車規級80 V EPC2214 eGaN®FET 使得雷射雷達系統看得更清晰

2020-12-05 電子產品世界

宜普電源轉換公司（EPC）宣布再多一個車用氮化鎵(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其它嚴峻環境支持多種全新應用。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201905/400190.htm

基於氮化鎵（eGaN）技術的產品已進行量產超過9年，累計了數十億小時的實際汽車應用經驗，包括全自動駕駛汽車的雷射雷達及雷達系統、應用於數據中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉換器、具有超高保真度的信息娛樂系統及高強度的貨車頭燈等應用。這些全新器件已經通過嚴格的AEC Q101測試認證，隨後會推出更多面向嚴峻的車用環境的分立電晶體及集成電路。

EPC2214為80 V、20 mΩ氮化鎵場效應電晶體元件，超小佔板面積（1.8平方毫米），脈衝電流為47 A，非常適合在雷射雷達（lidar）系統發射雷射，因為FET觸發雷射信號、產生大電流、極短脈寬，從而實現更高的解析度，而更大脈衝電流使得雷射雷達系統可以看到更遠的景物。這兩個特性，加上小尺寸及低成本，使得eGaN FET除了支持嚴峻的車用雷射雷達系統外，也是雷達及超聲波傳感器的理想元件。

要通過AEC Q101認證測試，EPC的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）必需通過在嚴峻環境及不同偏壓的條件下的各種測試，包括偏壓溼度測試（H3TRB）、高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、溫度循環（TC）及其它多種不同的測試。要留意的是，EPC器件的晶片級封裝也通過採用傳統封裝的器件的所有相同測試標準，證明晶片級封裝具備卓越性能而器件同時保持堅固耐用及其高可靠性。這些eGaN器件在符合汽車質量管理系統標準IATF 16949的設備中生產。

EPC公司的執行長及共同創辦人Alex Lidow稱：「這個通過認證的車規級氮化鎵器件，是我們恆常化推出車用電晶體及集成電路產品路線圖的最新器件，旨在全力支持打造自動駕駛汽車的未來、節省汽油的使用量及提高駕駛的安全性。與目前車用、日益老化的矽基功率MOSFET相比，基於eGaN技術的產品的開關更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。」

價格及供貨

EPC2214在2.5 Ku/reel 的單價為0.72美元。

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