源：KAUST

為了採用晶圓級（尤其是大尺寸晶圓）工程應變技術來開發潛在高性能紅色LED，KAUST團隊與ALLOS共同將研究工作延伸到矽襯底上。憑藉能夠將晶圓片擴展到300mm以及在矽襯底產線上加工的能力，雙方的合作將加快量產進程。對於Micro LED顯示器，特別是用於AR設備的單片集成Micro LED顯示器而言，這將是另一個重要的助攻。

KAUST團隊與ALLOS將充分利用各自的專業知識來處理應變問題，優化矽基氮化鎵和紅色LED的晶體生長條件，進而實現在矽基氮化鎵緩衝層上生長紅色LED堆棧（Stack）。（LEDinside Janice編譯）

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