2020年收官「王炸」,碳基晶片橫空出世,國產晶片要彎道超車了

2021-01-15 無生解說科技

在新的一年來臨之際,我們不妨回頭看看2020年,全球各國遭受到了一個大事件影響,對很多行業的打擊是巨大的,而其中最受影響的無疑是半導體行業,半導體行業清楚的詮釋了什麼叫做牽一髮而動全身,因為技術壟斷,引發了一場半導體負面大海嘯。

全球的半導體行業損失慘重,美國多家半導體公司不是倒閉就是被收購,而很多國家意識到,將核心技術掌握在手中的重要性,就像是中國,迅速的對晶片製造發起了衝擊,2020年收官「王炸」,碳基晶片橫空出世,國產晶片要彎道超車了。

普通的電子晶片製造受限於各種製造工藝難以打破,但是在去年的時候,中國的國際石墨烯創新大會上 ,中國的上海微系統明確的表示了,中國一直在研發的八英寸石墨烯單晶晶圓正式研發成功了!要知道,這是全球首次制出的頂級石墨烯單晶晶圓。

與電子晶片不同,這種石墨烯材料製成的稱之為碳基晶片,與普通晶片相比具有極強的穩定性,在電子遷移率、散熱、運行速度等多個方面都遠遠勝於電子晶片,而且很大有可能不用受限於光刻機等製造工藝。

石墨烯單晶晶圓是未來的一大發展目標,普通的電子晶片如今已經遇到天花板了,摩爾定律已經不管用了,而碳基晶片才是處發展初期,雖然目前量產依舊存在一定的難度,但是在未來絕對可以,而且這一技術是牢牢的掌握在中國的手中。

所以說國產晶片要彎道超車了,既然在電子晶片各方面受限,那麼中國就直接開創一個新體系,打破壟斷的雛形已經形成,我們靜候即可,對此各位讀者們覺得碳基晶片在未來可以超過電子晶片嗎?歡迎留言。

相關焦點

  • 碳基晶片對比矽晶晶片,它有可能讓我們實現在晶片上彎道超車嗎
    晶片作為一個電子產物的心臟,是非常為緊張的零件,控制了晶片技術就曾經在這個電子產物橫行的期間成了佼佼者。晶片非常要緊的功效即是對機能的晉升了,晶片的崇高水平算是乾脆決意了這個產物的上限。而一張晶片的機能要緊由上頭集成的電子元件決意,因此更小的工藝製程就能在上頭集成出更多的元件,也就能獲取更好的機能。而根據摩爾定律,如許的倍率大約是兩倍,因此每一次革命都是非常大的前進。但並是在機能的晉升上惟有一條路能夠走,換上更先進的質料仍舊能讓其完成機能上的衝破。
  • 碳基晶片獲突破,性能提升千倍,我國碳基晶片能否實現借道超車?
    同時,我國在傳統半導體領域落後的情況下,但在碳基晶片上,我國已取得了重大突破,具備國際領先水平,這也是我國晶片發展的重要方向,也將藉助碳基晶片超車。最重要的是,我國發現碳基晶片可藉助華為光電技術,為製造碳基晶片已具備成熟條件。
  • 彎道超車的企業戰略有一定範式嗎?碳基晶片,也許帶來新啟示
    彎道超車的企業戰略有一定範式嗎?碳基晶片,也許帶來新啟示 2020-11-21 15:54 來源:科技看天下
  • 中國「碳基」晶片,成為全球晶片「珠峰」
    業界認為,摩爾定律將在2020年左右達到終點,即矽材料電晶體的尺寸將無法再縮小,他們普遍認為在2020年前後,矽基CMOS技術將達到其性能極限。我國採用的石墨烯製造工藝的碳基晶片,可以輕鬆達到普通矽基晶片的10倍以上速度,如此超快的速度得力於石墨烯和碳納米管,在信號的傳輸中擁有更好的傳導性能。
  • 中國芯彎道超車的關鍵技術-碳基晶片
    最近國產八英寸石墨烯晶圓實現了小批量生產,似乎又給國產晶片換道超車打了一劑興奮劑。因為理論上來說,只要在石墨烯晶圓上繼續進行切片、刻蝕、離子注入等操作,就能夠繞過光刻機做出碳基晶片。 我們國產晶片終於不用再被別人卡脖子了,石墨烯會成為國產晶片換道超車的一張王牌嗎?
  • 碳基晶片,中國已經走在了世界前列!或可實現中國晶片彎道超車
    好在科學家們正在探索用新材料來替代矽製造晶片,從而衝破晶片的物理極限。在這方面,中國科學家已經走在了世界前列,這也為中國晶片產業的換道超車提供了可能。464碳納米管電晶體模型圖片一直以來,晶片都是中國科技領域的短板。儘管中國是世界最大的半導體消費國,目前國產晶片的自給率尚不足三成。
  • 中國有望晶片技術彎道超車?碳基晶片有望超過矽基晶片?
    摩爾定律基本規律,晶片性能定期就會性能翻一番,但是目前廣泛支持社會運行的矽基晶片基本已經遇到了可見的物理瓶頸,目前最先進的矽基晶片是7納米的規格,而矽基晶片的極限基本也就是1.5-2納米之間,如果再小就會受到物理特性導致單位電晶體的故障率急劇增高,達到無法協調上百億個電晶體工作的程度。
  • 中科院正式宣布,「王炸」碳基晶片面世,美國助中國科技騰飛
    2020年已經正式跟我們告別了,老實說,2020年我們國內實在是發生了很多的「大事」,總的來講,中國的科技實力在2020年是有一個很大的提升的,但是在一個很重要的領域,我們國家遭到了美國的阻擊,美國在半導體行業卡住了我們國家的脖子。
  • 「彎道超車」改為「換道超車」,碳基晶片來了,離最後的製造僅一步...
    相信大家都明白,國產晶片的薄弱環節就在晶片製造,無法達7nm以上的更高製程。現在先是鬆口讓臺積電給華為供貨14nm以上的晶片,然後又是讓三星可以給華為oled屏幕供應,現在連索尼的傳感器也可以了。
  • 不要過度解讀中科院3nm碳基晶片,不要輕易認為碳基可以彎道超車
    【不要過度解讀所謂中科院3nm碳基晶體,更不要認為碳基材料可以彎道超車解決晶片問題?】在2019年,中科院研究所的殷華湘團隊公布:他們已經成功研發出相等於人類DNA的寬度的3nm電晶體。於是有人誇大認為這是國內解決了3nm晶片問題,實際上所謂的3nm並非是我們熟知的晶片工藝製程,實際上指的是鉿鋯金屬氧化物薄膜的厚度,並不代表這個FinFET器件採用的是3nm工藝。我們知道大家對於晶片的急切心理,可是我們不能夠因為某些沒有根據的捕風捉影就是我們的晶片技術的進步。其實,這項技術的出發點是面向5nm及以下節點高性能和低功耗電晶體性能需求。
  • 碳基晶片帶來的是一場晶片革命
    作為全球先進的晶片製造商臺積電,在矽基晶片的研發上已經突破到了5nm工藝,並且正在向2nm工藝進發,但2nm之後矽基晶片的工藝似乎遇到了瓶頸。而我國因為受到了美國的制裁,雖然在晶片設計上有所成就,但是在光刻機等製造設備中卻無法突破。兩種情況的趨勢下,全世界科技人員開始了新材料晶片的研發。碳基晶片是否需要光刻機?可以肯定的是,碳基晶片是不需要光刻機的。
  • 矽基晶片已到天花板,新材料彎道超車,碳納米管未來是否有潛力?
    相對於傳統的矽晶體晶片,碳基晶片更具有應用前景,而且國內在這方面一直在布局,我們從2000年就開始碳基晶片的研究,終於在今年碳基晶片亮相了,國內也傳來了好消息,北大張志勇-彭練矛課題組突破了半導體碳納米管關鍵材料的瓶頸,使其製備出的器件和電路在真實電子學表現上首次超過了矽基產品。
  • 華為2020收官「王炸」,讓美完全沒想到?俄媒:打破「歷史終結論」
    我們都知道世界首款5G手機晶片是我國華為的「麒麟9000」,但因為遭到美國的瘋狂打擊,導致這款晶片被「卡」得死死的,半島體領域也因此遭遇到了極大的困難。面對這樣的局面,我們有兩條路,一是繼續攻克光刻機晶片製造技術,以及半島體材料等相關的領域,並且不斷取得突破,二就是尋找彎道超車的機會。而就目前看來,後者實現的可能性要趕超前者,華為2020年或收官「王炸」。
  • 不僅要彎道超車,還要勇於換道超車 | 長江評論
    賴鑫琳 攝 圖片源自解放日報)石墨烯單晶晶圓與目前半導體電路所用的矽晶圓的最大不同,就在於所用材料,一個是碳基,一個是矽基。現在的半導體晶片無論大小,都是基於矽晶圓而製造的矽基晶片,從晶片設計、封裝、製造到材料、製造設備,相對於世界最先進水平,我國還是追趕者。
  • 中國突破碳基晶圓技術,或實現彎道超車
    打開APP 中國突破碳基晶圓技術,或實現彎道超車 海峽新資訊 發表於 2021-01-06 13:53:20 近年來我國在科技領域取得了一系列不菲的成就
  • 華為晶片斷供首日 碳基晶片概念股龍頭有哪些?
    華為晶片斷供首日 碳基晶片概念股龍頭有哪些?最近華為被美國政府斷供的消息讓很多人氣憤不已,說到底還是我國在晶片行業的發展過於落後,沒有話語權,所以它們想斷供晶片就可以直接下令,這時候我國的晶片企業就需要爭氣了,下面看看石墨烯碳基晶片概念股。
  • 再次確認,碳基晶片無需高端光刻機!中國芯彎道超車
    果然,近日中科院宣布了一項重大的技術突破,被業內人士定義為中國芯彎道超車的轉折點。  要知道石墨烯晶圓是生產碳基晶片的必備基礎材料,碳基晶片與美國斷供我們的矽基晶片有著本質的區別,兩者相比,碳基晶片不管是穩定性或者是傳輸效率,都遠超矽基晶片,科學家們的實驗表明,
  • 碳基晶片正在闊步走來
    打開APP 碳基晶片正在闊步走來 小中最帥 發表於 2020-11-05 11:09:16 作為取代矽基晶片的新一代半導體,碳基晶片正在闊步走來。 早在今年上半年,國內已經有傳言稱,國內正在研發碳基晶片,並已經實現了小批量生產。當時,因為碳基晶片處於萌芽狀態,網上認為還需要幾年時間才能走出實驗室。沒有想到,傳言屬實,在部分領域已經開始運用8寸石墨烯碳基晶片,製作成熟產品。
  • 碳基半導體、彎道超車與楚王失弓
    「碳基生命」,包括人類在內。所以經常見到這樣玩笑的說法:在矽基生命看來,你們這些碳基生命都是渣渣!許多媒體報導,這有望為碳基半導體進入規模工業化奠定基礎,也為我國晶片業彎道超車提供巨大潛力(為「中國芯」彎道超車加速!北大研究團隊突破碳基半導體製備瓶頸)。
  • 我國碳基晶片獲最大突破,性能比矽基大幅提升!也是未來發展方向
    同時,我國在傳統半導體領域落後的情況下,但在碳基晶片上,我國已取得了重大突破,具備國際領先水平,這也是我國晶片發展的重要方向,也將藉助碳基晶片超車。最重要的是,我國發現碳基晶片可藉助華為光電技術,為製造碳基晶片已具備成熟條件。